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用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究
被引量:
1
1
作者
曹明德
范广涵
+1 位作者
廖常俊
刘鲁
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第1期90-94,共5页
从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .
关键词
uhb-led
AlGaAs/AlAs
DBR
光学性质
光学传输矩阵
布拉格反射器
超高亮度发光二极管
反射率
折射率
缘砷衬底
下载PDF
职称材料
超高亮度发光二极管芯片切割技术
被引量:
2
2
作者
钟继
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期606-609,共4页
介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯...
介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法。指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势。
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关键词
超高亮度发光二极管
芯片
切割
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职称材料
题名
用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究
被引量:
1
1
作者
曹明德
范广涵
廖常俊
刘鲁
机构
华南师范大学MOCVD实验室
出处
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第1期90-94,共5页
基金
国家 2 0 0 0年科技攻关计划地方重大攻关项目 (0 0 - 0 6 8)
广州市科委"超高亮度LED半工业化试验"攻关项目(1999-Z - 0 35 - 1)
文摘
从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .
关键词
uhb-led
AlGaAs/AlAs
DBR
光学性质
光学传输矩阵
布拉格反射器
超高亮度发光二极管
反射率
折射率
缘砷衬底
Keywords
optical transmission matrices
DBR
ultra-high brightness LED
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高亮度发光二极管芯片切割技术
被引量:
2
2
作者
钟继
机构
厦门出入境检验检疫局
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期606-609,共4页
文摘
介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法。指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势。
关键词
超高亮度发光二极管
芯片
切割
Keywords
uhb-led
chip
dicing saw
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究
曹明德
范广涵
廖常俊
刘鲁
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2002
1
下载PDF
职称材料
2
超高亮度发光二极管芯片切割技术
钟继
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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