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可见光响应TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉的制备及表征 被引量:2
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作者 赵巍 张施盟 +3 位作者 王红杏 张宇波 高可心 王子豪 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期51-54,110,共5页
以熔盐法制备的微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)为基体,采用Ti(SO4)2水解结合后续热处理的方法制备了TiO2/TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉,研究了原料配比对复合粉晶体结构、形貌以及光催化降解脱色效果的影响。结果表明:该复合粉的形貌为... 以熔盐法制备的微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)为基体,采用Ti(SO4)2水解结合后续热处理的方法制备了TiO2/TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉,研究了原料配比对复合粉晶体结构、形貌以及光催化降解脱色效果的影响。结果表明:该复合粉的形貌为微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)表面分布着纳米级的TiO_2颗粒;当原料中铋、钛物质的量比低于1∶6时,复合粉对亚甲基蓝具有良好的吸附脱色效果,钛含量过多时会导致水解产物的团聚,降低复合粉的比表面积,使其脱色效果变差;当铋、钛物质的量比为1∶4时,复合粉的比表面积为13.444 m^2·g^(-1),可见光光照4h以内,对亚甲基蓝的脱色率达到85%,其光催化降解脱色速率高于TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)的。 展开更多
关键词 tio2/bi4ti3o12复合粉 水解 可见光 脱色率
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TiO_2种子层对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响 被引量:1
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作者 李佳 于军 +2 位作者 彭刚 王耘波 周文利 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1192-1196,共5页
用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上和加入了TiO_2种子层的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) (BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)... 用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上和加入了TiO_2种子层的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) (BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO_2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO_2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO_2种子层的BNT薄膜的剩余极化P_r值分别为26和43.6μC/cm^2,矫顽场强E_c分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO_2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10^(-6)~10^(-5)A/cm^2之间. 展开更多
关键词 sol—gel bi3.15Ndo.85ti3o12 铁电薄膜 tio2种子层
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Ce改性0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1SrBi_2Nb_2O_9铋层状铁电陶瓷结构与性能 被引量:1
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作者 涂娜 江向平 +2 位作者 邵红 杨帆 陈超 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期17-21,共5页
采用固相法制备了CeO_2掺杂改性的0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1SrBi_2Nb_2O_9(BIT-SBN)铋层状铁电陶瓷材料。系统研究了CeO_2掺杂对BIT-SBN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构,样品的晶粒... 采用固相法制备了CeO_2掺杂改性的0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1SrBi_2Nb_2O_9(BIT-SBN)铋层状铁电陶瓷材料。系统研究了CeO_2掺杂对BIT-SBN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构,样品的晶粒尺寸随着CeO_2掺杂量的增加而逐渐增大,并且沿a-b面的生长速度明显大于沿垂直c轴方向的生长速度;BIT-SBN基陶瓷的压电性能随着CeO_2的掺杂而显著提高,损耗明显降低。当CeO_2掺量为0.75 wt%时,样品具有最佳的电性能:压电常数d_(33)=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.20%,机械品质因数Q_m=3015,居里温度T_C=595℃;并且此时样品具有良好的热稳定性,在高温器件领域具有一定的应用潜能。 展开更多
关键词 铋层状 铁电陶瓷 bi4ti3o12 Ceo2改性
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PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂的Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷 被引量:4
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作者 吕文中 F.Azough R.Freer 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期144-148,共5页
研究了PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂的Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷材料的结构和介电性能.结果表明,随着掺杂量的增加,陶瓷材料的密度呈现出轻微下降的趋势,介电常数则保持较高的数值,Q值及T_f随掺杂量的增加而下降.当PbTiO_3+Bi_... 研究了PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂的Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷材料的结构和介电性能.结果表明,随着掺杂量的增加,陶瓷材料的密度呈现出轻微下降的趋势,介电常数则保持较高的数值,Q值及T_f随掺杂量的增加而下降.当PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂量为20%时,材料的ε_r≈93,Q.f≈5800 GHz,T_f≈3×10^(-5)/c.XRD分析表明,当PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂量小于24%时,Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)材料仍呈现出单相结构.利用电介质极化理论初步解释了材料介电性能变化的原因。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Ba4.5Nd9ti18o54微波介质陶瓷 Pbtio3+bi2ti2o7添加剂 介电性能
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掺杂Bi_2O_3对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷显微结构和介电性能的影响 被引量:2
5
作者 王玉梅 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期35-39,共5页
采用传统高温共固相反应法制备了Ca(1-x)BixCu3Ti4O(12-x/2)(x=0,1%,2%,3%,4%,5%)陶瓷,研究了掺杂Bi2O3对CaCu3Ti4O12陶瓷的显微结构和介电性能的影响,结果表明:掺杂Bi2O3可以促进CCTO陶瓷的致密性和晶粒均匀性,掺杂Bi2O3有利于提高CCT... 采用传统高温共固相反应法制备了Ca(1-x)BixCu3Ti4O(12-x/2)(x=0,1%,2%,3%,4%,5%)陶瓷,研究了掺杂Bi2O3对CaCu3Ti4O12陶瓷的显微结构和介电性能的影响,结果表明:掺杂Bi2O3可以促进CCTO陶瓷的致密性和晶粒均匀性,掺杂Bi2O3有利于提高CCTO陶瓷的介电性能以及其稳定性,且介电性能与陶瓷晶粒的均匀性和陶瓷的致密性有着一定的联系。相对而言掺杂4%Bi2O3的介电性能最优。 展开更多
关键词 CACU3ti4o12 bi2o3 显微结构 介电性能
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Bi_2S_3/TiO_2纳米棒异质结阵列的制备及光电化学性能
6
作者 李森林 宁向梅 +3 位作者 黄金亮 陈永超 师清奎 李丽华 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期143-146,共4页
以钛酸丁酯为钛源,通过盐酸调制的两步溶剂热法在FTO基底上制备异质结阵列Bi_2S_3/TiO_2纳米棒。利用XRD、SEM、UV-Vis和电化学工作站等测试手段对Bi_2S_3/TiO_2纳米棒异质结阵列电极的晶体结构、表面形貌、光学和光电化学性质进行了表... 以钛酸丁酯为钛源,通过盐酸调制的两步溶剂热法在FTO基底上制备异质结阵列Bi_2S_3/TiO_2纳米棒。利用XRD、SEM、UV-Vis和电化学工作站等测试手段对Bi_2S_3/TiO_2纳米棒异质结阵列电极的晶体结构、表面形貌、光学和光电化学性质进行了表征。结果表明,经Bi_2S_3敏化后的TiO_2纳米棒阵列薄膜对可见光的吸收明显增强,吸收光波长由400 nm增至700 nm。在标准模拟太阳光(AM 1.5 G,100 m W/cm2)照射下,复合薄膜开路电压为1.06 V,短路电流密度为0.11 m A/cm2,与纯TiO_2纳米棒薄膜相比,光电转化能力显著提高。 展开更多
关键词 ti o2纳米棒阵列 bi2S3敏化 溶剂热法 光电转换 量子点
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(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究 被引量:4
7
作者 涂娜 江向平 +2 位作者 李小红 傅小龙 杨帆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1831-1836,共6页
采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了SrBi2Nb2O9掺杂对Bi4Ti3O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单... 采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了SrBi2Nb2O9掺杂对Bi4Ti3O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ=98.1%,机电耦合系数k p=8.26%,εr=220,介电损耗tanδ=0.29%,剩余极化强度P r=9.128μC/cm2,T c=594℃。同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性。 展开更多
关键词 bi4ti3o12 Srbi2Nb2o9 铋层状 铁电陶瓷 介电性能
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Preparation and Characterization of Bi_4Ti_3O_(12) Platelets by a Novel Low-temperature Molten Salt System 被引量:1
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作者 隋万美 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2009年第2期241-244,共4页
Bismuth titanate (Bi4Ti3O12) platelets were prepared by molten salt method in a new salt system of CaCl2·NaCl at 650-750℃, using bismuth nitrate pentahydrate (Bi (NO3)3·H2O) and titanium butoxide (Ti... Bismuth titanate (Bi4Ti3O12) platelets were prepared by molten salt method in a new salt system of CaCl2·NaCl at 650-750℃, using bismuth nitrate pentahydrate (Bi (NO3)3·H2O) and titanium butoxide (Ti (OC4H9)4) as raw materials. The synthesis temperature of Bi4Ti3O12 platelets was decreased to 650℃ from 900-1100℃. The phase compositions and crystalline morphology of Bi4Ti3O12 platelets were investigated by XRD and SEM. The experimental results indicate that Bi4Ti3O12 platelets containing tetragonal and orthorhombic phase with the size of 1-3μm can be synthesized at 650℃ for 2 h, and the orthorhombic phase becomes the dominant phase at 750℃ for 5 h. The size and proportion of Bi4Ti3O12 platelets increase with the increment of the calcining temperature and holding time. The proportion of platelets increases to about ninety percent, and the platelets grow up to about 3-10μm at 750℃ for 5 h from 1-2μm at 650℃ for 2 h. This technical route provides a new low-temperature molten salt system for preparing platelets by molten salt methods. 展开更多
关键词 CaCl2-NaC1 molten salt bi4ti3o12 platelets
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Effect of La Doping on Microstructure and Ferroelectric Prop-erties of Bi_4Ti_3O_(12) Thin Films Prepared by Sol-gel Method
9
作者 付承菊 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第5期622-624,共3页
The Bi4Ti3Oi2 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol-gel method. The effect of La doping on the microstructure and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 films were... The Bi4Ti3Oi2 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol-gel method. The effect of La doping on the microstructure and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 films were investigated. Both the Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films exhibited typical bismuth layered perovskite structure. The 2Pr (remanent polarization) value of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films is 18.6 μC/cm^2, which is much larger than that of Bi4Ti3O12 thin films. And the Bi3.2eLa0.75Ti3O12 films show fatigue-free behavior, while the Bi4Ti3O12 thin films exhibit the fatigue problem. The mechanism of improvement of La doping was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric properties sol-gel preparation bi4ti3o12 thin films bi3.25La0.75ti3o12 thin films La doping FAtiGUE
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Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结的原位制备及其光化学性能研究
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作者 李言 王方方 +1 位作者 傅正平 陆亚林 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期101-104,共4页
利用Bi_4Ti_3O_(12)和TiO_2的结构相似性,以TiO_2纳米片为原料,用水热法制备了Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜和高分辨透射电镜等证实了异质结结构的形成。可见光催化反应活性的表征说明Bi_4Ti_3O_(12)/Ti... 利用Bi_4Ti_3O_(12)和TiO_2的结构相似性,以TiO_2纳米片为原料,用水热法制备了Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜和高分辨透射电镜等证实了异质结结构的形成。可见光催化反应活性的表征说明Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结结构相较于TiO_2或Bi_4Ti_3O_(12)性能有明显提高,光电化学表征进一步证实Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结结构能有效促进光生电子-空穴对的分离。实验结果还表明,这种增强作用与两相的比例密切相关,并通过控制两相比例对性能进行了优化。 展开更多
关键词 可见光光催化 异质结 bi4ti3o12 tio2 水热法
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高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究 被引量:3
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作者 庄永勇 蒲永平 +1 位作者 王瑾菲 杨公安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期108-110,共3页
采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电... 采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。 展开更多
关键词 bi4ti3o12陶瓷 Sm2o3掺杂 高浓度 微观结构 电性能
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Gd_2O_3的掺入对BaTiO_3陶瓷的形貌及相变等性能的影响 被引量:3
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作者 何琴玉 张进修 厉志明 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期19-22,共4页
通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 ... 通过先制备钛酸钡 (BaTiO3 )的纳米粉 ,然后按一定质量比与Gd2 O3 混合 ,烧结成陶瓷。利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2 O3 的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2 O3 对BT陶瓷颗粒形貌、一级相变的影响。研究表明 :Gd2 O3 主要存在于晶界 ;由于Gd2 O3 引起的应力的作用 ,Gd2 O3 的对BT的振动模式和一级相变产生了一定的影响 ,影响最显著的是对BaTiO3 展开更多
关键词 GD2o3 BAtio3 掺杂 微结构 相变 表面表貌 钛酸钡陶瓷 氧化钆 物理性能 纳米材料
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Composite CoFe2O4/Bi3.1La0.9Ti3O12 Structures with Multiferroic Properties
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作者 Amanda Charris-Hemandez Arun Kumar Maharaj Tomar 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2014年第8期767-771,共5页
Chemical solution route was used to synthesize Bi3.1La0.9Ti3O12 and CoFe2O4. Alternate CoFe2O4/Bi3.1La0.9Ti3O12 layers were deposited on Pt substrate (Pt/TiO2/SiO2/Si) by spin coating. X-ray diffraction and SEM (sc... Chemical solution route was used to synthesize Bi3.1La0.9Ti3O12 and CoFe2O4. Alternate CoFe2O4/Bi3.1La0.9Ti3O12 layers were deposited on Pt substrate (Pt/TiO2/SiO2/Si) by spin coating. X-ray diffraction and SEM (scanning electron microscopy) studies show composite-like polycrystalline films. Films were studied for leakage current, dielectric response, ferroelectric and ferromagnetic properties. Leakage current was low (〈 10^-8 A) in electric field below 120 kV/cm, and the dielectric response shows relaxation. Dielectric loss (tan 8) reduces 〈 3% at 10^6 Hz. Two and four layer structures showed room temperature FE (ferroelectric) and FM (ferromagnetic) responses with FE Pr (polarization) 〉 25℃/cm2 and ferromagnetic Mr (memory) 〉 52 emu/cm3. Co-existence of FE and FM can be attributed to stress due to different crystal structures of the material involved in composite film structure. 展开更多
关键词 MULtiFERRoIC CoFe2o4/bi3.1La0.9ti3o12 composite chemical route.
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组成改性对BaO·Ln_2O_3·nTiO_2介质材料温度稳定性的影响 被引量:1
14
作者 戴维迪 靳正国 +1 位作者 步绍静 石勇 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期32-35,共4页
在Ba4 5Nd9Ti18O54 主相中引入Bi2 O3 ,Pr2 O3 改性添加剂 ,考察了改性离子对材料温度稳定性的影响 ,研究表明 :随Bi2 O3 含量的增长 ,介电常数εr 显著提高 ,谐振频率温度系数τf 呈V型变化 ,这与 [TiO6]8-八面体畸变程度和Bi2 O3 ... 在Ba4 5Nd9Ti18O54 主相中引入Bi2 O3 ,Pr2 O3 改性添加剂 ,考察了改性离子对材料温度稳定性的影响 ,研究表明 :随Bi2 O3 含量的增长 ,介电常数εr 显著提高 ,谐振频率温度系数τf 呈V型变化 ,这与 [TiO6]8-八面体畸变程度和Bi2 O3 在材料中的固溶限相关 :在含Bi2 O3 的体系中引入适量的Pr2 O3 ,温度稳定性得到较好改善 ,并提高了介电常数。 展开更多
关键词 组成改性 Bao·Ln2o3·ntio2 介质材料 温度稳定性 Ba4.5Nd9ti18o54 bi2o3 Pr2o3 添加剂 陶瓷材料
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Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究
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作者 张虽栓 杨文玲 +1 位作者 李秋红 赵宗彦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第4期605-609,共5页
采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧... 采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。 展开更多
关键词 Pb(Ni1/3Nb2/3)o3-Pb(Zr ti)o3(PNN-PZT) 压电陶瓷 bi2o3掺杂 低温烧结 电学性能 微结构
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BCZT-xBi_2O_3无铅压电陶瓷性能的研究
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作者 周顺龙 刘其斌 +1 位作者 徐鹏 姚利兰 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期20-24,共5页
选取传统高温固相反应合成法制备出Bi_2O_3掺杂的无铅压电陶瓷材料Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.08)Ti_(0.92)O_3-xBi_2O_3(BCZT-x Bi,x=0~0.15)。采用扫描电子显微镜、准静态压电常数测试仪等一系列检测手段,探讨了Bi_2O_3掺杂对BCZT基无... 选取传统高温固相反应合成法制备出Bi_2O_3掺杂的无铅压电陶瓷材料Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.08)Ti_(0.92)O_3-xBi_2O_3(BCZT-x Bi,x=0~0.15)。采用扫描电子显微镜、准静态压电常数测试仪等一系列检测手段,探讨了Bi_2O_3掺杂对BCZT基无铅压电陶瓷微观组织和电学性能产生的作用,从SEM图像得知,陶瓷的晶粒尺寸随着Bi_2O_3掺杂量的增多先逐渐变小后略微有所增大,XRD图谱则表明,掺杂量不等的Bi^(3+)均能够弥散进入钛酸钡晶格中,能完整固溶于BCZT陶瓷,并且材料具有典型的钙钛矿相结构。当Bi_2O_3掺杂量为0.15 mol%时,此无铅压电陶瓷材料拥有较好的介电性能,介电损耗tanδ的值仅是1.2%,介电常数ε_r的值是5100;当没有掺杂Bi_2O_3时,此陶瓷的压电性能最优,压电系数的值d_(33)=386 p C/N,机电耦合系数的值K_p=44.8%。 展开更多
关键词 bi2o3掺杂 Ba0.85Ca0.15Zr0.08ti0.92o3 显微结构 介电性能 压电性能
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γ-Fe_(2)O_(3)抗As_(2)O_(3)中毒能力的分子模拟 被引量:3
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作者 周文波 牛胜利 +3 位作者 刘思彤 王栋 韩奎华 王永征 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期3600-3609,共10页
采用密度泛函理论研究了γ-Fe_(2)O_(3)表面As_(2)O_(3)的吸附以及掺杂改性提高抗As_(2)O_(3)中毒性能的作用机理.计算了As_(2)O_(3)在完整以及O缺陷γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面的吸附性能,包括吸附位点、吸附结构、吸附能、PDOS等.同时建... 采用密度泛函理论研究了γ-Fe_(2)O_(3)表面As_(2)O_(3)的吸附以及掺杂改性提高抗As_(2)O_(3)中毒性能的作用机理.计算了As_(2)O_(3)在完整以及O缺陷γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面的吸附性能,包括吸附位点、吸附结构、吸附能、PDOS等.同时建立了Mo、Ti、Mg掺杂的γ-Fe_(2)O_(3)模型,探讨了助剂掺杂对抗砷中毒能力的作用机制,并考虑了掺杂量的影响.结果表明:As_(2)O_(3)倾向于以O端化学吸附在γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面Feoct位,吸附过程发生强烈的相互作用和电荷转移.当表面存在O缺陷时,As_(2)O_(3)的吸附能得到提高.Mo、Ti、Mg倾向于掺杂在Feoct位,增强了对As_(2)O_(3)的吸附能力,并且增大Mo的掺杂量可以强化As_(2)O_(3)的吸附.As_(2)O_(3)倾向于与活性较强的Mo、Ti、Mg发生反应,从而保护活性Fe位不受砷中毒,Ti和Mg的掺杂还抑制了相邻Fe位对As_(2)O_(3)的吸附.Mo、Ti、Mg的掺杂还促进了催化剂表面对NH_(3)的吸附,增强了表面酸性强度,有利于SCR反应.Mo、Ti、Mg原子的掺杂有利于提高γ-Fe_(2)O_(3)催化剂的抗砷中毒性能. 展开更多
关键词 As_(2)o_(3) 吸附 γ-Fe_(2)o_(3) o缺陷 Moti、Mg掺杂 密度泛函理论
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溶胶-凝胶法制备SrBi_(4-x)La_xTi_4O_(15)铁电薄膜及其性能研究 被引量:1
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作者 周卫东 孙慧 陈小兵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期97-98,共2页
关键词 抗疲劳性能 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 层状钙钛矿结构 制备 Srbi2Ta2o9 剩余极化强度 bi4ti3o12
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The electron structure and photocatalytic activity of Ti(IV) doped Bi_2O_3 被引量:7
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作者 YIN LiFeng NIU JunFeng +1 位作者 SHEN ZhenYao SUN Ying 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2011年第1期180-185,共6页
Density functional theory (DFT) plays a significant role in the development of visible light responsive photocatalysts. Based on the first-principles plane-wave ultrasoft pseudopotential (USPP) method, the crystal... Density functional theory (DFT) plays a significant role in the development of visible light responsive photocatalysts. Based on the first-principles plane-wave ultrasoft pseudopotential (USPP) method, the crystal structures of α,β,γ, and 5-Bi2O3 were optimally calculated for the total density of states (TDOS) and the partial density of states (PDOS) of Bi, O atoms. The calculation for Ti(IV) doped Bi2O3 supercell was carried out. The effects of Ti(IV)-doping on the electron structures and light absorption properties of various Bi2O3 were analyzed. The results showed that Ti 3d orbital appeared in the forbidden band of Bi2O3 and hybridized with O 2p, Bi 6p orbitals. The narrowed band gap (Eg) and red-shift of light absorption edge are responsible for the enhanced photoeatalytic activity of Bi2O3. The Ⅱ-Bi2O3 and Ti-doped β-Bi2O3 were prepared by a hydrotherrnal synthesis method. The improvement of the photoeatalytic activity of Bi2O3 has also been verified by the characteristics of the UV-vis diffuse reflection spectrum and the experimental evaluation of the photocatalytic degradation of crystal violet in aqueous solution. 展开更多
关键词 ti(IV) doping bi2o3 electron structure visible light photocatalytic activity density functional theory
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Ti(Ⅳ)掺杂Bi_2O_3电子结构和可见光催化活性的原理 被引量:2
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作者 殷立峰 牛军峰 +1 位作者 沈珍瑶 孙英 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期509-515,共7页
密度泛函理论(DFT)计算对掺杂体系新型环境光催化剂设计开发具有指导意义.基于DFT框架下的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP),对α、β、γ、δ-Bi2O3晶体几何结构分别进行了优化计算,从理论上得到了Bi2O3的总体态密度(TDOS)和Bi、O... 密度泛函理论(DFT)计算对掺杂体系新型环境光催化剂设计开发具有指导意义.基于DFT框架下的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP),对α、β、γ、δ-Bi2O3晶体几何结构分别进行了优化计算,从理论上得到了Bi2O3的总体态密度(TDOS)和Bi、O原子的分波态密度(PDOS).在此基础上对Bi2O3超晶胞进行Ti(IV)的掺杂计算,讨论了Ti(IV)掺杂对各种Bi2O3的电子结构和光吸收特性的影响.结果表明Ti(IV)掺杂Bi2O3晶体后,Ti(IV)的3d轨道进入禁带并与O2p、Bi6p轨道作用,使禁带宽度(Eg)变小,Bi2O3的吸收边红移,从而有助于Bi2O3光催化活性的改善.通过水热合成法制备的Ti(IV)掺杂Bi2O3样品的紫外-可见光漫反射光谱验证了计算的结果.在光催化降解有机染料结晶紫的实验中,光催化剂活性的改善进一步得到证实. 展开更多
关键词 ti(IV)掺杂 bi2o3 电子结构 可见光催化剂 密度泛函理论
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