期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
渗硼镀膜法制备TiBN薄膜的电子导电性及其潜在应用前景
1
作者
胡建东
S.TOSTO
+1 位作者
程春明
王红海
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期55-60,共6页
报道一种新的TiBN薄膜制备方法和薄膜的导电性,该方法是以B_4C,SiC和KBF_4作为固体渗硼剂,钛粉末材料作为Ti源,采用低成本固体渗硼法(以下简称渗硼镀膜法)制备成TiBN薄膜。对该薄膜的电阻率进行了系统检测,发现薄膜具有优良的电子导电性...
报道一种新的TiBN薄膜制备方法和薄膜的导电性,该方法是以B_4C,SiC和KBF_4作为固体渗硼剂,钛粉末材料作为Ti源,采用低成本固体渗硼法(以下简称渗硼镀膜法)制备成TiBN薄膜。对该薄膜的电阻率进行了系统检测,发现薄膜具有优良的电子导电性,电阻率达到0.495×10^(-7)Ω·m,最好电阻率数值达到0.0778×10^(-7)Ω·m,优于用PVD方法在同样基体上制备的TiN薄膜的电阻率(82.7×10^(-7)Ω·m);优于Cu的电阻率(0.168×10^(-7)Ω·m);优于石墨的电阻率(平行于石墨层的(25~50)×10^(-7)Ω·m和垂直于石墨层的30000×10^(-7)Ω·m);优于无定型碳的电阻率((5000.0~8000.0)×10^(-7)Ω·m)。经300,400,500和600℃,5 h氧化处理的TiBN薄膜仍然保持良好的导电性(600℃时电阻率为0.641×10^(-7)Ω·m)。TiBN薄膜厚度为微米级,颗粒尺寸为纳米级,可用于制备新型、高效微电子器件、储能器电极、隔离体、集电体,在电子元件和储能器领域有潜在的应用前景。
展开更多
关键词
tibn
薄膜
固体渗硼剂
渗硼镀膜法
电阻率
导电性
储能装置
下载PDF
职称材料
立方型Ti-B-N的光学性质的计算
被引量:
3
2
作者
牛建钢
赵五洲
+2 位作者
高巍
王翠表
孙维连
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期398-402,共5页
立方型TiBN材料的光学性质对于深刻理解TiBN薄膜材料的光学性质,以及监测和控制TiBN薄膜材料的生长过程起着重要作用。使用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了立方型TiBN的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电常数、吸...
立方型TiBN材料的光学性质对于深刻理解TiBN薄膜材料的光学性质,以及监测和控制TiBN薄膜材料的生长过程起着重要作用。使用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了立方型TiBN的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电常数、吸收系数、反射力、折射系数、消光系数等计算结果,并对计算结果作了分析。态密度图显示,存在源于B的2p态的态密度峰,分析认为这对立方型TiBN的光学吸收造成了明显影响。同时还计算了立方型TiBN的色度坐标,并根据计算结果对工艺参量与TiBN薄膜材料色度坐标之间的联系作出了分析。
展开更多
关键词
薄膜光学
tibn
光学性质
第一性原理
原文传递
题名
渗硼镀膜法制备TiBN薄膜的电子导电性及其潜在应用前景
1
作者
胡建东
S.TOSTO
程春明
王红海
机构
吉林大学材料科学与工程学院
欧洲核能开发署
江西嘉陶无机材料有限公司
苏州均海镀膜科技有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期55-60,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(51172088)
文摘
报道一种新的TiBN薄膜制备方法和薄膜的导电性,该方法是以B_4C,SiC和KBF_4作为固体渗硼剂,钛粉末材料作为Ti源,采用低成本固体渗硼法(以下简称渗硼镀膜法)制备成TiBN薄膜。对该薄膜的电阻率进行了系统检测,发现薄膜具有优良的电子导电性,电阻率达到0.495×10^(-7)Ω·m,最好电阻率数值达到0.0778×10^(-7)Ω·m,优于用PVD方法在同样基体上制备的TiN薄膜的电阻率(82.7×10^(-7)Ω·m);优于Cu的电阻率(0.168×10^(-7)Ω·m);优于石墨的电阻率(平行于石墨层的(25~50)×10^(-7)Ω·m和垂直于石墨层的30000×10^(-7)Ω·m);优于无定型碳的电阻率((5000.0~8000.0)×10^(-7)Ω·m)。经300,400,500和600℃,5 h氧化处理的TiBN薄膜仍然保持良好的导电性(600℃时电阻率为0.641×10^(-7)Ω·m)。TiBN薄膜厚度为微米级,颗粒尺寸为纳米级,可用于制备新型、高效微电子器件、储能器电极、隔离体、集电体,在电子元件和储能器领域有潜在的应用前景。
关键词
tibn
薄膜
固体渗硼剂
渗硼镀膜法
电阻率
导电性
储能装置
Keywords
tibn film
solid boronizing agent
boronizing deposition method
electrical resistivity
conductivity
energystore device
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
立方型Ti-B-N的光学性质的计算
被引量:
3
2
作者
牛建钢
赵五洲
高巍
王翠表
孙维连
机构
河北大学质量技术监督学院
河北农业大学机电工程学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期398-402,共5页
文摘
立方型TiBN材料的光学性质对于深刻理解TiBN薄膜材料的光学性质,以及监测和控制TiBN薄膜材料的生长过程起着重要作用。使用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了立方型TiBN的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电常数、吸收系数、反射力、折射系数、消光系数等计算结果,并对计算结果作了分析。态密度图显示,存在源于B的2p态的态密度峰,分析认为这对立方型TiBN的光学吸收造成了明显影响。同时还计算了立方型TiBN的色度坐标,并根据计算结果对工艺参量与TiBN薄膜材料色度坐标之间的联系作出了分析。
关键词
薄膜光学
tibn
光学性质
第一性原理
Keywords
thin
film
optics
tibn
optical properties
first principle
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
渗硼镀膜法制备TiBN薄膜的电子导电性及其潜在应用前景
胡建东
S.TOSTO
程春明
王红海
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
2
立方型Ti-B-N的光学性质的计算
牛建钢
赵五洲
高巍
王翠表
孙维连
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部