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磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件
被引量:
5
1
作者
仲飞
刘彭义
任思雨
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期461-465,共5页
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密...
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。
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关键词
tio2超薄膜
磁控溅射
有机发光二极管
空穴缓冲层
原文传递
题名
磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件
被引量:
5
1
作者
仲飞
刘彭义
任思雨
机构
暨南大学物理系
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期461-465,共5页
基金
广东省自然科学基金项目(No.021169)
文摘
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。
关键词
tio2超薄膜
磁控溅射
有机发光二极管
空穴缓冲层
Keywords
tio
2
ultra- thin film
RF magnetron sputtering
OLEDs
hole buffer layer
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件
仲飞
刘彭义
任思雨
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
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