一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型

对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC^20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。

钢框架加腋节点的应力分布与计算方法

用ANSYS软件对NIST/AISC研究项目中的UCSD模型进行受力分析,与试验结果进行对比,绘制关键部位的应力图,分析加腋区域的应力分布规律,给出钢框架加腋节点加腋区域应力的新的简化计算方法。