热等静压处理对U/Al镀层界面特性的影响

采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线结构衍射仪(XRD)及拉伸实验等方法,研究了铀(U)上磁控溅射A l镀层在480℃,2小时,60 MPa条件下热等静压(H IP)处理对界面特性以及膜基结合强度的影响.结果表明:经H IP处理后,镀层密度达到了其理论密度;镀层由柱状晶转变为致密的层状结构,在界面处A l、U元素形成了互扩散,并生成了金属间化合物UA l2和UA l3;膜基结合形成了冶金结合,结合强度有所增强.

核电厂堆用^(235)U裂变电离室性能影响因素模拟研究

为了研制性能更加优异的核电厂堆用^(235)U裂变电离室,利用Geant4模拟软件研究了电离室外壳材料、^(235)U镀层厚度、^(235)U丰度及电极间距等参数对电离室性能的影响,并对^(235)U镀层样品进行了拉曼光谱分析。模拟结果表明:(1)1 mm厚的钛金属可作为堆用裂变电离室外壳;(2)^(235)U镀层最佳厚度约为3μm,镀层厚度的影响机制与“自吸收层”和“出射层”有关;(3)^(235)U丰度变化仅影响电离室探测效率,最佳镀层厚度不变;(4)当可电离气体压强分别为0.1 MPa和0.4 MPa时,电极间距分别大于等于6mm和3mm即可区分U原子衰变产生的a粒子信号。拉曼光谱分析结果表明镀层成分主要为U,O,与所建模型一致,保证了模拟结果的可靠性。

芯片制造的电化学处理技术

电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电化学技术置于最复杂的制造工艺技术之间。这些工艺技术被集成到用于芯片制造的300mm晶圆处理中。新材料和工艺的持续发展来满足微处理器件不断增加性能和小型化的趋势。电迁移问题和集成超低k电介质材料与Cu镀层的新抛光方法是芯片制造中的一个关键问题。发展一个适用成本低的无铅C4芯片封装互连是微电子工业的主要目标,微电子工业正作努力在几年里市场化无铅产品。