等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。

射频微波器件频率可调谐的实现方法

主要介绍了射频微波器件频率可调谐的实现方法,即开关选频、变容器件调频和磁场调谐的方法。介绍了各方法的工作原理,重点分析了其研究现状及优缺点,并进行了综合对比,指出射频微波器件频率可调谐方法的发展方向。