辐照对聚酰亚胺基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散。研究了在60Co-g射线辐照条件下,TiN阻挡层的阻挡效果,扫描俄歇微探针谱图分析表明:TiN层可以有效地阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内的扩散。当照射剂量大于2105 Gy后,TiN失去阻挡Cu元素扩散的效果。

带有台阶电极结构和TiN阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管

本文描述了一种具有台阶电极结构和TiN扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管。将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进行了比较讨论。这种新式结构可使微波器件获得更好的性能。由于大功率器件带有梁式引线金属化系统,Au-Si反应及局部铂硅化合物的生长是其主要的失效机理。为了减少上述缺陷,Ti层必须加厚。同时,进一步讨论了TiN在梁式引线金属化系统中的应用,高温长期工作实验结果证明,将台阶式电极结构和TiN 扩散阻挡层应用于大功率微波晶体管可大大提高其可靠性。

双极型微波器件失效分析与改进

针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴＩＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。