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The Comparison of Thick and Thin Intermediate Wafer in Maxillary Le Fort I Osteotomies
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作者 Farnoush Mohammadi Naghmeh Bahrami Aref Darvishi 《International Journal of Clinical Medicine》 2018年第1期23-27,共5页
Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine compar... Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine comparison of thick and thin intermediate wafer in maxillary Le Fort I osteotomies. Methods: This study was done in 9 patients who had maxillary prognathism or retrognathism abnormality. The maxillary cast was oriented using articulator after facebow transfer. Then photographic and cephalometric data was used to determine proper dental arch segments. All 9 patients had Le Fort I combined with mandibular sagittal split osteotomies. The Le Fort I surgery was done on lateral, septum and medial sinus of nasal and trigomaxillary. The cast was removed from the base articulator and think and thick wafers were fabricated for each. Then the wafers were fixed in 1, 2 and 3 mm anterior (A1, A2 and A3, respectively). After mobilization of the maxilla and adequate bone removal, the jaws were held in occlusion with the thin intermediate wafer. The maxilla was then located against the stable part of the facial skeleton above using the yet unoperated mandible as an autorotated guide. Then the superior reposition >1 or Results: According to the results, the superior reposition was higher in thin wafers fixed in A3 > A2 compared to A1. Also, the same result was detected in thick wafers fixed in A3 > A2 compared to A1, respectively. However, there was no significant difference in both thin and thick wafers in each fixed locations. Conclusion: These results suggest thick wafers have acceptable results in maxillary Le Fort I osteotomies. 展开更多
关键词 THICK wafer thin wafer Le FORT I MAXILLARY OSTEOTOMY
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用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
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作者 刘善群 丁雨憧 +5 位作者 陈哲明 石自彬 龙勇 邹少红 庾桂秋 张莉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期700-703,728,共5页
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合... 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。 展开更多
关键词 压电单晶薄膜晶圆 清洗技术 离子注入 晶圆键合 表面洁净度
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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征
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作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术
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激光退火技术在分立器件中应用的研究
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作者 王雷 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第5期281-286,共6页
激光退火是一种激活效率高,热预算小,激活深度可控的激活工艺,对具有垂直结构的分立器件进行背面注入退火激活时,可以大大降低热预算,避免背面工艺对正面器件的影响,进一步降低超薄片在加工中因形变导致的翘曲和碎裂。本文以FS-IGBT背... 激光退火是一种激活效率高,热预算小,激活深度可控的激活工艺,对具有垂直结构的分立器件进行背面注入退火激活时,可以大大降低热预算,避免背面工艺对正面器件的影响,进一步降低超薄片在加工中因形变导致的翘曲和碎裂。本文以FS-IGBT背面注入退火为例,对激光退火工艺参数与激光退火设备硬件参数进行了研究,在传统激光退火理论模型的基础上,首次通过理论分析和实验结果验证了多光束激光退火设备的交叠时间与交叠范围、聚焦光斑尺寸、聚焦深度等重要设备参数对分立器件影响,对激光退火技术在分立器件中的应用与激光退火工艺与激光退火设备标准化及理论模型与实际相结合提供了有益参考。 展开更多
关键词 激光退火 分立器件 FS-IGBT 多光束激光退火 超薄片
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管式PECVD工艺对“SE+PERC”晶体硅太阳电池镀膜均匀性的影响及改善研究
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作者 张福庆 张若凡 +2 位作者 王贵梅 胡明强 张鹏程 《太阳能》 2024年第6期41-50,共10页
针对在“SE+PERC”晶体硅太阳电池制备过程中,采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积正面钝化介质膜后,硅片正面会出现角部发红色差,即镀膜均匀性异常的问题,通过实验,对硅片厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质... 针对在“SE+PERC”晶体硅太阳电池制备过程中,采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积正面钝化介质膜后,硅片正面会出现角部发红色差,即镀膜均匀性异常的问题,通过实验,对硅片厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质膜沉积工艺等影响因素对硅片正面角部发红色差的影响分别进行分析和讨论,并提出解决方案。研究结果表明:硅片正面角部发红色差的产生与硅片自身厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质膜沉积工艺均存在一定关系。通过采用最具优势的管式PECVD工艺条件,即优化自动化装片技术、控制石墨舟形变量、采用合适的背面膜层结构,以及正面钝化介质膜沉积工艺采用高射频功率叠加高腔体压力,可将正面角部发红色差硅片的占比降低至0%,从而可有效提升“SE+PERC”晶体硅太阳电池的成品率,提升生产线的经济效益。 展开更多
关键词 管式等离子体增强化学气相沉积 “SE+PERC”太阳电池 硅片 沉积工艺 薄膜应力 石墨舟 射频功率 色差
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200mm超薄硅片边缘抛光技术
6
作者 武永超 史延爽 +3 位作者 王浩铭 龚一夫 张旭 赵权 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期213-217,共5页
在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参... 在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参数改善硅片边缘粗糙度及过抛量,并讨论了边缘抛光前后硅片倒角角度及边缘残余应力的变化。结果表明边缘抛光工序对硅片边缘去除量较小,且仅对边缘损伤层起到去除作用,因此可以有效降低硅片边缘残余应力,而对倒角角度影响较小,有助于获得边缘质量较好的硅片,为后续外延加工打下良好基础。 展开更多
关键词 边缘抛光 大尺寸超薄硅片 化学机械抛光(CMP) 边缘损伤 边缘粗糙度
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基于外延层转移的超薄垂直结构深紫外LED 被引量:3
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作者 严嘉彬 孙志航 +2 位作者 房力 王林宁 王永进 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期321-327,共7页
AlGaN基深紫外(Deep ultraviolet,DUV)发光二极管(Light-emitting diode,LED)可用于杀菌、水体净化、光疗、固化、传感和非视距通信等场合,在生物、环境、工业、医疗和军事等领域具有广阔的应用前景。针对现阶段DUV LED外量子效率较低... AlGaN基深紫外(Deep ultraviolet,DUV)发光二极管(Light-emitting diode,LED)可用于杀菌、水体净化、光疗、固化、传感和非视距通信等场合,在生物、环境、工业、医疗和军事等领域具有广阔的应用前景。针对现阶段DUV LED外量子效率较低的问题,本文提出了一种超薄垂直结构的DUV LED方案。该方案基于蓝宝石-硅晶圆键合和物理减薄工艺实现了高质量DUV LED外延层从蓝宝石衬底到高导热硅基板的转移,并采用转移后亚微米厚度的超薄外延层制备出垂直结构的AlGaN DUV LED。器件的出光面在减薄工艺后无需特殊的化学处理便可实现纳米级的粗化,配合超薄外延层结构具备显著的失谐微腔效应,有助于破坏高阶波导模式,从而增加TM波的出光并提升器件的出光效率。测试表明,转移后的外延层厚度约为710 nm,制备出的DUV LED发光光谱峰值波长约为271 nm。该垂直结构DUV LED制备方案为实现高效DUV光源提供了可行路径。 展开更多
关键词 深紫外发光二极管 外延层转移 晶圆键合 减薄工艺
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基于Python语言的超薄金刚石切割片建模与SiC晶片切割仿真
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作者 何艳 李翔 +3 位作者 高兴军 凡林 刘铭 徐子成 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2023年第5期621-631,共11页
为改善SiC晶片在切割过程中存在的边缘崩边和亚表面损伤等问题,采用Python语言与Abaqus有限元分析软件相结合的方法建立超薄金刚石切割片切割SiC晶片的模型,研究切割参数对切割过程中的切割力、切割温度、晶片切割边缘形貌、切割边缘损... 为改善SiC晶片在切割过程中存在的边缘崩边和亚表面损伤等问题,采用Python语言与Abaqus有限元分析软件相结合的方法建立超薄金刚石切割片切割SiC晶片的模型,研究切割参数对切割过程中的切割力、切割温度、晶片切割边缘形貌、切割边缘损伤宽度以及晶片亚表面损伤深度的影响。结果表明:切割力、切割温度与切割深度正相关,切割边缘损伤程度和亚表面损伤深度存在最优值。在切割深度为6μm时,SiC晶片的切割效果最好,其切割边缘损伤宽度为8μm,损伤面积为4905.56μm^(2),亚表面损伤深度为10.67μm,损伤面积为7022.18μm^(2)。在切割速度为60~121 m/s的高速切割阶段,切割速度对切割力、晶片的温度、晶片切割边缘形貌及亚表面损伤均无显著影响。 展开更多
关键词 SiC晶片 PYTHON语言 超薄金刚石切割片 切割参数 损伤
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厚度极化薄圆片压电换能器的瞬态响应
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作者 法林 刘栋宁 +5 位作者 梁蕊 王宝妮 王艺美 史贵全 李玉霞 赵梅山 《西安邮电大学学报》 2023年第1期37-49,共13页
针对以往声学测量中更多考虑声波传播情况,忽略激励信号与换能器能量转换对测量声信号影响的问题,对不同信号激励下换能器的瞬态响应进行了研究。联立薄圆片压电换能器的运动方程与压电方程,建立了换能器的机-电等效电路。利用留数定理... 针对以往声学测量中更多考虑声波传播情况,忽略激励信号与换能器能量转换对测量声信号影响的问题,对不同信号激励下换能器的瞬态响应进行了研究。联立薄圆片压电换能器的运动方程与压电方程,建立了换能器的机-电等效电路。利用留数定理推导出了厚度极化薄圆片压电换能器的电-声/声-电冲激响应和传输函数。基于傅里叶变换以及叠加定理建立了并行传输网络模型,用于描述换能器的电-声和声-电转换过程。仿真结果表明,正弦信号激励下换能器的输出结果为一个静止到稳态正弦振动的子波,门选正弦信号激励下换能器的输出信号呈周期性振荡,换能器的输出信号受激励信号与换能器能量转换的影响。 展开更多
关键词 薄圆片压电换能器 并行传输 机电等效 声学测量
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基于钽酸锂晶体薄片的红外探测器设计及应用 被引量:4
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作者 谭秋林 张文栋 +2 位作者 刘俊 薛晨阳 熊继军 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第1期73-77,共5页
通过减薄、键合、抛光等技术加工成厚度达到10μm左右的超薄晶片,然后通过蒸金、黑化等处理技术将其制备成红外敏感元件.根据红外光谱吸收原理,为提高分辨率和选择性吸收性能,在敏感元件前段集成了窄带滤光片.制备的敏感元件与选用的窄... 通过减薄、键合、抛光等技术加工成厚度达到10μm左右的超薄晶片,然后通过蒸金、黑化等处理技术将其制备成红外敏感元件.根据红外光谱吸收原理,为提高分辨率和选择性吸收性能,在敏感元件前段集成了窄带滤光片.制备的敏感元件与选用的窄带滤光片,以及CMOS放大器与电阻和电容各一个都被封装和集成在一个TO-18型管壳内,最终被设计加工成为单一通道的红外探测器,其滤光片可根据要求的波带范围进行更换.利用两个吸收波长分别为(3 310±90)nm和(3 910±60)nm的单元探测器,设计并制作了一个微型气体传感器.该气体传感器能实现检测一些烃类气体,文中对乙烯气体进行了实验测试,并进行了实验数据分析.分析结果表明:这种气体传感器具备较好的检测气体浓度的能力,能检测的最大量程为30 000×10-6,达到分辨100×10-6的检测能力,且具有较好的重复性. 展开更多
关键词 钽酸锂 晶体薄片 红外吸收 气体传感器
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大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展 被引量:26
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作者 康仁科 郭东明 +1 位作者 霍风伟 金洙吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期33-38,51,共7页
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减... 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。 展开更多
关键词 图形硅片 磨削技术 IC封装 硅片背面 减薄技术 加工原理
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微机电系统扭转微镜面驱动器的研制 被引量:8
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作者 李四华 刘玉菲 +1 位作者 高翔 吴亚明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期756-760,共5页
提出了一种新颖的采用键合减薄工艺制作的微机电系统扭转微镜面驱动器,该种微镜面驱动器工艺制作简便可行.通过对研制的微镜面驱动器进行测试,该驱动器在18V驱动电压时可以达到0.3°的扭转角度,微镜面的频率响应时间小于1ms.同时该... 提出了一种新颖的采用键合减薄工艺制作的微机电系统扭转微镜面驱动器,该种微镜面驱动器工艺制作简便可行.通过对研制的微镜面驱动器进行测试,该驱动器在18V驱动电压时可以达到0.3°的扭转角度,微镜面的频率响应时间小于1ms.同时该驱动器具有较大的微反射镜面,面积达到600μm×700μm,试验结果表明微镜面驱动器将可以应用于光通信领域. 展开更多
关键词 微机电系统 扭转微镜面 驱动器 键合减薄
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硅片背面减薄技术研究 被引量:8
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作者 江海波 熊玲 +2 位作者 朱梦楠 邓刚 王小强 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第6期930-932,963,共4页
硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表... 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。 展开更多
关键词 硅晶圆 背面减薄 损伤 抛光 湿法腐蚀
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面向超薄器件加工的临时键合材料解决方案 被引量:2
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作者 刘强 夏建文 +5 位作者 李绪军 孙德亮 黄明起 陈伟 张国平 孙蓉 《集成技术》 2021年第1期23-34,共12页
临时键合技术作为一项解决先进制造与封装的关键工艺,可为薄晶圆器件的加工提供一种高可靠性的解决方案。该文成功研发出热滑移解键合和紫外激光解键合两种不同解键合方式的临时键合材料。结果显示,与国外同类产品相比,热滑移临时键合材... 临时键合技术作为一项解决先进制造与封装的关键工艺,可为薄晶圆器件的加工提供一种高可靠性的解决方案。该文成功研发出热滑移解键合和紫外激光解键合两种不同解键合方式的临时键合材料。结果显示,与国外同类产品相比,热滑移临时键合材料WLP TB130和WLP TB140具有更高的耐热性,5%的热失重温度均大于400℃,同时也具有更好的耐化性,其中WLP TB140可在160℃实现低温解键合。紫外激光解键合材料为WLP TB4130与WLP LB210配合使用(WLP TB4130作为黏结层,WLP LB210作为激光释放层),超薄器件晶圆键合对通过激光解键合方式实现室温、无应力地与支撑晶圆分离。 展开更多
关键词 薄晶圆 临时键合 热失重 热滑移解键合 紫外激光解键合
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恒定电场声速引起压电振子设计上的误差分析 被引量:1
15
作者 贺西平 胡时岳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期156-157,共2页
推导晶堆的机电状态方程时 ,选用的是恒定电位移及恒定应力时的压电方程 ,最后设计计算时却又用的是恒定电场下的声速。文章通过对等效声速表达式的展开 ,分析了这种替代所带来的误差 ,并从电边界条件这个角度 ,阐明了这种替换的物理意义。
关键词 误差分析 压电振子 声速 恒定电场状态 换能器
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3D IC-TSV技术与可靠性研究 被引量:2
16
作者 贾国庆 林倩 陈善继 《电子技术应用》 北大核心 2015年第8期3-8,共6页
对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应... 对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应力分析方面进行了介绍。以传热分析为例,实现简单TSV模型的热仿真分析和理论计算。最后介绍了TSV技术市场化动态和未来展望。 展开更多
关键词 3D-TSV 通孔 晶圆减薄 键合 热可靠性
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一种在片薄膜铂电阻温度传感器的校准方法 被引量:2
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作者 许晓青 李锁印 +3 位作者 刘晨 赵新宇 赵革艳 吴爱华 《计量学报》 CSCD 北大核心 2022年第12期1605-1609,共5页
在片薄膜铂电阻温度传感器以铂作为感温薄膜,采用半导体工艺制造,可以有效地监测晶圆片上的半导体器件温度。为了校准该类型温度传感器,根据其工作原理和结构特点,参考JJG 229-2010对校准装置的要求,提出了一种利用高低温探针台、八位... 在片薄膜铂电阻温度传感器以铂作为感温薄膜,采用半导体工艺制造,可以有效地监测晶圆片上的半导体器件温度。为了校准该类型温度传感器,根据其工作原理和结构特点,参考JJG 229-2010对校准装置的要求,提出了一种利用高低温探针台、八位半数字多用表以及直流探针组建校准装置的方法;通过组建校准装置,测量温度传感器在不同温度下的电阻值,得到电阻-温度特性的分度表;并对在片薄膜铂电阻温度传感器在25℃和125℃2个温度点进行校准。校准数据及校准结果验证表明,该方法切实可行,可有效解决无连接引线的在片铂薄膜电阻温度传感器的校准问题。该校准技术也可为其他类型感温元件的在片温度传感器校准提供参考依据。 展开更多
关键词 计量学 温度传感器 微传感器 在片薄膜 高低温探针台 校准方法
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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量:9
18
作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多
关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
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用激光干涉法分析薄膜应力 被引量:6
19
作者 胡一贯 乐德芬 陈宁伟 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期204-208,共5页
本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
关键词 薄膜 内应力 激光干涉 弯曲晶片法
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单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究 被引量:1
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作者 帅垚 李宏亮 +2 位作者 吴传贵 王韬 张万里 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期7-12,共6页
以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题... 以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题,获得了高质量的Y36切型单晶铌酸锂薄膜材料。此外,通过在晶圆键合之前预先制备图形化的金属层,获得了带有下电极功能层的单晶铌酸锂薄膜,可应用于薄膜体声波谐振器等具有金属-绝缘层-金属结构的器件。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 晶圆键合 离子注入剥离技术 BCB
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