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在Ti:Al薄膜中的离子束混合研究 被引量:1
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作者 吴美珍 寿焕根 +2 位作者 王树芬 侯明东 金运范 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期198-202,共5页
用100keVAr^+离子在低温下对TI:Al薄膜进行了离子束混合研究。实验试样是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝腹,相继再蒸上所需不同厚度的钛膜,Ar^+离子注入剂量为1.2×10^(16)—1.4×10^(17)Ar^+/cm^2。用2.0MeVa粒子对注入前后的样... 用100keVAr^+离子在低温下对TI:Al薄膜进行了离子束混合研究。实验试样是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝腹,相继再蒸上所需不同厚度的钛膜,Ar^+离子注入剂量为1.2×10^(16)—1.4×10^(17)Ar^+/cm^2。用2.0MeVa粒子对注入前后的样品进行了背散射(RBS)分析。发现铝谱前沿和钛谱后沿有明显的展宽,且随剂量的增大而加宽,Ti:Al界面原子混合扩展量的平方(σ~2)与注入剂量(φ)成线性关系;在相同注入条件下,σ~2随钛膜厚度的变化有一定的规律;界面的氧化层对原子混合有一定影响;用蒙特卡罗法进行了模拟计算,并对实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 离子束 混合 ti:al薄膜
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