期刊文献+

二次检索

题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

年份

共找到65篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
Base Width Variations and its Effects on Frequency Response of Double Hetero-structure Long Wavelength Transistor Laser
1
作者 Mohammad Reza Farjadian Hassan Kaatuzian Iman Taghavi 《Optics and Photonics Journal》 2013年第2期248-251,共4页
In this paper we investigate the effects of base width variation on performance of long wavelength transistor laser. In our structure with increasing the base width, the cut off frequency increases until 367 nm with 2... In this paper we investigate the effects of base width variation on performance of long wavelength transistor laser. In our structure with increasing the base width, the cut off frequency increases until 367 nm with 24.5 GHz and then abruptly fall. In 100 nm base width, we have 17.5 GHz cut off frequency, and overall ac performances become optimized, although, other parameters like optical losses and threshold current density are not optimized. 展开更多
关键词 transistor laser Quantum WELL Long WAVELENGTH Optical CONFINEMENT Factor
下载PDF
Simulation of quantum-well slipping effect on optical bandwidth in transistor laser
2
作者 Hassan Kaatuzian Seyed Iman Taghavi 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期435-436,共2页
An optical bandwidth analysis of a quantum-well (16 nm) transistor laser with 150-μm cavity length using a charge control model is reported in order to modify the quantum-well location through the base region. At c... An optical bandwidth analysis of a quantum-well (16 nm) transistor laser with 150-μm cavity length using a charge control model is reported in order to modify the quantum-well location through the base region. At constant bias current, the simulation shows significant enhancement in optical bandwidth due to moving the quantum well in the direction of collector-base junction. No remarkable resonance peak, limiting factor in laser diodes, is observed during this modification in transistor laser structure. The method can be utilized for transistor laser structure design. 展开更多
关键词 WELL Simulation of quantum-well slipping effect on optical bandwidth in transistor laser
原文传递
Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing 被引量:1
3
作者 马刘红 韩伟华 +4 位作者 王昊 吕奇峰 张望 杨香 杨富华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期552-556,共5页
Silicon junctionless nanowire transistor(JNT) is fabricated by femtosecond laser direct writing on a heavily n-doped SOI substrate.The performances of the transistor,i.e.,current drive,threshold voltage,subthreshold... Silicon junctionless nanowire transistor(JNT) is fabricated by femtosecond laser direct writing on a heavily n-doped SOI substrate.The performances of the transistor,i.e.,current drive,threshold voltage,subthreshold swing(SS),and electron mobility are evaluated.The device shows good gate control ability and low-temperature instability in a temperature range from 10 K to 300 K.The drain currents increasing by steps with the gate voltage are clearly observed from 10 K to50 K,which is attributed to the electron transport through one-dimensional(1D) subbands formed in the nanowire.Besides,the device exhibits a better low-field electron mobility of 290 cm2·V-1·s-1,implying that the silicon nanowires fabricated by femtosecond laser have good electrical properties.This approach provides a potential application for nanoscale device patterning. 展开更多
关键词 junctionless nanowire transistor femtosecond laser lithography electron mobility quantum transport
下载PDF
Heavy Ion and Laser Microbeam Induced Current Transients in SiGe Heterojunction Bipolar Transistor 被引量:1
4
作者 Pei Li Chao-Hui He +4 位作者 Gang Guo Hong-Xia Guo Feng-Qi Zhang Jin-Xin Zhang Shu-Ting Shi 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第10期100-103,共4页
Silicon-germanium (SiGe) hereto-junction bipolar transistor current transients induced by pulse laser and heavy iron are measured using a real-time digital oscilloscope. These transients induced by pulse laser and h... Silicon-germanium (SiGe) hereto-junction bipolar transistor current transients induced by pulse laser and heavy iron are measured using a real-time digital oscilloscope. These transients induced by pulse laser and heavy iron exhibit the same waveform and charge collection time except for the amplitude of peak current. Different laser energies and voltage biases under heavy ion irradiation also have impact on current transient, whereas the waveform remains unchanged. The position-correlated current transients suggest that the nature of the current transient is controlled by the behavior of the C/S junction. 展开更多
关键词 HBT Heavy Ion and laser Microbeam Induced Current Transients in SiGe Heterojunction Bipolar transistor
下载PDF
A single-event transient induced by a pulsed laser in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor 被引量:1
5
作者 孙亚宾 付军 +10 位作者 许军 王玉东 周卫 张伟 崔杰 李高庆 刘志弘 余永涛 马英起 封国强 韩建伟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第5期49-54,共6页
A study on the single event transient (SET) induced by a pulsed laser in a silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) is presented in this work. The impacts of laser energy and collector lo... A study on the single event transient (SET) induced by a pulsed laser in a silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) is presented in this work. The impacts of laser energy and collector load resistance on the SET are investigated in detail. The waveform, amplitude, and width of the SET pulse as well as collected charge are used to characterize the SET response. The experimental results are discussed in detail and it is demonstrated that the laser energy and load resistance significantly affect the SET in the SiGe HBT. Furthermore, the underlying physical mechanisms are analyzed and investigated, and a near-ideal exponential model is proposed for the first time to describe the discharge of laser-induced electrons via collector resistance to collector supply when both base-collector and collector-substrate junctions are reverse biased or weakly forward biased. Besides, it is found that an additional multi-path discharge would play an important role in the SET once the base-collector and collector-substrate junctions get strongly forward biased due to a strong transient step charge by the laser pulse. 展开更多
关键词 single event transient (SET) pulsed laser charge collection SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT)
下载PDF
Charge trapping in surface accumulation layer of heavily doped junctionless nanowire transistors 被引量:1
6
作者 马刘红 韩伟华 +2 位作者 王昊 杨香 杨富华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期587-591,共5页
We investigate the conductivity characteristics in the surface accumulation layer of a junctionless nanowire transistor fabricated by the femtosecond laser lithography on a heavily n-doped silicon-on-insulator wafer. ... We investigate the conductivity characteristics in the surface accumulation layer of a junctionless nanowire transistor fabricated by the femtosecond laser lithography on a heavily n-doped silicon-on-insulator wafer. The conductivity of the accumulation region is totally suppressed when the gate voltage is more positive than the flatband voltage. The extracted low field electron mobility in the accumulation layer is estimated to be 1.25 cm^2·V^-1·s^-1. A time-dependent drain current measured at 6 K predicts the existence of a complex trap state at the Si–Si O2 interface within the bandgap. The suppressed drain current and comparable low electron mobility of the accumulation layer can be well described by the large Coulomb scattering arising from the presence of a large density of interface charged traps. The effects of charge trapping and the scattering at interface states become the main reasons for mobility reduction for electrons in the accumulation region. 展开更多
关键词 junctionless nanowire transistors TRAP femtosecond laser lithography electron mobility
下载PDF
Evaluation of Two Si Layers Simultaneously Crystallized LTPS-TFT Memory by the Green Laser Irradiation
7
作者 Kazunori Ichikawa Hiroshi Akamatsu +2 位作者 Koji Yamasaki Masahiro Horita Yukiharu Uraoka 《材料科学与工程(中英文B版)》 2013年第6期375-378,共4页
关键词 激光照射 一次结晶 硅层 闪速存储器 内存 评估 A-SI 准分子激光器
下载PDF
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment 被引量:2
8
作者 李培 郭红霞 +7 位作者 郭旗 张晋新 肖尧 魏莹 崔江维 文林 刘默寒 王信 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期609-612,共4页
In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser microbeam experiment. A three-dimensional(3D) simulation m... In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser microbeam experiment. A three-dimensional(3D) simulation model is established, the single event effect(SEE) simulation is further carried out on the basis of Si Ge HBT devices, and then, together with the laser microbeam test, the charge collection behaviors are analyzed, including the single event transient(SET) induced transient terminal currents, and the sensitive area of SEE charge collection. The simulations and experimental results are discussed in detail and it is demonstrated that the nature of the current transient is controlled by the behaviors of the collector–substrate(C/S) junction and charge collection by sensitive electrodes, thereby giving out the sensitive area and electrode of SiGe HBT in SEE. 展开更多
关键词 Si Ge heterojunction bipolar transistor single event effect three-dimensional numerical simulation laser microbeam experiment
下载PDF
非熔性脉冲激光退火绝缘栅双极晶体管仿真研究
9
作者 刘阳 袁和平 +2 位作者 陈译 何堤 林岚杰 《电子元件与材料》 北大核心 2024年第11期1406-1411,1417,共7页
在半导体加工领域,快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)工艺是提升绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)电学性能的有效方式之一,但会导致杂质再扩散现象严重、晶格修复不完整、机械性能下降等缺陷。为解决... 在半导体加工领域,快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)工艺是提升绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)电学性能的有效方式之一,但会导致杂质再扩散现象严重、晶格修复不完整、机械性能下降等缺陷。为解决以上问题,通过非熔性脉冲激光退火工艺,研究了激光波长分别为193,248,308,532 nm对IGBT温度场、杂质浓度、结深和电学性能的影响。与RTA工艺相比,非熔性脉冲激光退火后的IGBT杂质分布均匀,结深和电学性能得到明显优化;其中193 nm的短波长脉冲激光退火后的IGBT性能提升最为明显,饱和集电极电流提升了10.99%,导通压降和结深分别降低了4.05%和12.26%。结果表明,在以上几种波长中,193 nm的短波长脉冲激光是制备超浅结IGBT的最佳选择,该研究可为激光退火IGBT提供技术支持。 展开更多
关键词 非熔性脉冲激光 绝缘栅双极晶体管 温度场 结深 电学性能
下载PDF
纳秒脉冲半导体激光驱动器的研究 被引量:14
10
作者 刘旭升 林久令 +1 位作者 张海明 王晋疆 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期445-448,共4页
为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于M arx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪崩晶体管的选取。该驱动器采用一级小雪崩管对触发脉冲进行陡化,由小雪崩管产生的脉冲对M arx bank电路... 为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于M arx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪崩晶体管的选取。该驱动器采用一级小雪崩管对触发脉冲进行陡化,由小雪崩管产生的脉冲对M arx bank电路进行触发,以获得大电流窄脉冲,用于驱动半导体激光器。设计所得驱动器的峰值电流为12.5A、半峰全宽为1.51ns、重复频率为100kHz,实现了大幅度纳秒脉冲半导体激光驱动器的设计要求。结果表明,对触发脉冲的陡化,可以降低后一级M arx bank电路的雪崩电压,同时使得脉宽更窄,这将更加有利于驱动半导体激光器。 展开更多
关键词 激光器 纳秒 雪崩晶体管 雪崩电压
下载PDF
TFT-LCD及触摸屏玻璃基板激光断切现象研究
11
作者 代冬生 《现代制造技术与装备》 2024年第6期22-24,共3页
激光切割技术已经成为玻璃生产及加工领域中的一种成熟的工业加工技术,具备高精度、高速度、高质量、高效率的优点。断切现象是薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquid CrystalDisplay,TFT-LCD)及触摸屏玻璃基板激光切割的质量... 激光切割技术已经成为玻璃生产及加工领域中的一种成熟的工业加工技术,具备高精度、高速度、高质量、高效率的优点。断切现象是薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquid CrystalDisplay,TFT-LCD)及触摸屏玻璃基板激光切割的质量问题之一。文章从设备接地、激光器出光功率稳定性、光路和软体系统信号对接4个方面分析短切现象产生的原因,并给出相应的处理方法,以期为常见激光切割质量问题的处理提供参考。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD) 触摸屏 玻璃基板 激光切割 断切
下载PDF
锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量:5
12
作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
下载PDF
激光对固态电解质金属氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:1
13
作者 杨倩 杜世远 边锐 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1103-1109,共7页
基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质金属氧化物薄膜晶体管调控方式工艺复杂、制备时间长的问题,本文采用高k固态电解质Ta2O5作为栅绝缘层,透... 基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质金属氧化物薄膜晶体管调控方式工艺复杂、制备时间长的问题,本文采用高k固态电解质Ta2O5作为栅绝缘层,透明氧化铟锡(ITO)作为有源层以及源漏电极,在沉积半导体层和电极之前,利用飞秒激光对Ta2O5绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光强度对固态电解质金属氧化物晶体管电学性能的影响。随着激光强度的提高,晶体管的开态电流提高,阈值电压负向漂移。同时,本文进一步探索了激光对固态电解质晶体管突触性能的影响,兴奋性后突触电流(EPSC)随着激光强度的增强而增加。XPS测试表明,Ta2O5薄膜中氧空位含量增多,从而导致器件电导的变化。本文利用激光优异的加工处理速度和对材料性能的精确控制,提出了一种简单、快速(<1 s)、低温(<45℃)地调控晶体管性能的方式。 展开更多
关键词 固态电解质 金属氧化物薄膜晶体管 激光
下载PDF
科学中的计划和自由 被引量:15
14
作者 樊春良 《科学学研究》 CSSCI 北大核心 2002年第1期5-10,共6页
计划和自由之间的关系是贯穿 2 0世纪科学发展的一个重要政策议题 ,充分反映了科学与社会之间不断变化的互动关系。本文考察了 2 0世纪有关计划和自由之间关系政策争论的内容和意义 ,通过分析科学史上的案例 。
关键词 计划 自由 基础研究 国家目标 激光 晶体管 科学 科学政策
下载PDF
半导体激光器驱动电路的计算机仿真分析 被引量:4
15
作者 张晶 刘东明 《计算机仿真》 CSCD 北大核心 2009年第12期356-359,共4页
直接调制的大电流窄脉宽驱动电源是半导体激光器获得高峰值功率输出的重要保证。为了研究半导体激光器驱动电路,提高系统的精度和抗干扰能力,采用计算机仿真的方法分析了半导体激光器脉冲电源基本电路和雪崩晶体管脉冲电源电路。通过仿... 直接调制的大电流窄脉宽驱动电源是半导体激光器获得高峰值功率输出的重要保证。为了研究半导体激光器驱动电路,提高系统的精度和抗干扰能力,采用计算机仿真的方法分析了半导体激光器脉冲电源基本电路和雪崩晶体管脉冲电源电路。通过仿真结果表明,脉冲电源中元件的寄生电感及串联电阻对激光器工作电流脉冲的波形影响很大。当寄生电感小时,放电电流波形的上升时间就短。可为设计半导体激光器驱动电路时,提供选取R、C、L的依据,并保证工作在欠阻尼的情况下,要获得最大的放电电流,储能电容器上的充电电压要高,使电路的串联电阻尽量要小。 展开更多
关键词 计算机仿真 激光驱动电路 雪崩晶体管
下载PDF
激光二极管驱动电源的设计 被引量:4
16
作者 赵涛 陈玉敏 《现代电子技术》 北大核心 2015年第24期159-162,共4页
设计实现了分布式光纤测温系统(DTS)中的激光二极管驱动电源。首先研究激光二极管对驱动电源的要求及技术指标,比较目前几种设计方法的优缺点,分析雪崩三极管的工作原理和参数选择因素,并选择雪崩三极管ZTX415,最后由同步触发信号产生... 设计实现了分布式光纤测温系统(DTS)中的激光二极管驱动电源。首先研究激光二极管对驱动电源的要求及技术指标,比较目前几种设计方法的优缺点,分析雪崩三极管的工作原理和参数选择因素,并选择雪崩三极管ZTX415,最后由同步触发信号产生电路、预雪崩电路、雪崩电路三部分设计实现了激光二极管的驱动电源。其中预雪崩电路采用开关三极管获得纳秒级脉冲并进行功率放大,降低了对雪崩三极管的参数要求。实验结果表明,设计合理,参数正确,并已成功应用于光纤测温系统中。 展开更多
关键词 DTS 激光二极管 雪崩三极管 触发信号
下载PDF
驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术 被引量:7
17
作者 杨澍 荆海 +5 位作者 廖燕平 马仙梅 孔祥建 黄霞 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期167-175,共9页
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释... 基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法。对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向。 展开更多
关键词 电子纸 电子墨水 薄膜晶体管 柔性金属基板 激光释放塑基电子技术 激光退火表面释放技术 有机薄膜晶体管
下载PDF
XeCl激光晶化制备多晶硅薄膜及椭偏谱分析
18
作者 曾祥斌 徐重阳 +3 位作者 戴永斌 王长安 周雪梅 赵伯芳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期276-278,共3页
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开关态电流比为 1× 10 7。采用椭偏光谱法分析了薄膜的结构 ,并提出多层膜模型模拟薄膜结构。测... 采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开关态电流比为 1× 10 7。采用椭偏光谱法分析了薄膜的结构 ,并提出多层膜模型模拟薄膜结构。测量结果与计算数据十分吻合。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 激光晶化 椭偏谱 XECL
下载PDF
CO_2激光器高压脉冲触发系统的设计 被引量:14
19
作者 张兴亮 郭立红 +1 位作者 张传胜 孟范江 《中国光学》 EI CAS 2012年第4期416-422,共7页
为了稳定可靠地触发CO2激光器旋转火花开关,设计了一套高压脉冲触发系统并且提出了一种新型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动与保护方法。根据CO2激光器中旋转火花开关的触发结构,应用复杂可编程逻辑器件(CPLD)芯片EPM3512开发了可以输出10... 为了稳定可靠地触发CO2激光器旋转火花开关,设计了一套高压脉冲触发系统并且提出了一种新型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动与保护方法。根据CO2激光器中旋转火花开关的触发结构,应用复杂可编程逻辑器件(CPLD)芯片EPM3512开发了可以输出100~500 Hz重频脉冲信号以及单次脉冲信号的触发信号源;应用光耦HCPL-3120设计了具有过流、过压保护功能兼有电磁兼容(EMC)设计的IGBT驱动电路;对高压脉冲变压器进行建模并通过PSPICE软件仿真;搭建了实验平台,进行了联机性能测试。实验结果表明:在500 Hz的重复频率下,高压脉冲触发系统可连续稳定地输出高于38 kV的高压重频脉冲,基本满足CO2激光器的旋转火花开关稳定可靠触发的要求。 展开更多
关键词 CO2激光器 火花开关 绝缘栅双极晶体管 脉冲变压器
下载PDF
两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管
20
作者 曾祥斌 徐重阳 +1 位作者 戴永兵 王长安 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第3期93-95,共3页
采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉曼光谱 .测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 ... 采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉曼光谱 .测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 3 cm2 /( V·s) ,ION/IOF F为 1 0 6 ,分别是传统单步晶化制备的薄膜晶体管的2 .5倍和 1 1倍 . 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 激光晶化 拉曼光普
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部