AlN陶瓷的Ti-Ag-Cu活性封接工艺

在AlN陶瓷的Ti Ag Cu活性封接工艺中 ,研究Ti的引入方式对其与金属封接抗拉强度的影响。其中Ti以四种不同方式引入 :涂Ti粉、夹Ti箔、直接使用Ti Ag

AlN与Mo-Ni-Cu活性封接的微观结构和性能分析

AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示:在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良:气密性达到1.0×10-11Pa.m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.

陶瓷与金属的活性封接

对陶瓷与金属Ti Ag Cu活性法出现的Ti Ag Cu活性合金焊料在不同金属表面的流散性进行了分析 ,解释了用Ti Ag Cu活性合金焊料焊接陶瓷和金属时不能达到真空气密的原因 ;同时 。