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Ti基板上磷酸钙薄膜的电沉积
被引量:
1
1
作者
刘斯倩
林军
+4 位作者
陈钰娟
邱静
翁文剑
程逵
宋晨路
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第S2期262-265,共4页
主要研究电沉积条件如何影响沉积产物磷酸钙涂层的晶相。实验采用金属Ti作为基板,电解液为Ca(NO3)2(45mmol/L)与NH4H2PO4(25mmol/L)的稀混合液,通过改变沉积温度、沉积时间、电解液的pH值等参数,利用XRD、SEM表征沉积产物。结果显示:温...
主要研究电沉积条件如何影响沉积产物磷酸钙涂层的晶相。实验采用金属Ti作为基板,电解液为Ca(NO3)2(45mmol/L)与NH4H2PO4(25mmol/L)的稀混合液,通过改变沉积温度、沉积时间、电解液的pH值等参数,利用XRD、SEM表征沉积产物。结果显示:温度对晶相转变的影响最大,37℃时获得的晶相只有DCPD(CaHPO4·2H2O),当沉积温度升高到60℃时,HAP(Ca10(PO4)(OH)2)相含量增加。沉积时间对沉积产物的晶相类型没有影响。随着pH值的升高,DCPD和OCP(Ca8(HPO4)2(PO4)4·5H2O)相含量均在增加,证明高pH值不仅能影响晶相生长,而且能诱导晶相转变。SEM结果表明,在3V的沉积电压下,都能够得到厚度均匀的沉积涂层,但是以45℃为沉积温度并沉积15min时,Ti基板上得到的磷酸钙盐涂层最均匀,并且得到的HA前躯体比较有利于实验后处理,以得到质量较好的HA涂层。
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关键词
磷酸钙
晶相
薄膜
电沉积
ti基板
原文传递
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
2
作者
温锦生
刘超
+1 位作者
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0...
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
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关键词
分电极酸性化学镀
Cu
基
板
ti
N/
ti
/SiO2/Si
基
板
集成电路
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职称材料
题名
Ti基板上磷酸钙薄膜的电沉积
被引量:
1
1
作者
刘斯倩
林军
陈钰娟
邱静
翁文剑
程逵
宋晨路
机构
浙江大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第S2期262-265,共4页
基金
国家自然科学基金(50872122)
江苏省无机及其复合新材料重点实验室开放基金
文摘
主要研究电沉积条件如何影响沉积产物磷酸钙涂层的晶相。实验采用金属Ti作为基板,电解液为Ca(NO3)2(45mmol/L)与NH4H2PO4(25mmol/L)的稀混合液,通过改变沉积温度、沉积时间、电解液的pH值等参数,利用XRD、SEM表征沉积产物。结果显示:温度对晶相转变的影响最大,37℃时获得的晶相只有DCPD(CaHPO4·2H2O),当沉积温度升高到60℃时,HAP(Ca10(PO4)(OH)2)相含量增加。沉积时间对沉积产物的晶相类型没有影响。随着pH值的升高,DCPD和OCP(Ca8(HPO4)2(PO4)4·5H2O)相含量均在增加,证明高pH值不仅能影响晶相生长,而且能诱导晶相转变。SEM结果表明,在3V的沉积电压下,都能够得到厚度均匀的沉积涂层,但是以45℃为沉积温度并沉积15min时,Ti基板上得到的磷酸钙盐涂层最均匀,并且得到的HA前躯体比较有利于实验后处理,以得到质量较好的HA涂层。
关键词
磷酸钙
晶相
薄膜
电沉积
ti基板
Keywords
calcium phosphate
phase
coa
ti
ng
electroly
ti
c deposi
ti
on
ti
substrate
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
2
作者
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
机构
清华大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
文摘
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
关键词
分电极酸性化学镀
Cu
基
板
ti
N/
ti
/SiO2/Si
基
板
集成电路
Keywords
acid-based chemical pla
ti
ng
Cu substrate
ti
Ni/
ti
/SiO2/Si substrate
IC
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti基板上磷酸钙薄膜的电沉积
刘斯倩
林军
陈钰娟
邱静
翁文剑
程逵
宋晨路
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
原文传递
2
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
已选择
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