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直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究
被引量:
32
1
作者
董昊
张永熙
+5 位作者
杨锡良
沈杰陈
华仙
蒋益明
顾元壮
章壮健
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第4期252-255,260,共5页
在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5~ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0~ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0~ 1...
在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5~ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0~ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0~ 1 1 0 0nm。XRD结果显示薄膜具有纯锐钛矿结构或锐钛矿和金红石的混合结构。在高的基板温度和适宜的溅射总气压下制备的薄膜以及厚度较厚的薄膜在紫外光照射后 。
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关键词
直流反应磁控溅射
光催化性
二氧化钛薄膜
制备
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职称材料
题名
直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究
被引量:
32
1
作者
董昊
张永熙
杨锡良
沈杰陈
华仙
蒋益明
顾元壮
章壮健
机构
复旦大学材料科学系
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第4期252-255,260,共5页
基金
上海市教育委员会重点学科资助项目! (B990 10 9)
文摘
在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5~ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0~ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0~ 1 1 0 0nm。XRD结果显示薄膜具有纯锐钛矿结构或锐钛矿和金红石的混合结构。在高的基板温度和适宜的溅射总气压下制备的薄膜以及厚度较厚的薄膜在紫外光照射后 。
关键词
直流反应磁控溅射
光催化性
二氧化钛薄膜
制备
Keywords
tio_2 thin film
,
dc reactive magnetron sputtering
,
photo induced catalysis characteristics
,
uv radiation
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O643.36 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究
董昊
张永熙
杨锡良
沈杰陈
华仙
蒋益明
顾元壮
章壮健
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000
32
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职称材料
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