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质子入射Al_(x)Ga_(1-x)N材料的位移损伤模拟
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作者 何欢 白雨蓉 +5 位作者 田赏 刘方 臧航 柳文波 李培 贺朝会 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期92-99,共8页
氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文... 氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量Al_(x)Ga_(1-x)N材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于Al_(x)Ga_(1-x)N材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV-300 MeV质子在不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料中的位移损伤机理.结果表明质子在Al_(x)Ga_(1-x)N材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同Al_(x)Ga_(1-x)N材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能量沉积在径迹前端均匀分布,径迹末端减小,并且低能质子主要是通过弹性碰撞造成非电离能量沉积,而高能质子恰好相反.本研究揭示了不同Al元素含量的Al_(x)Ga_(1-x)N材料质子位移损伤机理,为GaN器件在空间辐射环境下的应用提供参考依据. 展开更多
关键词 al_(x)Ga_(1-x)n 质子 位移损伤 两体碰撞近似
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Al质量分数对磁控溅射Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响 被引量:1
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作者 张世玺 蔡海潮 +2 位作者 薛玉君 畅为航 田昌龄 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第4期1-6,M0002,共7页
针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜... 针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜的微观形貌、元素成分与晶体结构进行了表征。采用纳米压痕仪测试薄膜的硬度和弹性模量,用摩擦磨损试验机和白光干涉三维形貌仪测试薄膜的摩擦磨损性能。研究结果表明:随着Al质量分数在一定范围内的增加,薄膜从沿c-TiN(111)晶面生长逐渐转向h-AlN(200)晶面择优取向,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜疏松结构得到了改善,柱状结晶发生细化,表面形貌更加致密。同时,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜的硬度和弹性模量得到提高,磨损机理由严重的磨粒磨损、黏着磨损转变为轻微的磨粒磨损,平均体积磨损率降低。Ti_(0.67)Al_(0.33)N薄膜的综合性能最优,硬度和弹性模量分别为14.059 GPa和203.37 GPa,摩擦因数最低为0.182,平均体积磨损率为1.321×10^(-8)mm^(3)/(N·m),呈现出较好的摩擦学性能。 展开更多
关键词 al质量分数 磁控溅射 ti_(1-x)al_(x)n薄膜 摩擦学性能
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高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜
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作者 谭黎 张俊 +3 位作者 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页
β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。 展开更多
关键词 β-(al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) Ga_(2)O_(3) al掺杂 半导体薄膜 高温扩散 可调带隙 磁控溅射
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基于智能感知的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性能研究
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作者 王雪文 白海庭 +5 位作者 赵彦博 张圆梦 彭超 高洁 戴扬 赵武 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期191-197,共7页
基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器... 基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器件的研究热点。该文首先采用磁控溅射技术以金属In、金属Al和陶瓷Si 3N 4为靶材制备出Si掺杂和纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜。在衬底温度600℃、压强0.6pa、Ar∶N 2流量比为20∶10、金属铟靶材和铝靶材的溅射功率分别为70W和300W、氮化硅的靶材附加功率分别为0W,20W,40W和60W条件下制备出薄膜,研究了所制备薄膜的电性能、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱。测试结果表明:为氮化硅靶材附加40W功率时,掺杂Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的载流子浓度比纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜提高了两个数量级;硅掺杂的In_(x)Al_(1-x)N薄膜测得的拉曼光谱中,E2(HI)和Al(LO)模式峰都发生了右方移动,这表明了样品的缺陷增加,应力随之增强;PL光谱测试显示In_(x)Al_(1-x)N的发光峰较高,且薄膜随着Si含量的增加,可能导致薄膜缺陷增加。其次,研究了所制备薄膜的气体敏感性,测试表明,掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性优于纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜,且细颗粒的掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性高于大颗粒,证明小颗粒的表面活性大,易吸附气体使得响应灵敏度高,为气敏传感器的开发和信息领域的潜在应用打下基础。 展开更多
关键词 硅掺杂 In_(x)al_(1-x)n薄膜 磁控溅射 气敏性能
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Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)固溶体热学、电学和力学性质的理论研究
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作者 邓斐然 徐敏 +6 位作者 苗峰 黄毅 冯世全 宋明泽 肖晨达 林园园 李慧敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期477-484,492,共9页
采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过投影缀加波(PAW)和广义梯度近似(GGA)系统地研究了Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)的结构、能量、声子性质、电子性质和弹性性质。对MAX相Ti_(3)AlC_(2)晶体中A位置的Al元素用Zn元素进行替... 采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过投影缀加波(PAW)和广义梯度近似(GGA)系统地研究了Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)的结构、能量、声子性质、电子性质和弹性性质。对MAX相Ti_(3)AlC_(2)晶体中A位置的Al元素用Zn元素进行替换掺杂,构建出Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)(x=0,0.25,0.5,0.75,1)固溶体结构模型。计算分析表明:在所研究的掺杂浓度范围内Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)均是热力学、动力学和力学稳定的脆性材料;此外,Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均呈现金属性,在费米能级处的电子态密度主要贡献来自Ti-3d态,同时具有离子键、共价键和金属键的综合性质。随着Zn原子掺杂浓度的增加,在一定程度上其导电性和塑性均增强。 展开更多
关键词 ti_(3)(Zn_(x)al_(1-x))C_(2) MAx 低维晶态材料 第一性原理 电子性质 弹性性质 声子性质
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Al_(x)Ga_(1-x)N氮化物结构和热力学性质的第一性原理研究 被引量:1
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作者 李鹏涛 王鑫 +1 位作者 罗贤 陈建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第12期2212-2218,共7页
为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-... 为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-x)N的晶格常数、平均键长和晶格热容值随Al组分值x(原子数分数)增大而线性减小。热力学性质计算结果表明,在GaN中引入Al组分会在频率带隙中引入杂质模,随着Al组分浓度的增加杂质模变宽并进入低频段,在低频段顶部频率随Al组分增大而线性升高,在12.5%以上低频段顶部频率均大于(1/2)A1(LO)。温度从300 K到700 K变化时,合金热容随温度变化关系结果证明,在确定温度时,Al_(x)Ga_(1-x)N合金热容随Al组分增大而线性减小。本文的研究为以Al_(x)Ga_(1-x)N为代表的Ⅲ族氮化物半导体高功率器件设计提供了一定的设计参考。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 高功率器件 色散关系 热力学性质 第一性原理 密度泛函理论 al_(x)Ga_(1-x)n
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Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_(4)O_(15)薄膜制备与表征 被引量:1
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作者 孟靖华 杨丽清 焦斌权 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2018年第9期34-37,共4页
在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.... 在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜的结晶效果最好,且在其表面可成长出独立晶粒分布状态;x为0.5时薄膜的剩余极化强度2Pr=53.5μC/cm2、矫顽场2Ec=144.2 k V/cm,此时薄膜的铁电性能相对最佳;该系列薄膜的介电常数介于37~100,介电损失相对偏高,介于0.7~1.0;所有薄膜的漏电流均随外加电压的增加而逐渐增大,其中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜漏电流最小,外加电压为10 V时其值约为3.88×10-6A。 展开更多
关键词 铋层状钙钛矿结构 Li_(1-x)Bi_(4+x)ti_(4)O_(15)薄膜 铁电特性 介电特性 漏电流
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Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)陶瓷的结构及微波介电性能研究
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作者 冯恒恒 杨启航 +3 位作者 余涛 李冬梅 王志建 余洪滔 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期28-33,共6页
采用传统固相法制备了Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)(0≤x≤0.4)陶瓷,所得陶瓷样品均为单相结构。X射线衍射精修数据证实了Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)的掺入有效地增大了A位和B位阳离子与氧离子之间的键价值,拉曼图谱显示随着共掺... 采用传统固相法制备了Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)(0≤x≤0.4)陶瓷,所得陶瓷样品均为单相结构。X射线衍射精修数据证实了Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)的掺入有效地增大了A位和B位阳离子与氧离子之间的键价值,拉曼图谱显示随着共掺量增加,TO_(2)、A_(1g)振动模式增强,A位和B位离子有序度增大。另外Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)优化了陶瓷的微观形貌。结合键价理论和拉曼分析了随x变化[TiO_(6)]八面体等结构演变对其微波介电性能的影响,陶瓷样品的介电常数逐渐下降,品质因子增加,其频率温度系数向正方向漂移。 展开更多
关键词 Sm_(x)Sr_(1-x)al_(x)ti_(1-x)O_(3) 晶体结构 介电性能
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Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合催化剂的脱硝性能及抗硫活性
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作者 谭义凤 张婷 +2 位作者 张云飞 孙琦 田蒙奎 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期56-61,共6页
采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂... 采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂的NH_(3)-SCR反应活性的影响。研究结果表明,Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)载体可促进活性组分CuO_(x)和FeO_(y)的相互作用。当Cu/Fe为3∶1时,在300℃下NO_(x)的转化率达到91.3%;向反应体系通入286 mg/m^(3) SO_(2)反应3 h后,NO_(x)的转化率仅下降2.6%。X射线光电子能谱(XPS)、程序升温还原(H_(2)-TPR)、程序升温脱附(NH_(3)-TPD和NO_(x)-TPD)的表征表明,CuO_(x)和FeO_(y)之间存在相互作用,与单一的Cu/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)和Fe/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)对比,复合催化剂表面吸附氧浓度相对增加15%~33%,总酸量增大56%,从而提高了催化剂脱硝活性。 展开更多
关键词 nH_(3)-SCR ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物 Cu_(m)-Fe_(n)/ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)复合脱硝催化剂 抗硫活性
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固相法制备(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)陶瓷的微波介电性能
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作者 马才兵 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2022年第10期92-93,共2页
用传统固相反应法制备了复杂钙钛矿结构陶瓷(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)(x=0.4,0.3,0.2,0.1),用XRD表征其结构,SEM表征微观形貌,并测试样品的微波介电性能。随着Sr含量的增加其介电常数从19.8增加到24.1,... 用传统固相反应法制备了复杂钙钛矿结构陶瓷(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)(x=0.4,0.3,0.2,0.1),用XRD表征其结构,SEM表征微观形貌,并测试样品的微波介电性能。随着Sr含量的增加其介电常数从19.8增加到24.1,温漂从-07ppm/℃增大到30.1ppm/℃,Q^(*)f值从65300GHz减少到36200GHz。当x=0.1时有较好的微波介电性能,介电常数为20.3,温漂为14.9ppm/℃,Q^(*)f值为65322GHz。表明复杂钙钛矿结构A2BO4的(Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)Al_(0.65)Ti_(0.35)O_(4)陶瓷是一种新型微波介电材料体系,具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 微波介电性能 (Ca_(1-x)Sr_(x))_(1.35)Sm_(0.65)al_(0.65)ti_(0.35)O_(4) 固相法
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Progress and perspective of Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3) ceramic electrolyte in lithium batteries 被引量:2
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作者 Ke Yang Likun Chen +2 位作者 Jiabin Ma Yan-Bing He Feiyu Kang 《InfoMat》 SCIE CAS 2021年第11期1195-1217,共23页
The replacement of liquid organic electrolytes with solid-state electrolytes(SSEs)is a feasible way to solve the safety issues and improve the energy density of lithium batteries.Developing SSEs materials that can wel... The replacement of liquid organic electrolytes with solid-state electrolytes(SSEs)is a feasible way to solve the safety issues and improve the energy density of lithium batteries.Developing SSEs materials that can well match with high-voltage cathodes and lithium metal anode is quite significant to develop high-energy-density lithium batteries.Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)SSE with NASICON structure exhibits high ionic conductivity,low cost and superior air stability,which enable it as one of the most hopeful candidates for all-solidstate batteries(ASSBs).However,the high interfacial impedance between LATP and electrodes,and the severe interfacial side reactions with the lithium metal greatly limit its applications in ASSBs.This review introduces the crystal structure and ion transport mechanisms of LATP and summarizes the key factors affecting the ionic conductivity.The side reaction mechanisms of LATP with Li metal and the promising strategies for optimizing interfacial compatibility are reviewed.We also summarize the applications of LATP including as surface coatings of cathode particles,ion transport network additives and inorganic fillers of composite polymer electrolytes.At last,this review proposes the challenges and the future development directions of LATP in SSBs. 展开更多
关键词 crystal structure interfaces ionic conductivity Li_(1+x)al_(x)ti_(2-x)(PO_(4))_(3) lithium batteries
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陶瓷-聚合物复合固态电解质膜的制备与性能研究 被引量:3
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作者 黄东雪 李锁 +4 位作者 姜兴涛 宁玉娟 张宇 伍澎贵 梁兴华 《广西科技大学学报》 2022年第1期123-129,共7页
NASICON型快离子导体Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)具有较高的离子电导率、较宽的电化学窗口及良好的水和空气稳定性,但其界面接触性能差。石榴石型Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)(LLZO)锂离子电导率高、电化学窗口较宽且热稳定... NASICON型快离子导体Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)具有较高的离子电导率、较宽的电化学窗口及良好的水和空气稳定性,但其界面接触性能差。石榴石型Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)(LLZO)锂离子电导率高、电化学窗口较宽且热稳定性好,但其立方相结构不稳定,影响其实际应用。采用溶液浇筑法,制备纯PVDF-LiTFSI电解质膜和以PVDF为基、3种不同质量比的Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)(LLZTO)和Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)的固态电解质膜,并探讨纯PVDF-LiTFSI电解质膜和3种不同质量比的活性无机电解质填料对复合固态电解质离子电导率的影响。结果表明,Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)和Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)质量比为1∶1时,电解质膜的XRD图谱的衍射峰比纯PVDF-LiTFSI下降更为明显,电化学窗口为3.9 V左右,表现出更好的稳定性。在不同温度下分别测量其离子电导率发现,Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)和Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)质量比为1∶1时的电解质膜均高于纯PVDF-LiTFSI电解质膜和Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)和Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)质量比为2∶1和3∶1时的电解质膜。将其装配成电池后发现,0.1C下电池首次充放电比容量分别为90 m A·h/g和87 m A·h/g。以0.5C的电流循环25圈,放电比容量从57 mA·h/g衰减至51mA·h/g,容量保持率为99.7%。所以,以PVDF为基、Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12)和Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)质量比为1∶1的固态电解质膜有优良的倍率性能和循环稳定性能。 展开更多
关键词 Li_(6.4)La_(3)Zr_(1.4)Ta_(0.6)O_(12) Li_(1+x)al_(x)ti_(2-x)(PO_(4))_(3) 聚偏氟乙烯 固体电解质 离子电导率
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直接热处理法制备R-TiO_(2)晶须及其生长机制研究
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作者 郭林秀 盖建丽 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期65-72,共8页
一维金红石型纳米二氧化钛(R-TiO_(2))由于其特殊的结构,在可再生清洁能源领域被广泛研究和应用。本文以Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体块体材料为基体,研究了Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量、环境因素对R-TiO_(2)纳米晶... 一维金红石型纳米二氧化钛(R-TiO_(2))由于其特殊的结构,在可再生清洁能源领域被广泛研究和应用。本文以Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体块体材料为基体,研究了Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量、环境因素对R-TiO_(2)纳米晶须生长的影响。表明,随Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量的增加,R-TiO_(2)长晶须逐渐生成,当x≥0.25时,表面排成列或扎堆生成约2μm的R-TiO_(2)长晶须;而纳米晶须随着O含量的增加生成量减少;升高温度,样品表面会生成α-Al_(2)O_(3)纳米片(x≥0.5时)。因此,Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体在800℃、100 Pa条件下直接热处理成功制备出R-TiO_(2)纳米晶须,开发了一种简单且环境友好的方法。 展开更多
关键词 tiO2 ti_(3)Si_(1-x)al_(x)C_(2) al_(2)O_(3) 纳米晶须 纳米片
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