TiO_(2)纳米材料因其存在高的光生电子-空穴对复合速率、电子迁移率低、导电性差以及可逆容量低等问题,使其在光催化和电化学等领域的应用受到限制。MXene(M n+1 X n T x)作为一种新型的二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,具有独特...TiO_(2)纳米材料因其存在高的光生电子-空穴对复合速率、电子迁移率低、导电性差以及可逆容量低等问题,使其在光催化和电化学等领域的应用受到限制。MXene(M n+1 X n T x)作为一种新型的二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,具有独特的二维层状结构、良好的金属导电性和较高的载流子迁移率等特性,将其引入TiO_(2)纳米材料中构建TiO_(2)/MXene纳米复合材料,利用两者的协同作用可进一步提高光电性能。本文从TiO_(2)纳米材料的角度出发,系统综述了零维、一维和二维TiO_(2)与MXene纳米复合材料的可控制备、结构性能及在光催化和电化学领域应用的最新研究进展,并着重介绍了纳米复合材料的构筑机理及MXene对提高TiO_(2)的光催化和电化学性能的增强机制等,分析了目前TiO_(2)/MXene复合材料的制备及其在光催化和电化学领域应用中存在的不足。此外,从优化制备工艺、提升性能和探索相应的性能增强机制等方面对未来TiO_(2)/MXene复合材料的研究方向进行了展望。展开更多
基金Supported by the State Key Program of Fundamental Research( G19980 613 0 8) National Natural Science Foundationof China( Nos.2 99710 0 5 ,2 0 0 2 3 0 0 5 ,2 0 0 710 0 4) ,and Scientific Research Foundation for the Returned Overseas ChineseScholars( State
文摘TiO_(2)纳米材料因其存在高的光生电子-空穴对复合速率、电子迁移率低、导电性差以及可逆容量低等问题,使其在光催化和电化学等领域的应用受到限制。MXene(M n+1 X n T x)作为一种新型的二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,具有独特的二维层状结构、良好的金属导电性和较高的载流子迁移率等特性,将其引入TiO_(2)纳米材料中构建TiO_(2)/MXene纳米复合材料,利用两者的协同作用可进一步提高光电性能。本文从TiO_(2)纳米材料的角度出发,系统综述了零维、一维和二维TiO_(2)与MXene纳米复合材料的可控制备、结构性能及在光催化和电化学领域应用的最新研究进展,并着重介绍了纳米复合材料的构筑机理及MXene对提高TiO_(2)的光催化和电化学性能的增强机制等,分析了目前TiO_(2)/MXene复合材料的制备及其在光催化和电化学领域应用中存在的不足。此外,从优化制备工艺、提升性能和探索相应的性能增强机制等方面对未来TiO_(2)/MXene复合材料的研究方向进行了展望。