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Ground-State Phase Diagram of Transverse Spin-2 Ising Model with Longitudinal Crystal-Field 被引量:5
1
作者 ZHAO Jie WEI Guo-Zhu XU Xing-Guang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期749-753,共5页
The transverse spin-2 Ising ferromagnetic model with a longitudinal crystal-field is studied within the mean-field theory based on Bogoliubov inequality for the Gibbs free energy. The ground-state phase diagram and th... The transverse spin-2 Ising ferromagnetic model with a longitudinal crystal-field is studied within the mean-field theory based on Bogoliubov inequality for the Gibbs free energy. The ground-state phase diagram and the tricritical point are obtained in the transverse field Ω/ zJ-longitudinal crystal D / zJ field plane. We find that there are the first order-order phase transitions in a very small range of D /zJ besides the usual first order-disorder phase transitions and the second order-disorder phase transitions, 展开更多
关键词 transverse spin-2 ising model longitudinal crystal field ground state phase diagram first orderorder phase transition
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CRITICAL BEHAVIOR OF S -3/2 ISING MODEL IN RANDOM LONGITUDINAL AND TRANSVERSE FIELDS
2
作者 宋为基 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第2期41-46,共6页
The phase diagrams and the other crtical properties of S-3/2 Ising model in random longitudinal and transverse fields(RLIM) are dicussed with the approximate scheme combined by mean-field renormalization group theory(... The phase diagrams and the other crtical properties of S-3/2 Ising model in random longitudinal and transverse fields(RLIM) are dicussed with the approximate scheme combined by mean-field renormalization group theory(MFRG) and the discretized path-integral representation(DPIR). 展开更多
关键词 平均数领域 重正化群理论 离散路径-积分表示法 临界行为 随机纵横领域 RLIM MFRG DPIR 伊辛模型
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Phase Transition for a Mixed Spin-1/2 and Spin-sB System with a Transverse CrystalField
3
作者 JIANGWei XIAOGui-Bin +2 位作者 WEIGuo-Zhu DUAn ZHANGQi 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2004年第1期131-134,共4页
The critical behaviors of a mixed spin-1/2 and spin-sB Ising system with a transverse crystal field are studiedby use of the effective-field theory with correlations. The effect of the transverse crystal field on tran... The critical behaviors of a mixed spin-1/2 and spin-sB Ising system with a transverse crystal field are studiedby use of the effective-field theory with correlations. The effect of the transverse crystal field on transition temperaturesis investigated numerically for the honeycomb (z = 3) and square (z = 4) lattices. The results show that there is notricritical point for the system. 展开更多
关键词 ising model transverse crystal field phase diagram
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三维Ising模型的蒙特卡罗模拟 被引量:2
4
作者 黄纯青 邓绍军 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期937-941,共5页
采用蒙特卡罗(Monte Carlo)重点抽样法对三维Ising模型进行计算机模拟,测量无外磁场时三维Ising模型中自旋键链的能量、磁化强度、比热及磁化率的统计平均值与标准误差(不确定度).结果表明,三维Ising模型在无外磁场时存在自发磁化现象,... 采用蒙特卡罗(Monte Carlo)重点抽样法对三维Ising模型进行计算机模拟,测量无外磁场时三维Ising模型中自旋键链的能量、磁化强度、比热及磁化率的统计平均值与标准误差(不确定度).结果表明,三维Ising模型在无外磁场时存在自发磁化现象,铁磁→非铁磁相变临界点在J/(kBTC)=0.222 0,或居里温度TC=4.500 0处.并研究存在外磁场时上述物理量随温度与外磁场的变化规律,给出物理解释. 展开更多
关键词 三维ising模型 重点抽样法 相变临界点 温度 外磁场
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二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为 被引量:1
5
作者 丁直 晏世雷 《常熟理工学院学报》 2013年第4期29-34,共6页
在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对三临界点的... 在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对三临界点的作用值得更多研究.在T-D相图中,负晶场比例较大降低有序相,正晶场比例较大增大有序相;强二模磁场和横场都抑制有序相,但强二模磁场有利于三临界点的出现,而横场抑制三临界点.在T-Ω相图中,晶场和晶场浓度对有序相范围有显著影响. 展开更多
关键词 混合自旋横向ising模型 临界行为 随机晶场 二模磁场
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具有三模外场和晶场作用的横场Ising模型的临界性质研究
6
作者 李敦然 晏世雷 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期39-43,共5页
在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;... 在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏. 展开更多
关键词 横场ising模型 临界性质 晶场 三模外场
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横向Ising铁磁性薄膜的临界行为
7
作者 吴祖嵋 杨传章 李振亚 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1989年第1期60-64,共5页
本文采用相关有效场理论和横向Isjng 横型,讨论了简立方结构铁磁性薄膜的临界温度的厚度效应及其与横场的关系,以及横场临界值与薄膜厚度的关系.
关键词 有效场理论 横向伊辛模型 临界行为
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三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化
8
作者 许玲 晏世雷 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期33-36,共4页
在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.
关键词 横向晶场稀疏ising模型 相变行为 磁化
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基于纵场Ising模型对磁性材料受温度影响的蒙特卡洛模拟研究
9
作者 肖立勇 纪登辉 《煤炭与化工》 CAS 2018年第10期127-129,138,共4页
Ising模型是研究铁磁性的一个重要模型。运用蒙特卡洛模拟方法对不同初始条件和不同特征温度的纵场Ising模型进行了模拟,研究了在不同的初始条件和特征温度下的Ising模型的磁化方向以及磁化临界温度的变化情况。通过计算模拟发现:体系... Ising模型是研究铁磁性的一个重要模型。运用蒙特卡洛模拟方法对不同初始条件和不同特征温度的纵场Ising模型进行了模拟,研究了在不同的初始条件和特征温度下的Ising模型的磁化方向以及磁化临界温度的变化情况。通过计算模拟发现:体系特征温度TC<1.99时,体系的磁性稳定;体系特征温度1.99 <TC<2.27时,磁化方向会反转;体系特征温度2.27 <TC<2.30时,体系的磁性在不定向改变;当特征温度TC> 2.30时,体系的磁性就消失。 展开更多
关键词 ising模型 蒙特卡洛模拟 纵场ising模型 临界温度
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超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)
10
作者 凌瑞良 聂鹏飞 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第4期66-71,共6页
采用平均场理论下的横场Ising模型 ,得到同时考虑Ωs≠Ω ,Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式 利用所得出的居里温度表达式 ,分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面赝自旋相互作用和表面隧穿频率的关系 ,通过分析 。
关键词 超薄铁电膜 表面效应 横场ising模型 居里温度 赝自旋相互作用 薄膜层数 表面隧穿频率
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在横场中(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠
11
作者 翟孝月 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期32-35,共4页
通过引入negativity的概念,研究了(1/2,1)混合自旋各向异性XY模型的量子纠缠,得到了两个自旋在外场中的有限温度时的量子纠缠的数值结果.发现该系统存在一个临界温度Tc,当温度大于Tc时,量子纠缠消失.
关键词 量子纠缠 NEGATIVITY 混合自旋 各向异性 XY模型 横场 临界温度
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磁性薄膜的临界温度和临界参数的解析方法讨论
12
作者 吴强 周虹君 《渝西学院学报(自然科学版)》 2004年第4期13-17,共5页
运用变分累积展开方法研究了伊辛薄膜的临界温度和临界指数 ,并和实验结果进行了比较 .应用相关有效场理论研究了海森堡薄膜的临界行为 ,并把两种方法进行了比较 。
关键词 海森堡模型 伊辛模型 相关有效场 临界温度 临界指数
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S=1伊辛模型的有限集团近似
13
作者 宋为基 杨传章 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第2期57-64,共8页
用有限集团近似法(FCA)研究了存在晶场的情况或无规键情况下S-1横向伊辛模型的特性.数值计算了蜂窝状格子的相图。由有限集团近似得出的结果要比标准的平均场近似得出的结果好。
关键词 有限集团近似 伊辛模型 晶场 无规键
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超薄铁电膜的居里温度及其表面效应
14
作者 凌瑞良 聂鹏飞 《常熟高专学报》 2000年第2期36-39,共4页
采用平均场理论下的横场 Ising模型,得到同时考虑Ωs≠Ω,Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式,进一步研究除发现存在临界表面层隧穿频率.Ωsc外还发现由Js/J=
关键词 超薄铁电膜 表面效应 横场ising模型 居里温度
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晶场中自旋为1的横向伊辛模型的相图(英文)
15
作者 杨蓉 宋为基 杨传章 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1997年第2期86-92,共7页
用平均场近似方法研究了纵场中横向伊辛模型的晶场效应,绘出相图,并计算了纵向磁化、横向磁化和四极柜。
关键词 横向伊辛模型 晶场 临界温度 相图 伊辛模型
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弱横场S=1I_(sing)系统的晶场效应 被引量:1
16
作者 张学龙 《渝州大学学报》 1994年第2期34-38,共5页
利用离散路径积分表示与两自旋集团近似相结合的方法,研究了在弱横场作用下具有自旋为1的I(sing)模型的晶场效应,得到了系统的自由能和临界横场的解析表达式。
关键词 伊辛模型 两自旋集团 弱横场 晶场效应
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横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究 被引量:5
17
作者 许玲 晏世雷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1691-1696,共6页
在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在... 在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较. 展开更多
关键词 横向随机晶场 ising模型 相图 磁化行为
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