TiN/n-GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／n-GaAs体系电学特性改善的原因。

氮在砷化镓中行为的研究

在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性，但预溅射氮后出现此现象，因此，人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因，对两种砷化镓样品：半绝缘和n型GaAs（100）样片，分别注入N+或N+＋Si+，以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后，对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果，发现N在GaAs中引入一深能级，位置在Ec＝－0．38eV左右，并在退火后可使ELZ能级密度大大增加，但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因，又若确实存在p+层，则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。