基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟

采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe_(2)纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1);在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm^(2)·V^(‒1)·s^(‒1).