运用1000kV超高压电子量微镜和Mossbauer谱仪结合磁测量,研究了含Nb钕铁硼永磁体的纳米微观结构与矫顽力机制模型。加入Nb,Ga等元素的NdFeB合金(3种化学元素以上组成Nd Fe B合金)的矫顽力变化机制用现有的成核硬化模型、界面局域钉扎、...运用1000kV超高压电子量微镜和Mossbauer谱仪结合磁测量,研究了含Nb钕铁硼永磁体的纳米微观结构与矫顽力机制模型。加入Nb,Ga等元素的NdFeB合金(3种化学元素以上组成Nd Fe B合金)的矫顽力变化机制用现有的成核硬化模型、界面局域钉扎、均匀钉札都不能解释,必须有一种新的矫顽力机制模型,这种新的模型提出的基础是畴壁受激活能作用而移动,当激活能足够大时,畴壁可克服阻力而脱出,从研究热涨落场和矫顽力关系引出研究三元以上NdFeB合金的理论,即"动态交叉,组合补益",要使这种动态交叉能补益必须去寻找Nb,Ga等元素加入量,文内提出以2%为宜。作者提出"晶粒细化局域钉札"模型可解释三元以上NdFeB的矫顽力变化机制。文内观察到的加Nb后出的Fe2Nb相(a=0.382nm,c=0.787nm)存在于Nd2Fe14B主相内,属Laves相。通过Mossbauer变研究得出:Nb进入e,c晶位,减少面各向异性,提高单轴各向异性,Nb主要在晶界,这是提高矫顽力原因之一。Nb和Ga以适量的添加即复合添加,可提高矫顽力,从而改善合金的热稳定性。展开更多
随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜...随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜力的候选者,纳米银浆具有低温烧结、高温服役的特性,固态银的理论熔点可达961℃,在航空航天、电动汽车等领域具有广泛的应用前景。受纳米银浆料成分和烧结工艺的影响,烧结纳米银封装结构内部存在大量孔洞。在实际应用中,内部孔洞的演变导致烧结纳米银的力学性能劣化直至失效。展开更多
文摘运用1000kV超高压电子量微镜和Mossbauer谱仪结合磁测量,研究了含Nb钕铁硼永磁体的纳米微观结构与矫顽力机制模型。加入Nb,Ga等元素的NdFeB合金(3种化学元素以上组成Nd Fe B合金)的矫顽力变化机制用现有的成核硬化模型、界面局域钉扎、均匀钉札都不能解释,必须有一种新的矫顽力机制模型,这种新的模型提出的基础是畴壁受激活能作用而移动,当激活能足够大时,畴壁可克服阻力而脱出,从研究热涨落场和矫顽力关系引出研究三元以上NdFeB合金的理论,即"动态交叉,组合补益",要使这种动态交叉能补益必须去寻找Nb,Ga等元素加入量,文内提出以2%为宜。作者提出"晶粒细化局域钉札"模型可解释三元以上NdFeB的矫顽力变化机制。文内观察到的加Nb后出的Fe2Nb相(a=0.382nm,c=0.787nm)存在于Nd2Fe14B主相内,属Laves相。通过Mossbauer变研究得出:Nb进入e,c晶位,减少面各向异性,提高单轴各向异性,Nb主要在晶界,这是提高矫顽力原因之一。Nb和Ga以适量的添加即复合添加,可提高矫顽力,从而改善合金的热稳定性。
文摘随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜力的候选者,纳米银浆具有低温烧结、高温服役的特性,固态银的理论熔点可达961℃,在航空航天、电动汽车等领域具有广泛的应用前景。受纳米银浆料成分和烧结工艺的影响,烧结纳米银封装结构内部存在大量孔洞。在实际应用中,内部孔洞的演变导致烧结纳米银的力学性能劣化直至失效。