具有辅助栅的新型低泄漏U沟道无结场效应晶体管

该文首次提出了一种具有辅助栅的U沟道无结场效应晶体管,通过研究各器件参数变化对所提出的新型器件性能造成的影响,来分析器件的电学特性。通过优化器件参数,关断状态时的反向泄漏电流会被有效减小,将优化后的器件与没有加辅助栅的U沟道无结场效应晶体管做对比仿真,得到它的I-V特性与亚阈值特性。该文中的所有仿真均使用Silvaco TCAD来完成。