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题名高纵横比间距下TiN残留物的解决方案
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作者
黄庆丰
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机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《集成电路应用》
2019年第5期30-32,共3页
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基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
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文摘
讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接触孔(CT),使得后续在沉积TiN时,TiN会残留在空洞侧壁上,使相邻接触孔短路,从而导致OTP失效。为了解决这个问题,从多个方面进行了方案设计,包括硼磷硅玻璃(BPSG)中硼(B)和磷(P)的浓度,BPSG的厚度,回流温度以及在BPSG之前先沉积一层高密度等离子体氧化物(HDP USG)。实验结果表明,只有在BPSG之前先沉积一层HDP USG的工艺方案才是有效的,才可以消除空洞,从而消除TiN残留物。同时,器件性能不受影响,并实现了高良率。
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关键词
集成电路制造
接触孔
tin残留物
BPSG
HDPUSG
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Keywords
integrated circuit manufacturing
contact hole
tin residue
BPSG
HDP USG
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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