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Type-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况
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作者 宋振宇 王一丁 +3 位作者 安宇鹏 李黎 曹峰 张宇 《红外》 CAS 2007年第12期38-42,共5页
目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流... 目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流密度为31A/cm^2,特征温度也达到了103K。 展开更多
关键词 type-ⅱ型w结构激光器 多量子阱 俄歇复合 自由载流子吸收
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