碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测(英文)

通过Te熔剂方法生长出<110>晶向的ZnTe单晶,利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下,Te熔剂方法生长的<110>晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能,室温下激发频谱可达3THz以上.

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶．经X射线衍射测试，发现晶锭中存在沿（110）晶向生长的大晶粒，可以切出10mm×10mm的单晶片．傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2．5～20μm波段的红外透过率约为61％．通过测可见一红外波段的透射光谱，得出禁带宽度为2．24eV．利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲，观察到0．18ps的THz辐射场分布，相应的频谱分布为5THz．