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高纵横比间距下TiN残留物的解决方案
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作者 黄庆丰 《集成电路应用》 2019年第5期30-32,共3页
讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接... 讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接触孔(CT),使得后续在沉积TiN时,TiN会残留在空洞侧壁上,使相邻接触孔短路,从而导致OTP失效。为了解决这个问题,从多个方面进行了方案设计,包括硼磷硅玻璃(BPSG)中硼(B)和磷(P)的浓度,BPSG的厚度,回流温度以及在BPSG之前先沉积一层高密度等离子体氧化物(HDP USG)。实验结果表明,只有在BPSG之前先沉积一层HDP USG的工艺方案才是有效的,才可以消除空洞,从而消除TiN残留物。同时,器件性能不受影响,并实现了高良率。 展开更多
关键词 集成电路制造 接触孔 tin残留物 BPSG HDPUSG
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