Effect of TiO_2 Seed Layer on 0.7Pb(Mg_(0.33)Nb_(0.67))O_3-0.3PbTiO_3 Thin Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

We have grown PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3(PMN-PT) thin films by radio frequency(RF) sputtering deposition at 550 ℃-650 ℃ on Pt/Ti/SiO2/Si and TiO2/Pt/Ti/SiO2/Si substrates.The phase compositions and microstructure of thin films were characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electric microstructure(SEM).The effect of the TiO2 seed layer on PMN-PT films was studied.

TiO_2种子层对Bi_(3．15)Nd_(0．85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响

用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上和加入了TiO_2种子层的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) (BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO_2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO_2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO_2种子层的BNT薄膜的剩余极化P_r值分别为26和43.6μC/cm^2,矫顽场强E_c分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO_2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10^(-6)～10^(-5)A/cm^2之间.

FTO表面预处理对TiO_2纳米棒阵列的形貌及光电性能的影响

采用TiCl4水解法先对透明导电玻璃(FTO)进行表面预处理,形成一层薄的种子层,再用钛酸正四丁酯作为钛源在其上水热生长TiO2纳米棒阵列.用XRD和SEM表征了种子层和纳米棒阵列的晶型和微观形貌,用紫外-可见吸收光谱、电池的J-V曲线和阻抗谱对其光电性能进行了研究.发现纳米棒属于TiO2金红石相,种子层则是TiO2金红石相和锐钛矿相的混合相.不同浓度TiCl4溶液预处理过程对TiO2纳米棒阵列的形貌及光电性能都有明显影响.采用复合量子点敏化后组装成电池的效率先增大后减少,且在TiCl4溶液浓度为0.15M时电池效率最高,为1.51%,比没有进过预处理的电池高出30%.

TiO_2种子层对(Pb,La,Ca)TiO_3薄膜织构的影响

利用脉冲激光法(PLD)制备了镧钙掺杂的钛酸铅(Pb0.8La0.1Ca0.1)Ti0.975O3(PLCT)热释电薄膜,通过广角X射线衍射(XRD)研究了薄膜的相组成,利用X射线镜面反射表征TiO2种子层的厚度,通过X射线衍射及ω扫描研究了TiO2种子层对薄膜晶体学织构及其弥散程度的影响.结果表明,合适的晶化温度可以获得纯钙钛矿相的PLCT热释电薄膜.种子层的引入改变了薄膜的织构类型,无种子层时,薄膜倾向于形成(100)织构;而引入TiO2种子层则有利于薄膜(301)织构的形成.