顶发射聚合物发光二极管的出光率分析

采用传输矩阵法及Matlab软件模拟以聚合物MEH-PPV为发光材料的顶发射聚合物发光二极管(TEPLED)出光率,探讨了阳极材料、阴极材料、折射率匹配层以及发光角度等对器件出光率的影响。从仿真结果可知以传统分布布拉格反射器(DBR)为衬底的器件与以Ag膜为反射阳极的器件相比,表现出更高的出光率,达到47.43%。针对半透明金属阴极对光线的吸收和反射问题,设计了以透明材料为阴极的器件,提高了TEPLED出光率,达到67.11%,与以Ag膜为阴极的器件相比,出光率高出10%。分析了DBR对器件出光角度的影响,结果表明,器件在较小出光角度范围(30°)内DBR结构对整个TEPLED出光率影响较小;当角度大于30°时,器件出光率受DBR的反射特征影响较大。DBR的应用为TEPLED出光率的优化设计提供了理论依据。