Co-Mo-N/TiN催化剂的制备及其氧还原性能研究

以改进的溶胶凝胶法将Co、Mo混合氧化物负载在纳米氮化钛上,经程序升温氨还原得到催化剂CoMo-N/Ti N,并使用XRD、EDS、CV、RDE等方法对催化剂的结构及氧还原性能进行测试.结果显示,热处理温度为650℃时制得的催化剂Co-Mo-N-650的氧还原催化活性最好,其氧还原起始电位为0.372 V(vs.SCE),在转速为2 000 rpm时极化电流密度达2.21 m A·cm-2,并得到了该催化剂上氧还原反应的转移电子数为2.6,说明Co-Mo-N-650催化的氧还原反应主要按二电子路径进行.

负载酞菁钴电催化CO_(2)还原的第一性原理研究

利用密度泛函理论研究了酞菁钴(CoPc)和五种不同载体(有金属活性中心的N掺杂的C材料(Ir-NC)、N掺杂的C材料(NC)、黑磷(BP)以及TiN、TiC)对催化性能的影响。先探究了CoPc催化CO_(2)还原成CO的性能,又探究了五种不同载体对CoPc催化CO_(2)还原为CO反应活性的影响。计算结果显示,CoPc与载体之间是弱相互作用,通过对优化后的结构进行吉布斯自由能计算证明了这五种载体都能显著降低COOH形成这一步的能垒,其中TiN能使该步能垒降低0.547 eV。除NC外,其余载体都促使CO脱附步骤的|ΔG|变得更小。这些结果表明不同载体能不同程度的调控CoPc的催化反应活性。

氧化锡改性载体对银催化剂性能的影响

本文对氧化锡改性载体进行了表征,并对由该载体制成的银催化剂进行了微反评价。结果表明:氧化锡改性载体没有明显改变载体的孔结构,但氧化锡粒子使载体表面粗糙化,使得负载银催化剂上银粒径减小,催化活性提高,在锡含量为0.7%时选择性较高。这是因为改性载体表面与活性组分银之间存在较强的相互作用。

基于双核三苄基甲醇锡(Ⅳ)对苯二甲酸酯配合物为中性载体的硫氰酸根电极的研究

研究了双核三苄基甲醇锡(Ⅳ)对苯二甲酸酯配合物［Sn(Ⅳ)-BTMTT］为中性载体的PVC膜阴离子选择性电极。这类电极对硫氰酸根离子呈现出优良的电位响应性能和选择性,并呈现反Hofmeister序列行为。其选择性序列为:SCN-＞I-＞Ac-＞－NO＞2－2NO＞－4ClO＞Cl-＞3－4SO,该电极在pH＝3.0的磷酸盐缓冲体系中对SCN-在0.1～8×10-5mol／L浓度范围内呈超能斯特响应,斜率为-77.3mV／dec,检出限为4.0×10-5mol／L。采用交流阻抗及紫外光谱研究了阴离子与载体的作用机理。该电极具有响应快、重现性好、制备简单等优点。将该电极用于废水分析,结果令人满意。

无载体^131I-MIBG锡试剂前体的合成

目的:探讨合成制备一种无载体^(131)I-MIBG的前体化合物。方法:从简单原料间碘苄胺开始,通过3步反应合成无载体^(131)I-MIBG的锡试剂前体N,N'-二(叔丁氧羰基)-3-(三丁基锡基)-苄胍,用同位素^(131)I标记制备无载体^(131)I-MIBG,测定其标记率。结果:总收率41.5%,经红外光谱、核磁共振谱、质谱进行结构确证,制备的无载体^(131)I-MIBG标记率大于80%。结论:合成了一种合适的锡试剂前体,可以用于制备无载体^(131)I-MIBG。该合成路线收率高,原料易得,反应条件温和,操作简单,适合实验室条件下制备。

间[~*I]苄胍的合成

放射性的间碘苄胍在临床上被广泛用于神经内分泌瘤的诊断和治疗。相比于有载体方法合成的[*I]MIBG,无载体方法合成的[*I]MIBG已经被证实了更有效且副作用更小。现合成了一种无载体MIBG的锡前体——间位三丁基锡基苄胍,经试验标记率为85%以上。

以双核有机锡(Ⅳ)配合物为中性载体高选择性硫氰酸根电极的研究

研究了双核三苄基甲醇锡（Ⅳ）哌嗪荒酸酯配合物[Sn（Ⅳ）-BTMTP]为中性载体的PVC膜阴离子选择性电极。这类电极对硫氰酸根离子呈现出优良的电位响应性能和选择性,并呈现出反Hofmeister选择性行为。其选择性序列为：SCN-〉I-〉ClO4-〉NO2-〉NO3-〉Cl-〉SO42-〉AC-,该电极在pH=4.0的磷酸盐缓冲体系中对SCN-呈超能斯特响应,响应范围为1.0×10-1~3.2×10-5 mol/L,斜率为-72.4 mV/dec,检出限为1.28×10-5mol/L。采用交流阻抗及紫外光谱研究了阴离子与载体的作用机理。将该电极用于废水分析,结果令人满意。

氧化锌/锡酸锌/二氧化锡双异质结纳米阵列的构建及其光电性能

高性能的电子传输传输层对提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率具有至关重要的作用。基于表面修饰的方法,采用旋涂法在ZnO纳米阵列上制备Zn_(2)SnO_(4)钝化层,再通过水热法原位自生长SnO_(2)构建出ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳米阵列。利用X射线衍射、场发射扫描电镜、透射电子显微镜对异质结的物相、形貌进行了观察和分析,并通过电化学工作站对其光电性能进行了测试。结果表明:Zn_(2)SnO_(4)和SnO_(2)都成功负载在ZnO上,三者之间交错的能带结构所形成的双Ⅱ型异质结进一步提高了光生电子–空穴对分离效率,使得ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳米阵列的电流密度以及光电流较ZnO得到了明显的改善,同时电荷转移电阻从22403Ω降低至3131Ω,载流子浓度从1.22×10^(19)cm^(–3)降低至1.18×10^(18)cm^(–3),光电性能提升明显。

分支载体浮选应用于锡细泥选别的试验研究

锡细泥的浮选难度大,选矿药剂成本高,浮选作业回收率低。以某锡细泥沉砂样浮选泡沫产品为载体,带动溢流样中的细粒锡石进行分支载体浮选试验,沉砂样常规浮选结果可得到锡品位39.73%、锡回收率84.37%的锡精矿;溢流样载体浮选试验结果可使锡回收率比常规浮选提高15%,达到了提高锡细泥回收率的目的。

生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响

用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电阻率为4.7×10-4Ω.cm的ITO透明导电薄膜。