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用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究 被引量:1
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作者 曹明德 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘鲁 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期90-94,共5页
从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .
关键词 uhb-led AlGaAs/AlAs DBR 光学性质 光学传输矩阵 布拉格反射器 超高亮度发光二极管 反射率 折射率 缘砷衬底
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超高亮度发光二极管芯片切割技术 被引量:2
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作者 钟继 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期606-609,共4页
介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯... 介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法。指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势。 展开更多
关键词 超高亮度发光二极管 芯片 切割
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