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基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管
1
作者
赵瑞英
靳晓诗
《微处理机》
2022年第3期13-16,共4页
为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的...
为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度,使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加,从而实现更高的开态电流。通过实验,将新结构与HSB-BTFET比较,表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比。
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关键词
高肖特基势垒
高导通电流
u型栅
亚阈值摆幅
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职称材料
题名
基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管
1
作者
赵瑞英
靳晓诗
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
出处
《微处理机》
2022年第3期13-16,共4页
文摘
为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度,使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加,从而实现更高的开态电流。通过实验,将新结构与HSB-BTFET比较,表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比。
关键词
高肖特基势垒
高导通电流
u型栅
亚阈值摆幅
Keywords
High Schottky barrier
High on-state c
u
rrent
u
-shaped gate
S
u
bthreshold swing
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管
赵瑞英
靳晓诗
《微处理机》
2022
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