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原位生成SiC/TiSi_2纳米复合材料的显微结构 被引量:7
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作者 李建林 江东亮 谭寿洪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期893-896,共4页
采用Si粉和TiC为原料,通过反应热压可制得纳米SiC粒子复合的TiSi2材料,生成的纳米SiC粒子聚集分布在TiSi2基体中,SiC粒子与TiSi2的界面没有晶界相存在.但由于残余应力的作用.TiSi2晶格发生扭曲并有位错出现。
关键词 原位反应 SIC TISI2 纳米复合材料 显微结构
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PECVD法TiSi_2薄膜的制备工艺研究
2
作者 杨林安 周南生 严北平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期79-82,共4页
本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试分析,证明采用PECVD方法制备TiSi_2薄膜的工艺是完全可行的。
关键词 TiSi薄膜 制备工艺 PECVD法
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一种新型的ITO/TiSi_2双层前电极a-Si:H太阳电池
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作者 吴萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期29-30,35,共3页
如何提高a-Si:H太阳电池的转换效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Glass/ITO/TiSi2/pin/Al双层前电极a-Si:H太阳电池,通过老化处理后发现,这种新型电池较之常规电池主要参数均改善,电池的稳定性明显... 如何提高a-Si:H太阳电池的转换效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Glass/ITO/TiSi2/pin/Al双层前电极a-Si:H太阳电池,通过老化处理后发现,这种新型电池较之常规电池主要参数均改善,电池的稳定性明显提高。 展开更多
关键词 ITO/TiSi2电极 太阳电池 稳定性 A-SI:H 前电极
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TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究 被引量:1
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作者 陶江 赵铁民 +3 位作者 张国炳 王阳元 汪锁发 李永洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第10期781-787,共7页
本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多... 本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因. 展开更多
关键词 TISI2 多晶硅 自对准技术 MOSFET
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In Situ Reaction Strengthening and Toughening of B_(4)C/TiSi_(2)Ceramics
5
作者 夏涛 涂晓诗 +2 位作者 张帆 ZHANG Jinyong REN Lin 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期12-19,共8页
B_(4)C-SiC-TiB_(2)ceramics were prepared by in situ reactive hot-pressing sintering with TiSi_(2)as an additive.The reaction pathways of TiSi_(2)and B_(4)C were investigated.The sintering was found to be a multistep p... B_(4)C-SiC-TiB_(2)ceramics were prepared by in situ reactive hot-pressing sintering with TiSi_(2)as an additive.The reaction pathways of TiSi_(2)and B_(4)C were investigated.The sintering was found to be a multistep process.The reaction started at approximately 1000℃,and TiB_(2)was formed first.Part of Si and C started to react at 1300℃,and the unreacted Si melted at 1400℃to form a liquid phase.TiSi_(2)predominantly affected the intermediate sintering process of B_(4)C and increased the sintering rate.Due to the unique reaction process of TiSi_(2)and B_(4)C,a large number of aggregates composed of SiC and TiB_(2)were generated.The results showed that composite ceramics with the optimal flexural strength of 807 MPa,fracture toughness of 3.2 MPa·m1/2,and hardness of 32 GPa,were obtained when the TiSi_(2)content was 10 wt%. 展开更多
关键词 in situ reaction hot pressing sintering TiSi_(2) B_(4)C composite ceramics reaction mechanism
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Ti/Si(100)体系界面扩散反应动力学研究 被引量:2
6
作者 邓宗武 朱永法 +1 位作者 曹立礼 陈立 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第3期200-205,共6页
采用移动边界条件下扩散问题的处理方法,综合界面反应和扩散两个过程对界面硅化物形成的影响,建立起Ti/Si(100)界面扩散反应动力学理论模型,并拟合快速热退火处理后试样界面Auger深度分析谱,得到Ti,Si在相应界质中扩散系数和表... 采用移动边界条件下扩散问题的处理方法,综合界面反应和扩散两个过程对界面硅化物形成的影响,建立起Ti/Si(100)界面扩散反应动力学理论模型,并拟合快速热退火处理后试样界面Auger深度分析谱,得到Ti,Si在相应界质中扩散系数和表现反应活化能。研究结果表明,Ti/Si体系界面TiSi2生成经历了一个由反应动力学控制到扩散控制的过渡。Si从其晶格中解离并扩散到Ti/TiSi2界面是制约扩散过程的关键因素。 展开更多
关键词 界面反应 界面扩散 动力学
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SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究
7
作者 林成鲁 周伟 +1 位作者 邹世昌 P.L.F.Hemment 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期470-474,共5页
本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10^(20)/cm^3,获得了... 本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10^(20)/cm^3,获得了一种TiSi_2/n^+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。 展开更多
关键词 SIMOX 薄膜 钛硅化物 半导体
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二硅化钛/硅的肖特基势垒研究
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作者 杨林安 周南生 严北平 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第8期41-42,共2页
采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.
关键词 二硅化钛 肖特基势垒
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Enhanced Thermal Resistance of Boron Phenolic Composites by Addition of TiSi_(2) Particles 被引量:1
9
作者 QI Man YANG Wei +2 位作者 LI Zhuangzhuang HUANG Zhixiong WANG Yanbing 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2021年第6期839-844,共6页
TiSi_(2) reinforced boron phenolic composites(TP)and Vitreous silica fabric reinforced TiSi_(2)/boron phenolic composites(VTP)were prepared by compression molding,and their thermal,mechanical,ablation properties were ... TiSi_(2) reinforced boron phenolic composites(TP)and Vitreous silica fabric reinforced TiSi_(2)/boron phenolic composites(VTP)were prepared by compression molding,and their thermal,mechanical,ablation properties were studied.TG results show that thermal stabilities and residual carbon rate of boron phenolic are improved after introducing TiSi_(2) particles.Compared with VTP-0(containing 0 phr TiSi_(2)),flexural strength of VTP-60(containing 60 phr TiSi_(2))pyrolysis product increases by 29.5%at 1200℃.Raman spectrum shows that TiSi_(2) particles promote the ordering of the glass carbon structure of VTP pyrolysis product.Compared to VTP-0,the linear and mass ablation rates of VTP-60 reduce by 32.1%and 77.5%,respectively.XRD and SEM indicate the formation of an oxide coating layer,TiO_(2)-SiO_(2),integrates the bulk and protects the underlying materials from damage under high temperature oxygen-containing airstream.All these results prove that mechanical properties of pyrolysis product,thermal,and ablation resistance are improved by addition of TiSi_(2) particles. 展开更多
关键词 TiSi_(2) boron phenolic resin thermal stability ablation EUTECTIC
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真空电磁定向凝固制备高纯TiSi_(2)和共晶Si-Ti合金的研究
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作者 张亚坤 雷云 马文会 《钢铁钒钛》 CAS 北大核心 2023年第6期58-63,共6页
为了制备高纯TiSi_(2)和共晶Si-Ti合金,研究新采用真空电磁定向凝固技术对Ti-Si合金进行了相分离与提纯。结果表明,真空电磁定向凝固技术可以有效地提纯Ti-Si合金;Fe、Mn和Al杂质通过其在固-液界面上的分凝效应去除(富集在顶部);Ca和Mg... 为了制备高纯TiSi_(2)和共晶Si-Ti合金,研究新采用真空电磁定向凝固技术对Ti-Si合金进行了相分离与提纯。结果表明,真空电磁定向凝固技术可以有效地提纯Ti-Si合金;Fe、Mn和Al杂质通过其在固-液界面上的分凝效应去除(富集在顶部);Ca和Mg杂质由于蒸气压明显高于Si和Ti,因此可以通过真空挥发去除。Ti-56%Si合金(纯度96%)经真空电磁定向凝固后,在坩埚下部分离得到致密的TiSi_(2)合金,而上部则分离得到物相均匀的共晶Si-Ti合金。由此制备的TiSi_(2)纯度达到99.4%,共晶Si-Ti合金纯度达到99.1%(仅考虑主要杂质Fe、Mn、Ca、Mg和Al条件下)。 展开更多
关键词 TiSi_(2) 共晶Si-Ti合金 真空精炼 电磁定向凝固 分离提纯
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Structural features of the A_(2)TiSi_(2)O_(8)(A-Ba and Pb)compounds
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作者 Svetlana Weber Alla Lebedinskaya +3 位作者 Daniil Rudsky Yuri Kabirov Anzhela Rudskaya Michael Kupriyanov 《Journal of Advanced Dielectrics》 CAS 2020年第5期43-47,共5页
X-ray diffraction studies of synthesized Ba_(2)TiSi_(2)O_(8) have shown that this compound has a fresnoite structure and is characterized by a polar phase P4bm at room temperature.The synthesis of Pb_(2)TiSi_(2)O_(8) ... X-ray diffraction studies of synthesized Ba_(2)TiSi_(2)O_(8) have shown that this compound has a fresnoite structure and is characterized by a polar phase P4bm at room temperature.The synthesis of Pb_(2)TiSi_(2)O_(8) in the fresnoite phase under the selected synthesis conditions has led to the formation of a perovskite tetragonal phase P4mm corresponding to PbTiO_(3). 展开更多
关键词 Structure FRESNOITE A_(2)TiSi_(2)O_(8)minerals ferroics
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