Ti：LiNdO3波导的折射率计算与测量

Ti：LiNdO3光波导器件在光纤通信、光纤传感、信息光学以及非线性光学领域有着重要而广泛的应用。可调谐滤波器是下一代光通信网络中重要的器件，可用来构成动态的OADM，集成光波导声光可调谐滤波器（IAOTF）是实现此种功能的最具潜力的器件之一。该器件需要在X切Y传的Ti：LiNdO3晶片上采用Ti扩散技术完成。对于可调谐滤波器的设计而言，具有低损耗、单模传输、高质量的光波导是非常重要的。因此必须研究扩散波导的折射率分布以及它与波导参数之间的关系。现有文献多只给出Z切LiNdO3波导的折射率在不同扩散参数下的分布。而对X切Y传的LiNdO3波导折射率未作讨论。在其他扩散条件都一定条件下，可以认为不同切向下扩散波导折射率变化。只是由于不同切向下扩散常数不同造成的，所以本文提出用Z切下折射率分布修正X切下的折射率。本文通过两种不同的方法分别计算了X切Ti：LiNdO3波导折射率随扩散条件的变化规律。从计算的结果可以验证Z切下折射率分布修正X切下的折射率的方法是可行的。其中方法二还可以计算扩散波导的有效折射率。并用棱镜耦合方法测量有效折射率，通过有效折射率计算出折射率差。并对两种方法得到的结果进行了分析比较。

Ti：LiNdO3波导折射率的测量和在各个波长折射率的计算

钛扩散铌酸锂光波导是应用很广的一种光波导器件，知道铌酸锂扩散波导的有效折射率和扩散后表面折射率对于进一步设计波导和分析波导特性很有意义。本文用在0.6328μm可见光下测量波导的有效折射率，利用色散方程推导出铌酸锂波导在其它各个波长的折射率。介绍了通过z切的折射率修正到x切向下的折射率的方法，该方法可以推广到任意切向。此外，还给出了计算波导表面折射率方法，即可以计算出波导扩散后形成的最大折射率差。文中给出了在1.55μm下x切y传铌酸锂波导有效折射率的计算实例。

Ti:LiNbO_3光波导在中红外波段的有效折射率研究

应用变分法修正计算表面折射率增量的计算公式 ,并计算Z切Ti:LiNbO3光波导在中红外波长 3 .0、3 .3 9μm导模的有效折射率 ,给出了单模、截止、多模的制备参数。

两钛膜非对称Ti:LiNbO_3光波导的干涉

一、引言两相距很近(数微米)且相互平行的光波导,通过光学隧道现象实现能量的耦合,可应用于功率分割、偏振选择、调制、滤波等方面。以铌酸锂(LiNbO_3)为衬底的器件可广泛应用于光纤通信、光信息处理和光测量等领域。

质子交换LiNbO_(3)光波导

本文全面系统地综述了质子交换LiNbO3光波导的机理、结构特征和光学性质。描述了掺杂LiNbO3质子交换波导的特征 。

质子交换LiNbO_3光波导路和Ti扩散LiNbO_3光波导的光感应折射率变化的比较

Ti扩散LiNbO3光波导和质子交换光波导路是以各种光器件制作为基础制成的光波导路。不过，在这些光波导路中，特别是在短波长区域，发生折射率随光的入射而变化的光感应折射率变化，这是其实用化的最大障碍。

Ti:LiNbO_3光波导移频器的研究

本文以电光效应光波导移频器的研制为目的,分析了该器件原理,在综合考虑光波导和电极的情况下,求解移频器耦合波方程,由此对移频效率及边频抑制等问题进行讨论并进行最佳设计。用 T_i 内扩散工艺制做了器件,并对其移频性能进行了测量。

H∶LiNbO_3光波导

铌酸锂晶体具有良好的光声和电光性质,因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们的广泛关注。质子交换法是一种制备铌酸锂光波导的重要方法。质子交换铌酸锂光波导具有制作工艺简单,折射率增量大,抗光折变能力强及可实现单偏振激励等特点。本文对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了讨论,并指出目前应加强质子交换光波导、质子交换生长动力学和交换工艺的研究。

Ti/Mg双扩散LiNbO_3波导折射率分布研究

从理论上探讨了 Ti/Mg 双扩散 LiNbO_3波导的折射率分布变化,并对制成的该种波导样品进行测定.实验已证实:双扩散波导与光纤的耦合性能较佳.

极化子荧光及其断层扫描对Ti:LiNbO_3光波导表征研究

小极化子(NbL4i+)荧光处于700—950nm谱段,对不同化学还原程度同组分的纯铌酸锂晶体的研究表明荧光的强度反映了化学还原程度的强弱.从小极化子浅层能级出发,提出以“1中心3级态跃迁”来描述小极化子的受激荧光过程.钛扩散铌酸锂光波导(Ti:LiNbO3)表面还原程度的均匀性可能在波导制造的热扩散过程中被破坏.在对铌酸锂波导表面、深部的扫描结果中,荧光的强度呈现出表面与深部、波导内与外的差异,表面的强度是深部的6—8倍.研究表明,利用非损伤性的极化子荧光谱,对加工过程热处理进行检控是非常有效的.同时,波导内与外的荧光强度差异间接反映了波导的横切面的外形.

3G背景下PCB行业技术发展方向

目前我国PCB产业虽然产量及产值已列全球同行业第一,但技术水平与世界先进水平差距很大,3G时代的来临在给PCB行业带来巨大机遇的同时也对PCB制造技术提出了更高要求,本文综述了PCB行业为应对3G需求而采取的各种措施,从产品结构、制作工艺、基材材料、埋入式元器件、散热设计、光波导等方面分析了3G发展对PCB技术的影响。

基于LED泵浦的掺铕聚合物光波导放大器

将铕配合物Eu(DBM)3Phen掺杂在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中作为有源材料,分别采用铝掩膜结合电感耦合等离子体(ICP)刻蚀、一步光刻法制备了脊型和倏逝场型两种掺铕聚合物光波导放大器。采用405 nm蓝紫发光二极管(LED)泵浦,在653 nm波长处分别实现了1.9 dB/cm和1.5 dB/cm的相对增益。对掺杂Eu(DBM)3Phen的PMMA薄膜的紫外吸收、荧光发射以及荧光寿命进行了测量表征。结果表明,有机配体的分子内能量传递作用在LED泵浦下可以实现稀土铕离子由5D0能级到7F3能级的跃迁。

基于铒镱共掺纳米晶的聚合物光波导放大器的增益特性

通过理论模拟和计算对基于氟钇钠(Na YF4)∶镱(Yb^(3+)),铒(Er^(3+))纳米晶的聚合物光波导放大器在1.55 mm处的增益特性进行了研究。分析中采用的波导芯层为Na YF4∶18%Yb^(3+),10%Er^(3+)纳米晶掺杂的SU-8 2005聚合物,包层为P(MMAGMA)聚合物。通过测试和分析纳米晶材料的吸收光谱和荧光光谱,利用Judd-Ofelt理论计算出了相应的Judd-Ofelt参数:Ω2=6.302×10-20cm2,Ω4=0.69×10-20cm2,Ω6=7.572×10-20cm2。通过求解原子速率方程与光功率传输方程模拟分析了波导放大器在1.55μm波长的增益特性,得到的增益曲线具有饱和效应,当Er^(3+)离子浓度为7.5×1025m-3时获得的最大增益为9.7 d B。以Si O2作为下包层,Na YF4∶Yb^(3+),Er^(3+)纳米晶掺杂的SU-8 2005聚合物作为芯层,P(MMA-GMA)聚合物作为上包层,制备了聚合物光波导放大器,当波长为980 nm的抽运光功率为170 m W、信号光功率为0.1 m W时,器件获得的最大相对增益为3.42 d B/cm。

纳米颗粒与铒共掺平面光波导制备的关键技术研究

集成光学器件在光连接、光耦合等方面比光纤更有优势，除微光路结构外，器件功能取决于少量掺杂的光功能物质。Er^3＋在约1．55μm波长的光通信系统（如DWDM）中起到关键作用，

LiNbO3波导相位调制器

利用LiNbO4晶体的线性电光效应或声光效应，通过外加激励引起光波导介质折射率变化，进而引起导波光传播的相位变化，所形成的器件称为LiNbO3波导相位调制器。