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采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)
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作者 苏树兵 刘训春 +4 位作者 刘新宇 于进勇 王润梅 徐安怀 齐鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期434-437,共4页
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0... 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0·2V,膝点电压仅为0·5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz ,最大振荡频率为72GHz ,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用. 展开更多
关键词 自对准发射极 磷化铟 单异质结双极晶体管 T型发射极 u型发射极图形
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