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掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能 被引量:13
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作者 郑嘹赢 徐明霞 徐廷献 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期1022-1025,共4页
以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Al2O3 基片上制备TiO2 薄膜,经1000℃H2 气氛下还原制得TiO2- x薄膜.最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜.实验结果表明... 以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Al2O3 基片上制备TiO2 薄膜,经1000℃H2 气氛下还原制得TiO2- x薄膜.最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜.实验结果表明掺铂薄膜在800℃下具有良好的氧敏感性和重复性,薄膜在N2 气氛下具有良好的电阻温度特性.本文分析了铂在薄膜中的作用原理. 展开更多
关键词 tio2-x薄膜 掺杂 化钛薄膜 半导体材料
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硅基板上Fe掺杂TiO_2氧敏薄膜的制备、结构与性能研究
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作者 张爱芳 杜丕一 +2 位作者 胡岳华 翁文剑 韩高荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1467-1474,共8页
采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,利用扫描电镜(SEM)对薄膜微结构进行了观察.结果表明:在硅基板上生长的TiO2薄膜中锐钛矿相为均匀小晶粒分... 采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,利用扫描电镜(SEM)对薄膜微结构进行了观察.结果表明:在硅基板上生长的TiO2薄膜中锐钛矿相为均匀小晶粒分布结构,金红石相以大尺度团聚结构形貌出现.Fe离子的掺杂对硅基板上制备的TiO2薄膜中金红石相的形成有很大的影响.Fe的掺入降低了金红石相的形成温度约100℃,Fe掺量在6mol% 时,形成金红石相的量达到最大,即析晶能力最强.薄膜中形成晶相的晶格常数在<6mol%的低Fe范围内,随较小的Fe离子取代较大的Ti离子,锐钛矿相和金红石相的晶格常数都随之减小;在>6mol%的高Fe掺量范围内,随Fe掺量的增加,体系缺陷过量增加,晶格结构畸变严重,伴随着畸变能的释放,金红石相的晶格常数c轴逐渐增长,n轴略有下降(或基本不变). TiO2氧敏薄膜的氧敏性能受金红石相含量和氧空位浓度控制.当Fe离子掺杂浓度为6mol% 时,金红石相及相应氧空位达到最大值,TiO2氧敏薄膜的氧敏性能也达到最大值,比刚形成金红石相的薄膜的氧敏性能增加近19倍. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 Fe离子掺杂 tio2氧敏薄膜 硅基板
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