期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
1
作者
李秀然
刘宇
+2 位作者
王鹏
李秀莹
沈思杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期627-632,共6页
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和...
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(TransLC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷。通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98%~99%,无漏电失效现象。
展开更多
关键词
u
型
沟槽
mosfet
(
umosfet
)
漏电失效
湿氧工艺
场氧化层
反式二氯乙烯(Trans_LC)
下载PDF
职称材料
题名
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
1
作者
李秀然
刘宇
王鹏
李秀莹
沈思杰
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期627-632,共6页
文摘
针对U型沟槽MOSFET(UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验。采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征。结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(TransLC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷。通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98%~99%,无漏电失效现象。
关键词
u
型
沟槽
mosfet
(
umosfet
)
漏电失效
湿氧工艺
场氧化层
反式二氯乙烯(Trans_LC)
Keywords
u
-shaped trench
mosfet
(
umosfet
)
leakage fail
u
re
wet oxide process
filed oxide layer
trans-dichloroethylene (Trans_LC)
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善
李秀然
刘宇
王鹏
李秀莹
沈思杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部