针对全球各国超高频(ultra high frequency,UHF)射频识别技术(radio frequency identification,RFID)系统许可频段不同问题以及圆极化特性天线需求,提出了一种覆盖全球UHF频段(840~960 MHz)的通用型RFID读写器天线。该天线以传统微带单...针对全球各国超高频(ultra high frequency,UHF)射频识别技术(radio frequency identification,RFID)系统许可频段不同问题以及圆极化特性天线需求,提出了一种覆盖全球UHF频段(840~960 MHz)的通用型RFID读写器天线。该天线以传统微带单极子天线为理论基础,采用一个V形边沿接地板和一个微带线偏心馈电的非对称多边形辐射贴片,实现了天线的圆极化和宽带化特性。天线尺寸大小为90 mm×100 mm×0.8 mm。使用HFSS软件对天线进行了建模、仿真和优化设计,并对天线实物进行了测试,测试结果跟仿真结果有着良好的一致性。最后得到的天线阻抗带宽为154 MHz,相对阻抗带宽为17.2%;轴比带宽为211 MHz,相对轴比带宽为22.8%;+Z方向上的最大增益为2.1 dBi;在+Z和-Z方向上分别辐射右旋圆极化波和左旋圆极化波。该天线具有宽带且小型化的良好特性,能满足全球通用型UHF RFID读写器天线的应用要求。展开更多
将减高锥形天线与集总元件天馈网络相结合,实现了一款低轮廓大功率宽带UHF天线。该天线轮廓低、尺寸小、工作频带宽、功率容量大、结构紧凑,能够较好满足车载干扰机对天线的要求。实验测试表明,所设计的天线在800~1500 MHz频带范围内S1...将减高锥形天线与集总元件天馈网络相结合,实现了一款低轮廓大功率宽带UHF天线。该天线轮廓低、尺寸小、工作频带宽、功率容量大、结构紧凑,能够较好满足车载干扰机对天线的要求。实验测试表明,所设计的天线在800~1500 MHz频带范围内S11基本都在-13 d B以下,方向性系数达6.23 d Bi,单侧半功率波束宽度约为74.32°。该设计对于研制低轮廓大功率宽带UHF天线具有一定参考价值。展开更多
基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100...基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100~1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 d B,PAE≥40.3%,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器。适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中。展开更多
文摘将减高锥形天线与集总元件天馈网络相结合,实现了一款低轮廓大功率宽带UHF天线。该天线轮廓低、尺寸小、工作频带宽、功率容量大、结构紧凑,能够较好满足车载干扰机对天线的要求。实验测试表明,所设计的天线在800~1500 MHz频带范围内S11基本都在-13 d B以下,方向性系数达6.23 d Bi,单侧半功率波束宽度约为74.32°。该设计对于研制低轮廓大功率宽带UHF天线具有一定参考价值。
文摘基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100~1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 d B,PAE≥40.3%,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器。适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中。