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Synthesis of VIB Group Metals Silicides Dispersed Powders by Electrolysis of Halide-Oxide Melts
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作者 Liliia Molotovska Dmytro Shakhnin +4 位作者 Natalia Uskova Ganna Nikulina Vladymyr Cherednik Serge Stukota Viktor Malyshev 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2016年第1期7-12,共6页
Study of electrochemical behavior of chromium (molybdenum, tungsten) and silicon containing melts allowed defining conditions for synthesis of silicides of chromium, molybdenum and tungsten in the form of fine powde... Study of electrochemical behavior of chromium (molybdenum, tungsten) and silicon containing melts allowed defining conditions for synthesis of silicides of chromium, molybdenum and tungsten in the form of fine powders by electrolysis of halide-oxide melts. Sequence of stages of electrosynthesis of silicides of molybdenum and tungsten was found as follows: deposition of more electroposifve metal (molybdenum or tungsten), deposition of the second component (silicon) on the surface of metal deposited previously, and reaction diffusion of silicon into the deep of the metal-salt "pear" with the formation of silicide phases of different compositions up to the higher silicides. In contrast, during the electrodeposition of chromium silicides, one of the components (chromium) is deposited not in elemental form, but in oxide form, and the other (silicon) acts as a reducing agent for this oxide to form binary compounds. Duration of the synthesis first stage (deposition of refractory metal or of its oxide) depends on the refractory metal compound content in the system and on the cathode current density. Synthesis of silicides is possible due to retention of powders of molybdenum (tungsten) or chromium oxide at the cathode without scaling. Optimal values of concentrations ratio, current density, temperature, and duration of electrosynthesis were found. Phase composition of products were obtained, as well as their chemical and thermal stability, were studied. 展开更多
关键词 Chromium MOLYBDENUM tungsten silicideS synthesis dispersed powders ionic melts.
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MoSi_2和WSi_2相结构和性能的电子理论研究 被引量:10
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作者 周飞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期462-464,共3页
根据固体与分子经验电子理论 ,对MoSi2 和WSi2 相进行价电子结构分析 ,通过键距差 (BLD)方法 ,计算了MoSi2 和WSi2 晶体中各键上的共价电子数 .结果表明 :MoSi2 和WSi2 相是靠键距为2a2 +(c3) 2 2的Mof—Sic,Wf—Sic 最强键连接的 ,该... 根据固体与分子经验电子理论 ,对MoSi2 和WSi2 相进行价电子结构分析 ,通过键距差 (BLD)方法 ,计算了MoSi2 和WSi2 晶体中各键上的共价电子数 .结果表明 :MoSi2 和WSi2 相是靠键距为2a2 +(c3) 2 2的Mof—Sic,Wf—Sic 最强键连接的 ,该键上共价电子数的大小将影响化合物的硬度 ,并且该键的键能大小将影响化合物的熔点 ,化合物的强度可由 η=nc/nt来衡量 . 展开更多
关键词 二硅化钼 二硅化钨 性能 电子理论研究 相结构
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广义张量对称类的基
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作者 魏海新 《沈阳化工学院学报》 2000年第3期238-240,共3页
设G是Sm 的子群 ,f是群代数元 ,Tf=∑σ∈Gf(σ)P(σ)为张量空间 m V的对称化算子 ,称ImTf 为广义张量对称类 ,并给出ImTf 的基的构造 .
关键词 群代数 对称化算子 广义张量对称类 张量代数
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半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展 被引量:3
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作者 李保强 陈金 +2 位作者 刘文迪 黄志民 李秋红 《中国钨业》 CAS 2020年第3期48-55,共8页
钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理... 钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。 展开更多
关键词 半导体 钨硅薄膜 物理气相沉积 化学气相沉积 应用现状
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硅化钨MIP电容侧墙淀积工艺优化
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作者 董颖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期542-545,共4页
硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象。通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化钨的表面会产生富钨硅化物,它与氧气... 硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象。通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化钨的表面会产生富钨硅化物,它与氧气反应时会形成氧化钨,从而造成硅化钨膜的剥落。为避免氧化钨的形成,从减少富钨硅化物的形成、降低钨化硅与氧气的反应温度,以及减少参与反应的氧气量三个方面着手,在大量工艺试验的基础上提出了一种能有效防止硅化钨膜剥落的优化工艺。 展开更多
关键词 硅化钨(wsix) 剥落 氧化钨(WO3) 退火温度 进出炉温
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用X射线晶片分析器同时测定硅片上薄膜的厚度及组成
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作者 河野久征 小林宽 《分析测试仪器通讯》 1995年第2期79-92,共14页
晶片专用X射线荧光分析装置在半导体工业中被用于多种工程的评价。在半导体分析中XRF法的显著特征是能分析各种薄膜(氧化膜、硅化物膜、金属膜等);能同时分析晶片上同一部位的膜厚及组成;XRF法是非破坏分析,因受化学键的影响不大,同一... 晶片专用X射线荧光分析装置在半导体工业中被用于多种工程的评价。在半导体分析中XRF法的显著特征是能分析各种薄膜(氧化膜、硅化物膜、金属膜等);能同时分析晶片上同一部位的膜厚及组成;XRF法是非破坏分析,因受化学键的影响不大,同一个试样可以反复使用。 厚度在400nm以上的掺硼磷硅玻璃(BPSG)膜的分析结果已做报道。近年,随着对半导体器件的高度集成化、高性能化(64 Mbit以上)要求的提高,希望能更准确地分析。作为有代表性的氧化膜——BPSG膜,为改善其在工程中的热处理特性,B_2O_3、P_2O_5的浓度控制是不可缺少的。为了满足这些要求,必须分析更薄的薄膜(300nm以下),在薄膜分析中的关键问题是B Kα背底的变动。 B分析的新光学系统改善了声噪比(S/N),使250nm以上的BPSG膜的分析成为可能。为了提高晶片分析器的性能,在装置上做了一些改良:真空度的稳定化;减轻污染的特制真空泵;分光室部分的恒温化。新的晶体分析器无论在短期或长期的测定,对10%B_2O_3的测定能做到1%的相对精度。 对在硅晶片上的钨硅化物的分析,不能使用W Lα及Si Kα两种谱线,而应使用W的两种谱线(浓度分析用W-N线,膜厚分析对用W-Lα线)。 膜厚测定的相对精度在0.2%以下,对于Si/W=2.5,摩尔比精度约0.015%(相对精度约为0.56%)。 展开更多
关键词 掺硼磷硅玻璃(BPSG) 钨硅化物 X射线荧光光谱法(XRF) 基本参数(FP)法 晶体分析器 半导体
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高纯W-Si合金粉的研制
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作者 丁照崇 陈明 +2 位作者 刘书芹 王欣平 吕保国 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1269-1271,共3页
以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%... 以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%以上。采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题。 展开更多
关键词 高纯W-Si 预合金化 磁控溅射靶材
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Mo元素的掺杂对Ta-10W合金用Si-Ti-Hf涂层高温抗氧化性能的影响 被引量:3
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作者 盛晓晨 孟佳 +1 位作者 严彪 乐军 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2021年第5期33-39,共7页
本文为解决钽钨合金(Ta-10W)在500℃时出现"pest"氧化现象的问题,采用料浆熔烧法在钽钨合金(Ta-10W)表面制备高温抗氧化涂层,通过在Si-Ti-Hf料浆中掺杂Mo元素对涂层进行改性,调整了涂层的热膨胀系数,制备出更均匀致密平整的... 本文为解决钽钨合金(Ta-10W)在500℃时出现"pest"氧化现象的问题,采用料浆熔烧法在钽钨合金(Ta-10W)表面制备高温抗氧化涂层,通过在Si-Ti-Hf料浆中掺杂Mo元素对涂层进行改性,调整了涂层的热膨胀系数,制备出更均匀致密平整的涂层。研究掺杂不同含量的Mo元素对涂层高温抗氧化性能的影响:Mo元素掺杂越多,涂层的热膨胀系数与基材越接近,涂层的微裂纹越少,抗氧化性能越优异;而与此同时,涂层中形成的MoSi_(2)含量也越高,氧化成气态的MoO_(3)含量也更多,不利于涂层的高温抗氧化性能;当掺杂2%Mo元素时,涂层的高温抗氧化性能最优并分析涂层的抗氧化及失效机理。 展开更多
关键词 钽钨合金 Mo元素掺杂 高温抗氧化 硅化物涂层
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