TeO_x薄膜结构及短波长静态记录特性的研究

以真空蒸镀法在 K9玻璃基底上制备了 Te Ox 单层薄膜 .使用 X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)对薄膜的结构进行了分析 .实验结果表明 ,薄膜是由晶态 Te分散在非晶态 Te O2 基体中形成的混合体系 ,Te O2 基体的存在增强了Te的抗氧化性能 ;薄膜具有精细粒状结构和粗糙的表面 ;退火后薄膜的反射率增加和 Te向表面的偏析、重聚集及表面粗糙度的降低有关 .采用波长为 51 4.4nm的短波长静态记录仪对薄膜静态记录性能的测试结果表明 :薄膜具有良好的记录灵敏性 ,在记录功率 1 .5m W、脉宽50 ns时就可产生较高的反射率衬比 (度 ) .研究结果为选择合适掺和物使 Te Ox

TeO_x薄膜的结构与声学特性研究

采用射频磁控溅射技术在不同条件、不同基片上制备氧化碲(TeOx)薄膜,并通过X线衍射、傅里叶变换红外光谱、X线光电子能谱等技术对制备的TeOx薄膜的结构和成分进行了分析。研制了TeOx/36°YX-LiTaO3结构的Love波器件,对Love波器件的延时温度系数(TCD)进行研究。结果表明,与36°YX-LiTaO3基片上制作的水平切变声波器件的延时温度系数相比,Love波器件的延时温度系数因TeOx薄膜的沉积而减小,故TeOx薄膜的延时温度系数为负值,其变化量取决于TeOx薄膜的制备条件和薄膜厚度。因此,TeOx/36°YX-LiTaO3结构Love波器件的延时温度系数可通过选择TeOx薄膜的制备条件和膜厚进行优化。

Sb掺和对TeO_x薄膜光学和静态记录特性的影响

以真空蒸镀法在 K9玻璃基底上制备了 Te Ox∶ Sb单层薄膜 ,对薄膜的结构、光学和静态记录特性进行了研究 .结果表明 ,Sb掺和后 Te Ox 薄膜的结构、反射光谱和光学常量均发生了明显变化 .Te Ox∶Sb薄膜具有良好的写入灵敏性并具有了一定的可擦除性能 。

TeO_x和Ag-In-Sb-Te-O薄膜动态存储特性的测试

采用真空蒸镀法制备了以TeOx 薄膜为记录层的可录光盘 ,采用溅射法制备了以Ag In Sb Te O为记录层的可擦重写光盘 ,并测试了这两种光盘在波长为 5 14 .5nm的动态存储特性。实验结果表明 ,可录光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 3 0dB ,波长 780nm时达到 41dB ;可擦重写光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 2 5dB ,波长 780nm时达到 3 8dB。对光盘载噪比偏低的可能原因及改进方法进行了讨论。光盘动态存储性能测试证明了这两种薄膜可用作蓝绿光波段高密度光存储介质。