基于U-I曲线的单相自耦变GIC无功损耗算法

准确计算整个电网的地磁感应电流(GIC)无功扰动非常困难。针对超特高压电网广泛采用的单相自耦变压器,提出了一种基于变压器U-I曲线和铭牌参数计算变压器GIC无功损耗的方法,算法利用厂家提供的U-I曲线和铭牌参数建立ψ-i曲线解析模型,求取变压器的GIC无功扰动增量,适用于地磁暴影响评估的工程计算。算例分析结果验证了算法的有效性。

基于ΔU-I曲线分析法的配电变压器故障在线检测

配电变压器直接面对终端用户,其健康水平及运行状况的好坏直接关系着供电安全与可靠性,关系着整个电网的安全与稳定。为了能够准确、有效地实现配电变压器故障检测,文中提出了一种基于ΔU-I曲线分析法的配电变压器故障在线检测方法。基于电路磁路对偶原理,文中搭建了变压器电路模型,分别求取了变压器一次侧、二次侧电压及一次侧电流,作出了对应的ΔU-I曲线。设置变压器轴向位移故障、泄漏故障等对不同变压器故障类型对ΔU-I曲线的影响进行了研究。研究发现,通过ΔU-I曲线的半长轴(a)、半短轴(b)、离心率(e)、包围面积(S)等特征参数能够实现对配电变压器故障的在线检测。

从动态电路探讨电学元件U-I曲线两种斜率的使用

文章通过对一道动态电路习题教学中学生的几点疑问,从函数和电路两个角度展开分析研究,在此基础上给出了电学元件U-I曲线两种斜率的物理含义,并通过典例分析介绍了如何利用U-I曲线斜率求解电阻的方法.

多晶硅还原炉U-I曲线计算与分析

以18对棒多晶硅还原炉为研究对象,通过热量平衡,分析了硅棒辐射散热Q_1,进出气相物料焓变Q_2,以及反应热Q_3,计算了不同生长阶段还原电源系统需要供给的总功率P。同时结合多晶硅的电阻特性和欧姆定律,得到18对棒多晶硅还原炉的U-I曲线。在此基础上分析了还原炉内壁黑度ε_2、硅棒表面温度T1、SiHCl_3的进料曲线和硅棒长度l等对U-I曲线的影响。最后与实际运行过程中的U-I曲线进行了对比分析。本文结果可以直接作为18对棒多晶硅还原炉电源系统的U-I曲线,分析过程和计算方法也可为其他类型的多晶硅还原炉U-I曲线设计提供参考。

U-I曲线的物理意义

在稳恒电流当中,有许多图像问题,其中最重要的是U-I图像。下面就该图像的物理意义试作一讨论。 一、从电阻的定义式R=U/I和电阻定律看U-I图像 不考虑温度对电阻的影响。

U-I曲线的综合应用分析

在学习高中物理稳恒电流的过程中,存在哲诸多的图像问题,其中最为关键的则是U-I曲线的图像。本文就以U-I曲线的图像在高中物理的考题为例子进行分析。

基于超低频介损和U-I滞回曲线的XLPE电缆水树老化状态评估

为准确地评估交联聚乙烯(cross linked polyethylene,XLPE)电缆的水树老化程度,该文提出一种基于超低频介损和U-I滞回曲线的评估方法。对3组XLPE样本分别进行0、96和168h的加速水树老化,老化结束后采用快速超低频介损设备(very-low frequency dielectric loss detector,iFDS)在1mHz~1kHz范围内测试不同水树老化状态的XLPE电缆的介电频谱和不同频率下U-I滞回曲线。结果发现:水树老化后的电缆段在超低频段(1mHz~0.1Hz)的介损值显著增大,并在0.002和0.1Hz附近出现两个明显的松弛损耗峰。老化越严重的试样,U-I滞回曲线形变越严重。水树老化后电缆绝缘中产生了新的松弛极化过程,相较于单一频率0.1Hz下的介损值,超低频介电谱能够提供更丰富的绝缘状态信息。在1mHz下,U-I滞回曲线特性的偏转角变化率与曲线形变率均随超低频介损值的上升而增大,能够更加准确地评估电缆绝缘的水树老化程度。将超低频介损结合U-I滞回曲线可以有效地评估电缆绝缘的水树老化程度。

导体的U-I曲线和电源的外特性曲线的应用

导体的U-I曲线与电源的外特性曲线是闭合电路欧姆定律及一段导体的欧姆定律的重要应用,是学生必须理解、掌握并能灵活应用的知识,也是近年各地高考的热点和重点。本文在辨析二者基本概念的基础上,通过典型示例展示导体的U-I曲线与电源的外特性曲线的具体应用。

U-I、U-P、P-n关系曲线在磁电机定子线圈绕组设计中的应用(1)

本文阐述了磁电机U-I、U-P、P-n关系曲线绘制方法,介绍了利用U-I、U-P、P-n关系曲线对磁电机定子绕组进行调整的方法和示例。

光伏组件输出特性的异常分类研究

光伏组件异常直接影响到发电量与组件的使用寿命,及时发现光伏组件异常并消除异常,将直接提高光伏组件发电效率。为准确检测光伏组件的异常状态,以Matlab平台为基础,模拟6种光伏组件异常状态,并分析输出特性,提出以输出特性曲线的五特征法判断异常类型。用Python语言搭建概率神经网络,并用粒子群优化算法优化平滑因子。用粒子群优化概率神经网络(PSO-PNN)模型训练异常数据,结果表明:概率神经网络对数据集较敏感,在较大的数据集,模型分类准确率高,能有效检测光伏组件异常状态。

利用U—I特性曲线摄动法分析电压稳定性

对电力系统中关键节点的电源侧和负载侧的U－I静态特性曲线进行了研究，提出了通过比较两条特性曲线在交点处的斜率来判断电压稳定性的方法，并利用特性曲线的摄动来分析负载增长对电压稳定性的影响。

网页版快捷绘图程序辅助“二极管伏安特性研究”实验教学

二极管伏安特性研究实验是大学物理实验中的重要基础实验之一。测绘二极管的伏安特性曲线一般采用伏安法进行测量。在实验过程中,学生需要测量二极管两端的电压和流经二极管的电流,并用此来绘制二极管的伏安特性曲线。学生在实验过程中如果能够快捷绘图,以此来及时自检并发现测量数据的问题,对于提高“二极管伏安特性研究”实验的教学效率至关重要。我们采用JavaScript语言编写了快捷绘图程序,为学生提供了快捷网页绘图终端。学生在测量完数据后,通过手机浏览器进入绘图终端,输入测量数据,即可绘制电压和电流的关系曲线(U-I曲线)。“二极管伏安特性研究”实验教学过程中快捷网页绘图终端的引入,可以显著提高学生的学习效率和教师的授课效率。

基于电压下垂特性的MMC-MTDC协调控制策略

基于模块化多电平换流器的多端高压直流输电(modular multilevel converter based multi-terminal high voltage direct current,MMC-MTDC)系统中各个换流站的控制对整个系统电压和功率的稳定是至关重要的。基于电压与功率的关系进行设计的传统下垂控制器无法实现受端换流站之间的功率分配。针对这一问题,提出了一种基于电压下垂特性的多端组网协调控制策略。对MMC型换流站数学模型进行了详细地分析并根据多端直流组网结构的特点,推导出各换流站之间电压和电流关系。基于换流站U-I特性曲线,设计了电压外环控制器,通过改变U-I特性曲线的斜率即可实现换流站之间的功率分配。在PSCAD/EMTDC仿真平台上搭建了四端模型,仿真结果显示,通过调整U-I特性曲线斜率即可实现受端换流站功率按既定要求分配,验证了该控制策略的正确性和有效性。

光伏电池实用模型研究

本文介绍一种简化光伏电池工程应用模型,根据此模型模拟模拟任意外界温度、光照强度、光伏模块参数、电池串并联方式下组合下的光伏阵列U-I、U-P曲线。模型内部参数有效的进行优化处理,较好地反应了电池实际特性。MATALB软件建立仿真模型,将仿真结果与实际参数进行对比,效果较好。

直流配电网新型直流电压控制策略

直流配网在实际应用中要求对功率和直流电压的调节准确而快速。针对传统U-P下垂控制使母线电压偏离额定值,提出了下垂曲线分段和平移相配合的方法,既可以消除配网电压的静态偏差,又能防止直流电网在功率缺额较大时电压超出允许范围。然后,建立下垂控制作用下直流侧电压控制模型,用劳斯判据对所选下垂系数能否保持直流电压的稳定进行理论验证。最后根据Simulink仿真模型验证了所提策略对稳定直流配电网电压的可行性。

基于CNN-BiLSTM与DTW的非侵入式住宅负荷监测方法

为减少居民生活用电浪费现象,非侵入式负荷监测技术显示出其重要性。基于事件检测的情况下,该文提出一种基于卷积神经网络耦合双向长短时记忆神经网络(convolutionalneuralnetworksandBi-directionallong short-term memory,CNN-BiLSTM)与动态时间规划(dynamic time warping,DTW)的非侵入式住宅负荷监测方法。首先通过概率质量函数计量负荷的运行状态信息,提取出稳态运行时的U-I特性曲线图;然后将图片归一化为统一格式的灰度图,利用卷积神经网络提取出特征向量作为负荷印记;将其输入至双向长短时记忆神经网络中进行辨识,并利用动态时间规划算法优化辨识结果,实现高精度的负荷辨识。最后,利用PLAID公开数据集对于所提算法进行仿真验证,实验证明所选负荷印记具有良好的辨识性能,辨识算法相比对比算法具有更高的信度与准确率。

基于科学探究的复习课教学设计——以"闭合电路欧姆定律及其应用"为例

用理论分析和实验探究相结合的演练模式,对一道涉及动态分析的例题进行研究,引出测量电源电动势和内阻的基本电路;用自制电路板辅助DIS传感器测定电压和电流值,探究了土豆电池,经历理论分析、实验验证,确定了测量电池电动势和内阻的最佳方案.

纳米级尺寸参数对钛氧化物忆阻器的特性影响

随着忆阻器研究的不断深入,忆阻器的研究已经进入微观阶段,包括忆阻器内部结构的探究、内部粒子间的运动规律、各参数对忆阻器特性的影响等.然而,这些成果中没有关于尺寸参数对忆阻器特性影响的研究,而尺寸参数是忆阻器成功制备的关键因素之一,这大大限制了忆阻器的发展和实际应用.本文从欧姆电阻定律入手,从理论角度详细分析了尺寸参数对惠普忆阻器以及自旋忆阻器的性能影响.在此基础上进行了一系列电路仿真实验,得到不同尺寸参数下忆阻器的相关特性曲线.文中各选取其中最具代表性的四组实验结果进行展示,对这些结果进行了详细分析,得到了惠普忆阻器工作的最佳尺寸范围在8—12 nm之间以及自旋忆阻器工作的最佳尺寸范围在500—600 nm之间的结论.实验结果不仅可为实际运用提供有力的支持,同时也将为进一步研制钛氧化物忆阻器器件和相关理论工作提供重要的实验基础和理论依据.

医用诊断X射线辐射源检测参数的分析与验证

本文提出了通过DR设计厂商给出的理论计算公式，结合现场实验得出相应检测结果，来验证检定与校准中个别参数检测结果是否异常。文中分别介绍了医用X射线辐射源（DR）球管电流、加载时间、管电压值出现异常值的验证方法。实验表明，通过理论计算可验证检测参数结果的异常。