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电弧复合磁控溅射结合热退火制备Ti_2AlC涂层
被引量:
6
1
作者
李文涛
王振玉
+3 位作者
张栋
潘建国
柯培玲
汪爱英
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期647-656,共10页
利用电弧复合磁控溅射技术制备不同Ti/Al比的Ti-Al-C涂层,结合后续的退火处理制备Ti_2AlC相涂层。利用SEM、EDS、XRD、Raman光谱仪和TEM等研究了Ti/Al比及退火温度对退火后Ti-Al-C涂层的相和微观结构的影响。结果表明,Ti-Al-C沉积态涂...
利用电弧复合磁控溅射技术制备不同Ti/Al比的Ti-Al-C涂层,结合后续的退火处理制备Ti_2AlC相涂层。利用SEM、EDS、XRD、Raman光谱仪和TEM等研究了Ti/Al比及退火温度对退火后Ti-Al-C涂层的相和微观结构的影响。结果表明,Ti-Al-C沉积态涂层为富Al层和TiCx层交替堆垛的多层结构,涂层表面大颗粒较少且结构致密。Ti/Al比对退火后涂层中的相结构有重要的影响:当Ti/Al比为2.04时,退火后涂层中Ti_2AlC的纯度和结晶度最高;Ti/Al比过高(3.06)时,退火后涂层中形成TiC和Ti_3AlC杂质相,而低Ti/Al比(0.54)则大幅度降低Ti_2AlC相的纯度和结晶度。同时,退火温度很大程度影响Ti_2AlC相的形成,当沉积态涂层中Ti/Al比为2.38时,Ti_2AlC相涂层形成的最佳退火温度为750℃,偏低的退火温度(600℃)下,原子不能充分扩散,难以形成211结构的Ti_2AlC相,而退火温度过高时(900℃)涂层中存在较多的TiC、TiAlx等杂质相。
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关键词
电磁复合磁控溅射
TI2ALC
ti-al-c涂层
Ti/Al比
退火温度
原文传递
题名
电弧复合磁控溅射结合热退火制备Ti_2AlC涂层
被引量:
6
1
作者
李文涛
王振玉
张栋
潘建国
柯培玲
汪爱英
机构
宁波大学材料科学与化学工程学院
中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期647-656,共10页
基金
国家重大科技专项项目No.2015ZX06004-001
中国博士后基金项目No.2018M632513
+1 种基金
浙江省自然科学基金项目No.LQ19E01002
宁波市工业重点攻关项目No.2017B10042~~
文摘
利用电弧复合磁控溅射技术制备不同Ti/Al比的Ti-Al-C涂层,结合后续的退火处理制备Ti_2AlC相涂层。利用SEM、EDS、XRD、Raman光谱仪和TEM等研究了Ti/Al比及退火温度对退火后Ti-Al-C涂层的相和微观结构的影响。结果表明,Ti-Al-C沉积态涂层为富Al层和TiCx层交替堆垛的多层结构,涂层表面大颗粒较少且结构致密。Ti/Al比对退火后涂层中的相结构有重要的影响:当Ti/Al比为2.04时,退火后涂层中Ti_2AlC的纯度和结晶度最高;Ti/Al比过高(3.06)时,退火后涂层中形成TiC和Ti_3AlC杂质相,而低Ti/Al比(0.54)则大幅度降低Ti_2AlC相的纯度和结晶度。同时,退火温度很大程度影响Ti_2AlC相的形成,当沉积态涂层中Ti/Al比为2.38时,Ti_2AlC相涂层形成的最佳退火温度为750℃,偏低的退火温度(600℃)下,原子不能充分扩散,难以形成211结构的Ti_2AlC相,而退火温度过高时(900℃)涂层中存在较多的TiC、TiAlx等杂质相。
关键词
电磁复合磁控溅射
TI2ALC
ti-al-c涂层
Ti/Al比
退火温度
Keywords
hybrid cathode arc/magnetron sputtering
Ti2AlC
ti-al-c
coating
Ti/Al ratio
annealing temperature
分类号
TB37 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电弧复合磁控溅射结合热退火制备Ti_2AlC涂层
李文涛
王振玉
张栋
潘建国
柯培玲
汪爱英
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
原文传递
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