冲击温度、压力对Ti-Si活性粉体自蔓延反应的影响

为解决在冲击加载条件下,冲击温度和冲击压力对Ti-Si活性粉体发生自蔓延反应影响的问题.一方面,采用相同强度的平面加载方式对不同密实度样品进行冲击处理,另一方面,采用不同强度的柱面加载方式对相同密实度样品进行冲击处理,分别研究冲击温度和冲击压力对Ti-Si活性粉体发生自蔓延反应的影响.采用XRD和SEM进一步确定Ti-Si活性粉体发生自蔓延反应的情况.实验结果表明,在平面加载条件下,较低密实度样品会发生自蔓延反应,即冲击温度较高有利于反应完全进行;在柱面加载条件下,较高密实度样品会发生自蔓延反应,即冲击压力较高有利于反应完全进行.