体内注入TrenchMOS模型研究

围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入TrenchMOS的概念。体内注入结构巧妙利用体内耗尽层分压的方法优化器件特性。专业软件Medici的仿真结果表明:改进结构在同样的耐压水平下,能减小器件导通电阻44.73%、栅漏电荷19.51%,并且工艺兼容、附加工艺少。