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直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究
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作者 华庆恒 严如岳 +4 位作者 李岩松 陈古川 张菀 刘咏梅 杨媛琪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期28-33,共6页
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN... 本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响. 展开更多
关键词 直流磁控 溅射 tin/gaas 肖特基结
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