直流电弧等离子体球化U_3Si_2粉体

研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar +He气氛下对粒度为 1 0～ 1 5 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化。球化率达 90 %。

直流电弧等离子体球化U_3Si_2粉体

研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar+He气氛下对粒度为 10～ 15 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化 ,球化率达 90 %。