期刊文献+
共找到40篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
质子入射Al_(x)Ga_(1-x)N材料的位移损伤模拟
1
作者 何欢 白雨蓉 +5 位作者 田赏 刘方 臧航 柳文波 李培 贺朝会 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期92-99,共8页
氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文... 氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV-300 MeV质子在不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料中的位移损伤机理.结果表明质子在Al_(x)Ga_(1-x)N材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同Al_(x)Ga_(1-x)N材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能量沉积在径迹前端均匀分布,径迹末端减小,并且低能质子主要是通过弹性碰撞造成非电离能量沉积,而高能质子恰好相反.本研究揭示了不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料质子位移损伤机理,为GaN器件在空间辐射环境下的应用提供参考依据. 展开更多
关键词 Al_(x)Ga_(1-x)n
下载PDF
Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)纳米结构制备及光谱特性研究
2
作者 王浩 孙乃坤 +5 位作者 庞超 王志帅 陈上峰 李武 田辉 岱钦 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1934-1939,共6页
Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)P_(2)具有相同的伪立方晶格结构,它们具有较高的电子迁移率、较窄的直接带隙和良好的空气稳定性,在光电器件领域呈现出广泛的应用前景。目前关于Zn_(3)As2-Zn_(3)P_(2)固溶体纳米结构的研究相对较少,采用高气压烧... Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)P_(2)具有相同的伪立方晶格结构,它们具有较高的电子迁移率、较窄的直接带隙和良好的空气稳定性,在光电器件领域呈现出广泛的应用前景。目前关于Zn_(3)As2-Zn_(3)P_(2)固溶体纳米结构的研究相对较少,采用高气压烧结技术得到Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)(x=0、0.05、0.1)母合金,再利用化学气相沉积方法合成出多种形态的Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)纳米结构,包括宏观尺寸的纳米带(长度3~10 mm;宽度1~4 mm;厚度约20μm)、纳米帆、纳米棒及纳米银簪等。系统的研究了P掺杂对相组成、元素含量、微结构以及光谱特性的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)宏观纳米带样品的主相为α′相,随着P掺杂含量的增加,(224)衍射峰向右发生偏移,表明晶格常数减小。电子能谱分析显示P理论值(光致发光光谱)掺杂含量值x=0.05和x=0.1的Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2)母合金纳米带中P的实际含量分别为x=0.026及x=0.062。微结构分析表明,Zn_(3)As_(2)宏观纳米带的生长模式为沿〈221〉晶面菱形层状生长,P掺杂使纳米带的宏观尺寸减小,生长模式由菱形层状生长转变为纳米颗粒堆积层状生长。纳米带样品的拉曼光谱在79、97、198、320、428和1107 cm^(-1)出现特征峰,P掺杂导致拉曼光谱中1107 cm^(-1)特征峰发生蓝移,傅里叶红外光谱(FTIR)中1101和1599 cm^(-1)特征峰与PL谱中的300、422和635 nm特征峰也发生蓝移。Zn_(3)As_(2)与Zn_(3)(As_(0.974)P_(0.026))_(2)纳米带光电流与电压的线性关系良好,存在较好的欧姆特性,P掺杂后的Zn_(3)(As_(0.974)P_(0.026))2纳米带在900 nm条件下的光响应最为敏感。 展开更多
关键词 Zn_(3)(As_(1-x)P_(x))_(2) Zn_(3)As_(2)
下载PDF
具有Ruddlesden-Popper结构的杂化非本征铁电体(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)陶瓷的制备及其物理性能
3
作者 MARCO Antonio López-Aguila 柳志旭 +2 位作者 王守宇 黄聪 刘卫芳 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期19-25,共7页
为探究稀土离子掺杂对Ca_(3)Ti_(2)O_(7)物理性能的调控,采用固相反应法制备了Sm^(3+)掺杂的(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,通过XRD、XPS、紫外-可见光吸收光谱以及第一性原理计算等方法对样品的晶体结构、... 为探究稀土离子掺杂对Ca_(3)Ti_(2)O_(7)物理性能的调控,采用固相反应法制备了Sm^(3+)掺杂的(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,通过XRD、XPS、紫外-可见光吸收光谱以及第一性原理计算等方法对样品的晶体结构、光学性能、电学性能和磁学性能进行分析.结果表明:随着Sm^(3+)含量的增加,(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)的晶胞参数逐渐增大.Sm^(3+)掺杂导致氧空位减少,因此样品的漏电流随着Sm^(3+)掺杂量的增加而减小.同时,随着Sm^(3+)掺杂量的增加,样品的光学带隙呈现增大趋势.此外,第一性原理研究表明,Sm^(3+)掺杂可在体系中诱导出磁性能,进一步丰富了该材料的物理性能. 展开更多
关键词 (Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)陶瓷
下载PDF
固态电解质Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)中Li+的迁移特性
4
作者 李梅 钟淑英 +2 位作者 胡军平 孙宝珍 徐波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期356-366,共11页
Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)是一种颇具前景的NASICON型锂离子固态电解质.本文通过第一性原理计算研究了不同Al掺杂浓度(x=0.00,0.16,0.33,0.50)对LATP的结构特性、电学特性以及Li^(+)迁移特性的影响.结果表明,Al能够稳... Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)是一种颇具前景的NASICON型锂离子固态电解质.本文通过第一性原理计算研究了不同Al掺杂浓度(x=0.00,0.16,0.33,0.50)对LATP的结构特性、电学特性以及Li^(+)迁移特性的影响.结果表明,Al能够稳定掺杂进入LiTi2(PO4)3(LTP)的晶体结构当中.当Al掺杂浓度x=0.16时,Li—O键的平均键长最长,成键强度最弱,而Ti—O键强度随Al掺杂浓度变化不大.Al掺杂浓度对LATP带隙的影响不大,但Al附近的O原子聚集了更多的负电荷,形成AlO6极化中心.Li^(+)不同的迁移方式(空位迁移、间隙位迁移和协同迁移)在Al掺杂浓度不同时展现出复杂的能垒变化,Li^(+)在空位迁移中迁移势垒随Al掺杂浓度的增大而升高,而在间隙位迁移中Li^(+)的迁移势垒变化相反,由于协同迁移中涉及空位和间隙位两种位点,Li^(+)的迁移势垒表现为随Al掺杂浓度的升高先降低后升高的复杂变化.当x=0.50时,LATP具有最低的Li^(+)迁移势垒0.342 eV,这个势垒值是间隙位迁移的结果.因此,通过改变Al掺杂浓度,可改变间隙Li^(+)浓度及迁移通道结构,进而调节Li^(+)的迁移性能,提高LATP中的Li^(+)导电性能. 展开更多
关键词 Li^(%PLUS%) AL Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3) Li^(%PLUS%)
下载PDF
Al纳米孔阵列/(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜中的紫外波段超常透射
5
作者 朱文慧 冯磊 +1 位作者 张克雄 朱俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期156-164,共9页
采用有限差分时域算法计算(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜衬底上的周期性三角晶格Al纳米孔阵列的透过率,研究不同(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)衬底的Al组分x以及Al纳米孔阵列的厚度、孔径和周期对其光学传输特性的影响.数值计算结果表明,... 采用有限差分时域算法计算(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜衬底上的周期性三角晶格Al纳米孔阵列的透过率,研究不同(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)衬底的Al组分x以及Al纳米孔阵列的厚度、孔径和周期对其光学传输特性的影响.数值计算结果表明,当x=0时,在263 nm和358 nm波长范围处出现两个强透射峰,随着x的增大,其中位于263 nm处的透射峰发生轻微蓝移,强度则先增强后下降;358 nm处的透射峰发生明显蓝移且不断加强.若纳米孔阵列的周期不变,随着空气柱孔径增大时,紫外波段两强透射峰峰值位置分别位于244 nm和347 nm处,两峰均先发生红移再蓝移,透过率不断增大,反射率减小.随着周期扩大,紫外波段两强透射峰分别位于249 nm和336 nm处,两透射峰均发生明显红移,其中249 nm处的透射峰红移至304 nm,336 nm处的透射峰红移至417 nm,并且透过率不断降低.随着Al厚度的增大,位于380 nm处的透射峰峰值位置发生蓝移,且透过率不断下降.本文数据集可在https://doi.org/10.57760/sciencedb.j00213.00036中访问获取. 展开更多
关键词 (Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) AL
下载PDF
高压下混合卤化物钙钛矿CsPb(I_(x)Br_(1-x))_(3)纳米晶在激光诱导下的相分离行为
6
作者 吴迪 李娜娜 +7 位作者 刘炳炎 关嘉怡 李明涛 闫立敏 王碧涵 董洪亮 毛禺鈜 杨文革 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期96-103,共8页
混合卤化物类钙钛矿具有多种优异的光电特性,如随卤素成分变化而大范围可调的带隙、高荧光量子产率等,是制备太阳能电池和发光二极管等光电材料的理想候选材料。然而,混合卤化物钙钛矿的稳定性较差,如在强光照条件下会发生相分离,这种... 混合卤化物类钙钛矿具有多种优异的光电特性,如随卤素成分变化而大范围可调的带隙、高荧光量子产率等,是制备太阳能电池和发光二极管等光电材料的理想候选材料。然而,混合卤化物钙钛矿的稳定性较差,如在强光照条件下会发生相分离,这种不稳定性阻碍了它们在光电领域的广泛应用,因此,研究其相分离的内在机理和控制方法对于改善其特性以实现实际应用至关重要。针对强激光照射下具有不同组分的CsPb(I_(x)Br_(1-x))_(3)纳米晶,系统研究了其激光诱导相分离随压强的变化,发现不同I/Br比例的CsPb(I_(x)Br_(1-x))_(3)纳米晶具有不同的激光诱导相分离特征:x<0.1的富溴样品随着激光照射而迅速产生CsPbBr3纯相,并实现较大的荧光量子产率增益;0.10.9低溴含量样品则只产生荧光峰宽化,并伴随荧光强度的快速降低。将CsPb(I_(x)Br_(1-x))_(3)纳米晶置于准静水压强环境中,观察到富溴样品和较多溴含量样品中的相分离随着压强的升高而迅速减缓,并在约0.1 GPa的较低压强下被极大程度地抑制,而低溴含量样品的相分离则随压强上升而增强。这些发现为理解和克服相关光电材料在强光工作环境中的应用问题提供了一种有效的解决途径。 展开更多
关键词 CsPb(I_(x)Br_(1-x))_(3)相分离
下载PDF
TiC_(1-x)N_x固溶体的价电子结构及其性能研究 被引量:7
7
作者 章桥新 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2000年第4期28-30,38,共4页
根据固体与分子经验电子理论 ,对TiC1-xNx 固溶体的价电子结构进行分析 ,结果表明 :固溶体中最强键上的共价电子数nA 随x的增加而减少 ,硬度随x的增加而降低的实质是nA 的减少。并从电子结构层次上证实在TiN中以C原子取代部分N原子可以... 根据固体与分子经验电子理论 ,对TiC1-xNx 固溶体的价电子结构进行分析 ,结果表明 :固溶体中最强键上的共价电子数nA 随x的增加而减少 ,硬度随x的增加而降低的实质是nA 的减少。并从电子结构层次上证实在TiN中以C原子取代部分N原子可以提高其稳定性。 展开更多
关键词
下载PDF
Al_(x)Ga_(1-x)N氮化物结构和热力学性质的第一性原理研究 被引量:1
8
作者 李鹏涛 王鑫 +1 位作者 罗贤 陈建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第12期2212-2218,共7页
为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-... 为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-x)N的晶格常数、平均键长和晶格热容值随Al组分值x(原子数分数)增大而线性减小。热力学性质计算结果表明,在GaN中引入Al组分会在频率带隙中引入杂质模,随着Al组分浓度的增加杂质模变宽并进入低频段,在低频段顶部频率随Al组分增大而线性升高,在12.5%以上低频段顶部频率均大于(1/2)A1(LO)。温度从300 K到700 K变化时,合金热容随温度变化关系结果证明,在确定温度时,Al_(x)Ga_(1-x)N合金热容随Al组分增大而线性减小。本文的研究为以Al_(x)Ga_(1-x)N为代表的Ⅲ族氮化物半导体高功率器件设计提供了一定的设计参考。 展开更多
关键词 Al_(x)Ga_(1-x)n
下载PDF
拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜制备及其电输运性能研究
9
作者 张哲瑞 仇怀利 +3 位作者 周同 黄文宇 葛威锋 杨远俊 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第11期1580-1584,共5页
文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)法,在超高真空的条件下,于蓝宝石衬底上制备超薄的高质量拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用反射高能电子衍射(reflection high-energy electron diffraction, RHEED)仪、... 文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)法,在超高真空的条件下,于蓝宝石衬底上制备超薄的高质量拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用反射高能电子衍射(reflection high-energy electron diffraction, RHEED)仪、X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)仪、显微共焦激光拉曼光谱仪(micro confocal laser Raman spectrometer)和X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)仪对不同Sb掺杂量的样品进行表征,并获得最佳的制备参数。研究结果表明:衬底温度为460℃时Bi和Te的流量比为1∶16左右;在Sb温度为350、360、370、380℃时,可以制得高质量的(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用霍尔效应测量系统测量样品的电阻率、霍尔系数、迁移率和载流子浓度;测量结果表明,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜的载流子浓度和主要载流子类型随x的变化而发生相应的变化,并伴随着费米能级位置的调谐,随着x的增加,在x=0.53到x=0.68的掺杂过程中,费米能级从导带下移到带隙,最终进入价带,多数载流子类型也从自由电子转变成空穴,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)实现了从n型到p型的转化。 展开更多
关键词 (MBE) (Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜
下载PDF
基于智能感知的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性能研究
10
作者 王雪文 白海庭 +5 位作者 赵彦博 张圆梦 彭超 高洁 戴扬 赵武 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期191-197,共7页
基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器... 基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器件的研究热点。该文首先采用磁控溅射技术以金属In、金属Al和陶瓷Si 3N 4为靶材制备出Si掺杂和纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜。在衬底温度600℃、压强0.6pa、Ar∶N 2流量比为20∶10、金属铟靶材和铝靶材的溅射功率分别为70W和300W、氮化硅的靶材附加功率分别为0W,20W,40W和60W条件下制备出薄膜,研究了所制备薄膜的电性能、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱。测试结果表明:为氮化硅靶材附加40W功率时,掺杂Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的载流子浓度比纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜提高了两个数量级;硅掺杂的In_(x)Al_(1-x)N薄膜测得的拉曼光谱中,E2(HI)和Al(LO)模式峰都发生了右方移动,这表明了样品的缺陷增加,应力随之增强;PL光谱测试显示In_(x)Al_(1-x)N的发光峰较高,且薄膜随着Si含量的增加,可能导致薄膜缺陷增加。其次,研究了所制备薄膜的气体敏感性,测试表明,掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性优于纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜,且细颗粒的掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性高于大颗粒,证明小颗粒的表面活性大,易吸附气体使得响应灵敏度高,为气敏传感器的开发和信息领域的潜在应用打下基础。 展开更多
关键词 In_(x)Al_(1-x)n薄膜
下载PDF
高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜
11
作者 谭黎 张俊 +3 位作者 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页
β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。 展开更多
关键词 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) Ga_(2)O_(3) AL
下载PDF
Al质量分数对磁控溅射Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响 被引量:1
12
作者 张世玺 蔡海潮 +2 位作者 薛玉君 畅为航 田昌龄 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第4期1-6,M0002,共7页
针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜... 针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜的微观形貌、元素成分与晶体结构进行了表征。采用纳米压痕仪测试薄膜的硬度和弹性模量,用摩擦磨损试验机和白光干涉三维形貌仪测试薄膜的摩擦磨损性能。研究结果表明:随着Al质量分数在一定范围内的增加,薄膜从沿c-TiN(111)晶面生长逐渐转向h-AlN(200)晶面择优取向,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜疏松结构得到了改善,柱状结晶发生细化,表面形貌更加致密。同时,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜的硬度和弹性模量得到提高,磨损机理由严重的磨粒磨损、黏着磨损转变为轻微的磨粒磨损,平均体积磨损率降低。Ti_(0.67)Al_(0.33)N薄膜的综合性能最优,硬度和弹性模量分别为14.059 GPa和203.37 GPa,摩擦因数最低为0.182,平均体积磨损率为1.321×10^(-8)mm^(3)/(N·m),呈现出较好的摩擦学性能。 展开更多
关键词 Al Ti_(1-x)Al_(x)n薄膜
下载PDF
Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合催化剂的脱硝性能及抗硫活性
13
作者 谭义凤 张婷 +2 位作者 张云飞 孙琦 田蒙奎 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期56-61,共6页
采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂... 采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂的NH_(3)-SCR反应活性的影响。研究结果表明,Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)载体可促进活性组分CuO_(x)和FeO_(y)的相互作用。当Cu/Fe为3∶1时,在300℃下NO_(x)的转化率达到91.3%;向反应体系通入286 mg/m^(3) SO_(2)反应3 h后,NO_(x)的转化率仅下降2.6%。X射线光电子能谱(XPS)、程序升温还原(H_(2)-TPR)、程序升温脱附(NH_(3)-TPD和NO_(x)-TPD)的表征表明,CuO_(x)和FeO_(y)之间存在相互作用,与单一的Cu/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)和Fe/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)对比,复合催化剂表面吸附氧浓度相对增加15%~33%,总酸量增大56%,从而提高了催化剂脱硝活性。 展开更多
关键词 nH_(3)-SCR Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物 Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)复合脱硝催化剂
下载PDF
Magnetostriction and Acoustics Properties of Tb_(1-x)Dy_x (Fe_(1-y)Mn_y)_(1.95) Alloys and Their Application to Sonar Transducers
14
作者 杜挺 张洪平 朱厚卿 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第1期54-56,共3页
The magnetostriction and acoustics properties of Tb1-x xDyx (Fe1-yMny) 1.95 alloys and their application to sonar transducers were studied. The following results were obtained from experiments. When the applied magn... The magnetostriction and acoustics properties of Tb1-x xDyx (Fe1-yMny) 1.95 alloys and their application to sonar transducers were studied. The following results were obtained from experiments. When the applied magnetic field intensity is ≥ 800 kA·m-1, the magnetostrictive coefficients are (1300- 1800)× 10-6. The electromechanical coupling factors are 0.84-0.93, the sound velocities 2168-2856 m·s-1 and the Young's modulus (5.06- 7.26) ×10 N·m-2. A sonar transducer made of the alloy rod, which has a total length of 300 mm and a total weight of 2 kg, is characterized by 2.4 kHz specified resonant frequency, 1 kHz frequency band, 173 kB current response and 45% electroacoustic efficiency. 展开更多
关键词 rare earths Tb_(1-x)Dy_(x) (Fe_(1-y)Mn_(y))_(1.95) MAGnETOSTRICTIOn acoustics properties sonar transducer
下载PDF
Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)Nb_(2/3))_(x)O_(2)陶瓷的微波介电性能研究
15
作者 张文娟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期144-149,共6页
采用固相烧结法制备Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)Nb_(2/3))_(x)O_(2)(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.4,0.45,0.55)陶瓷,研究了(Co_(1/3)Nb_(2/3))^(4+)取代Ti^(4+)对陶瓷的物相、微观形貌和微波介电性能的影响。实验结果表明,当(... 采用固相烧结法制备Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)Nb_(2/3))_(x)O_(2)(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.4,0.45,0.55)陶瓷,研究了(Co_(1/3)Nb_(2/3))^(4+)取代Ti^(4+)对陶瓷的物相、微观形貌和微波介电性能的影响。实验结果表明,当(Co_(1/3)Nb_(2/3))^(4+)取代量x≤0.05时,Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)Nb_(2/3))_(x)O_(2)陶瓷表现出纯的金红石Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55)O_(2)相;当(Co_(1/3)Nb_(2/3))^(4+)取代量x>0.15时,有第二相ZnTiNb_(2)O_(8)和ZnNb_(2)O_(6)生成。陶瓷的Q×f值随x的增大而提高,介电常数(ε_(r))和谐振频率温度系数(τ_(f))则随ZnTiNb_(2)O_(8)和ZnNb_(2)O_(6)的增多而逐渐降低。当x=0.4时,Zn_(0.15)Nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)Nb_(2/3))_(x)O_(2)陶瓷在1075℃下烧结获得最佳的微波介电性能:ε_(r)=35.44,Q×f=25862 GHz(f=5.8 GHz),τ_(f)=5.2×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 Zn_(0.15)nb_(0.3)Ti_(0.55-x)(Co_(1/3)nb_(2/3))_(x)O_(2) LTCC
下载PDF
ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质研究
16
作者 白雅楠 吕燕伍 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期441-449,共9页
Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(A... Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)作为势垒层对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质的影响,首先介绍了ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的结构和性质,分析计算了由于ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的自发极化和压电极化所产生的极化面电荷密度,以及极化对2DEG浓度产生的影响,接着分析了在不同Al摩尔组分下,ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层厚度与合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射之间的关系。最后通过计算得出结论:界面粗糙度散射和极性光学声子散射对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的电子输运性质有重要影响,合金无序散射对异质结的输运性质影响较小;2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的电子迁移率强弱由ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层的厚度和Al摩尔组分共同决定。 展开更多
关键词 2DEG ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结
下载PDF
WO_(3)/CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)的制备及其光催化析氢性能的研究
17
作者 魏学刚 王梅 《青海师范大学学报(自然科学版)》 2022年第4期52-57,共6页
首先采用水热法合成了WO_(3)样品,其次利用水浴法在WO_(3)表面附着了CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)材料并构建了直接Z型WO_(3)/CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)光催化剂.实验结果表明,WO_(3)光激发的导带电子和CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)光激发价带的空穴在... 首先采用水热法合成了WO_(3)样品,其次利用水浴法在WO_(3)表面附着了CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)材料并构建了直接Z型WO_(3)/CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)光催化剂.实验结果表明,WO_(3)光激发的导带电子和CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)光激发价带的空穴在界面处发生了复合,使得WO_(3)价带的空穴和CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)导带的电子实现分离,从而有效地提高了WO_(3)/CdS_(x)(CO_(3))_(1-X)复合光催化剂的光催化H_(2)的析出效率. 展开更多
关键词 - H_(2) WO_(3)/CdS_(x)(CO_(3))_(1-x)
下载PDF
(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)色料的制备及其呈色特性研究
18
作者 章文杰 汪其堃 +5 位作者 程龙 陈仁华 刘华锋 张小珍 汪永清 常启兵 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期59-66,共8页
采用燃烧法制备了(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)系绿色色料,系统的研究了钡含量及煅烧温度对其呈色性能的影响。此外,(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)色料在陶瓷釉中的着色性能及机制也进行了深入探究。结果表明:钡的引入能够调节Cu_(... 采用燃烧法制备了(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)系绿色色料,系统的研究了钡含量及煅烧温度对其呈色性能的影响。此外,(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)色料在陶瓷釉中的着色性能及机制也进行了深入探究。结果表明:钡的引入能够调节Cu_(2)Y_(2)O_(5)色料的呈色性能。随着钡含量的增大,色料从深绿色逐渐转变为浅绿色,当x=0.1时,(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)色料的呈色性能最佳。物相分析表明,钡离子并未进入Cu_(2)Y_(2)O_(5)晶格,而是形成了Cu_(2)Y_(2)O_(5)/BaCuY_(2)O_(5)复相色料。(Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5)色料在陶瓷釉中的着色机理为离子着色,钡的引入同样有利于提升色料的着色性能。 展开更多
关键词 (Cu_(1-x)Ba_(x))_(2)Y_(2)O_(5) 绿
下载PDF
Al_(1-x)Sc_(x)Sb_(y)N_(1-y):An opportunity for ferroelectric semiconductor field effect transistor
19
作者 Shujin Guo Xianghua Kong Hong Guo 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第11期133-140,共8页
For the in-memory computation architecture,a ferroelectric semiconductor field-effect transistor(FeSFET)incorporates ferroelectric material into the FET channel to realize logic and memory in a single device.The emerg... For the in-memory computation architecture,a ferroelectric semiconductor field-effect transistor(FeSFET)incorporates ferroelectric material into the FET channel to realize logic and memory in a single device.The emerging groupⅢnitride material Al_(1-x)Sc_(x)N provides an excellent platform to explore FeSFET,as this material has significant electric polarization,ferroelectric switching,and high carrier mobility.However,steps need to be taken to reduce the large band gap of~5 eV of Al_(1-x)Sc_(x)N to improve its transport property for in-memory logic applications.By state-of-the-art first principles analysis,here we predict that alloying a relatively small amount(less than~5%)of Sb impurities into Al_(1-x)Sc_(x)N very effectively reduces the band gap while maintaining excellent ferroelectricity.We show that the co-doped Sb and Sc act cooperatively to give a significant band bowing leading to a small band gap of~1.76 eV and a large polarization parameter~0.87 C/m^(2),in the quaternary Al_(1-x)Sc_(x)Sb_(y)N_(1-y)compounds.The Sb impurity states become more continuous as a result of interactions with Sc and can be used for impurity-mediated transport.Based on the Landau-Khalatnikov model,the Landau parameters and the corresponding ferroelectric hysteresis loops are obtained for the quaternary compounds.These findings indicate that Al_(1-x)Sc_(x)Sb_(y)N_(1-y)is an excellent candidate as the channel material of FeSFET. 展开更多
关键词 FERROELECTRICITY Al_(1-x)Sc_(x)n FeSFET
原文传递
固相法制备(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)陶瓷的微波介电性能
20
作者 马才兵 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2022年第10期92-93,共2页
用传统固相反应法制备了复杂钙钛矿结构陶瓷(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)(x=0.4,0.3,0.2,0.1),用XRD表征其结构,SEM表征微观形貌,并测试样品的微波介电性能。随着Sr含量的增加其介电常数从19.8增加到24.1,... 用传统固相反应法制备了复杂钙钛矿结构陶瓷(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)(x=0.4,0.3,0.2,0.1),用XRD表征其结构,SEM表征微观形貌,并测试样品的微波介电性能。随着Sr含量的增加其介电常数从19.8增加到24.1,温漂从-07ppm/℃增大到30.1ppm/℃,Q^(*)f值从65300GHz减少到36200GHz。当x=0.1时有较好的微波介电性能,介电常数为20.3,温漂为14.9ppm/℃,Q^(*)f值为65322GHz。表明复杂钙钛矿结构A2BO4的(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)陶瓷是一种新型微波介电材料体系,具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 (Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部