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Terfenol-D和Cymbal迭层器件的磁电耦合效应
1
作者
鲁圣国
国世上
徐政魁
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S1期498-500,共3页
报道一种由Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)和Cymbal组成的新型器件.在器件中Cymbal位于两片Terfenol-D之间.在横向极化和横向磁化的模式(T-T)下,其磁电电压系数在0.5kOe的偏置磁场作用下为41.0mV/Oe(1kHz),大于Terfenol-D/PZT/Terfenol-D结构...
报道一种由Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)和Cymbal组成的新型器件.在器件中Cymbal位于两片Terfenol-D之间.在横向极化和横向磁化的模式(T-T)下,其磁电电压系数在0.5kOe的偏置磁场作用下为41.0mV/Oe(1kHz),大于Terfenol-D/PZT/Terfenol-D结构的磁电电压系数.磁电电压系数提高的原因起源于具有高压电系数的Cymbal和高磁致伸缩系数的Terfenol-D之间的耦合.
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关键词
terfonel-d
CYMBAL
磁电耦合
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职称材料
题名
Terfenol-D和Cymbal迭层器件的磁电耦合效应
1
作者
鲁圣国
国世上
徐政魁
机构
香港城市大学物理和材料科学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S1期498-500,共3页
基金
国家自然科学基金委员会和香港研究资助局联合科研资助基金(9050172)
文摘
报道一种由Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)和Cymbal组成的新型器件.在器件中Cymbal位于两片Terfenol-D之间.在横向极化和横向磁化的模式(T-T)下,其磁电电压系数在0.5kOe的偏置磁场作用下为41.0mV/Oe(1kHz),大于Terfenol-D/PZT/Terfenol-D结构的磁电电压系数.磁电电压系数提高的原因起源于具有高压电系数的Cymbal和高磁致伸缩系数的Terfenol-D之间的耦合.
关键词
terfonel-d
CYMBAL
磁电耦合
Keywords
Terfenol-D
Cymbal
magnetoelectric coupling
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Terfenol-D和Cymbal迭层器件的磁电耦合效应
鲁圣国
国世上
徐政魁
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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