Vishay推出TrenchFET Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET

2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2 mm×2 mm,在—4.5 V和—10 V栅极驱动下的导通电阻是—12 V、—20 V和—30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。

Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布新的8mm×8mm×1.8mm PowerPAK?8×8L封装40V TrenchFET?功率MOSFET-SQJQ402E,目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装,实现大电流,并能节省空间和功耗的方案。该款40VTrenchFET?

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET~第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.发布采用其新型P通道TrenchFET~第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161。