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题名非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备
被引量:3
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作者
潘兴浩
储茂友
王星明
刘宇阳
白雪
桂涛
张朝
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机构
北京有色金属研究总院稀有金属冶金材料研究所
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出处
《工程科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第2期224-229,共6页
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文摘
采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As_2GeTe_4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5. 46 g·cm^(-3),达混合理论密度的99. 5%,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.
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关键词
非晶半导体
粉体
靶材
teasgesi
致密化
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Keywords
chalcogenide amorphous
powder
target
teasgesi
densification
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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