在GaAs基电注入阴极中的Ti/Pt/Au电极制备工艺研究

制备Ga As基电注入阴极需要在p型Ga As材料上制备周期性分布的金属薄膜电极。实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法在材料表面沉积Ti/Pt/Au薄膜,通过薄膜剥离技术去除多余的金属薄膜,形成基极电极。实验结果表明采用负性光刻胶制备的电极质量更好,正性光刻胶制备的电极边缘粗糙,合理地沉积Ti/Pt/Au薄膜厚度可提高电注入阴极的基极电极质量,从而提升电注入阴极的性能。

短波CMT红外光导探测器延伸电极的改进

针对短波CMT红外光导探测器出现的拖尾问题,找到其拖尾的原因:过渡电极的功函数过大。为此,在原来Cr/Au电极的基础上,提出了In/Au+Cr/Au电极初步解决了拖尾问题,但是在工艺上出现了In聚球现象,影响器件的稳定性。又提出Ti/Au电极,比较好的解决了拖尾问题和In/Au+Cr/Au电极带来的工艺问题。

用于同位素电池的储能复合电极的可行性研究

借鉴太阳能电池Ti/Pd/Ag复合电极的设计方案,将其优化设计为Ti/Pd/Au复合电极并加载氚源,以此验证同位素源与换能器件整合的可行性。在N型单晶硅基体上制备电极,为研究氚在电极中的行为,用氘气模拟氚气对电极进行同位素加载,采用XRD、SEM和四探针研究复合电极的储氚性能、微结构、电学性能等的变化。结果表明:复合电极能吸附氘并生成TiD_x(x≤2),具备一定的储氚性能;在Ti与Si界面处出现了TiSi_2相,表明膜基间发生了合金化,这提高了复合电极与硅基体的结合强度,同时降低了接触电阻;10^(-4)Ω·cm量级的表面电阻率基本可满足对电极导电性能的要求。由此可见,Ti/Pd/Au复合电极应用于伏特效应同位素电池是可行的。