采用快速升温烧结方法生长Tl-1223超导薄膜的研究

报道了在铝酸镧(00l)衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊(Tl)源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度T_(c onset)达到116K,临界电流密度达到1.5MA/cm^2(77 K,0 T).实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备Tl系超导薄膜具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低等特点.

Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的生长和性能研究

本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO_(2)缓冲层和Tl-1223超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响。AFM和XRD表征结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制备的CeO_(2)缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构。SEM表征结果显示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密。在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K,临界电流密度Jc(77 K,0 T)约为1.3 MA/cm2。

半熔化法制备Tl—1223超导体及冷加工对其超导带的影响

该文研究了制备Ｔｌ—１２２３超导体的半熔融方法及冷加工对其复银带的影响，与一次烧结法相比较，半熔融法制备的样品杂相较少。通过对差热曲线和磁滞回线的综合分析，认为半熔化温度在９８３℃附近比较合适。在带材制备过程中，冷拉以后不退火直接轧制，采用大的道次压下量，均有利于提高临界电流。各种不同直径的复合丝轧制成的超导带，都有一临界电流最高的厚度范围。

铁离子在Tl系1223超导相中的分布研究

对不同掺铁量的Tl系 12 2 3相样品 ,测量了室温和 77K的穆斯堡尔谱 .根据铁可能具有的不同局域环境 ,按四套四极劈裂双峰进行拟合 .发现室温下四套亚谱的同质异能移位均为 0 .2 5mm/s左右 ,表明铁在12 2 3超导相中以高自旋Fe3 + 形式存在 .其四极劈裂分别为 1.40mm/s ,1.12mm/s ,0 .5 5mm/s和 1.90mm/s左右 .按照点电荷 有效价键模型 ,计算了铁处于不同局域位置时的核四极劈裂的大小 .对铁所占晶位进行指认 .