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球型量子点电子填充性质的研究
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作者 隋鹏飞 杨其艳 +1 位作者 戴振宏 黄士勇 《烟台大学学报(自然科学与工程版)》 CAS 2002年第2期109-112,123,共5页
利用基于高斯基函数的非限制Hartree Fock Roothaan (UHFR)方法 ,研究球型量子点的剩余电子填充效应 ,量子点的三维限制势采用了有限深势阱 .我们主要考虑量子点内电子相互作用 ,对于试探波函数中高斯基函数 ,采用了简化计算的两参数法 ... 利用基于高斯基函数的非限制Hartree Fock Roothaan (UHFR)方法 ,研究球型量子点的剩余电子填充效应 ,量子点的三维限制势采用了有限深势阱 .我们主要考虑量子点内电子相互作用 ,对于试探波函数中高斯基函数 ,采用了简化计算的两参数法 ,在此球型量子点中 ,可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构 . 展开更多
关键词 球型量子点 电子填充性质 uhfr 电子态 剩余电子填充效应 电子相互作用 基态能 半导体
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对称量子点花样体系壳层结构的研究
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作者 隋鹏飞 戴振宏 +1 位作者 孙金祚 张立德 《烟台大学学报(自然科学与工程版)》 CAS 2001年第4期244-248,共5页
利用从头计算的非限制Hartee Fock Roothaan (UHFR)方法 ,计算三量子点花样体系的基态能 ,进而研究它的化学势、附加能谱和电子电容谱 ,对于量子点花样中的每一个量子点 ,采用球型有限深势阱 .计算结果表明 ,计算方法和理论模型可以很... 利用从头计算的非限制Hartee Fock Roothaan (UHFR)方法 ,计算三量子点花样体系的基态能 ,进而研究它的化学势、附加能谱和电子电容谱 ,对于量子点花样中的每一个量子点 ,采用球型有限深势阱 .计算结果表明 ,计算方法和理论模型可以很好地给出类单量子点电子的壳层填充结构 . 展开更多
关键词 量子点 量子花样 uhfr 多电子态
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对称量子点花样体系电容谱
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作者 戴振宏 孙金祚 +3 位作者 张立德 隋鹏飞 黄士勇 卢卯旺 《中国科学(G辑)》 CSCD 2003年第1期83-88,共6页
利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅... 利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰,并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构。它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法。 展开更多
关键词 对称量子点花样体系 电容谱 量子力学 从头计算 人工刻蚀 uhfr 多电子态 纳米科学 半导体器件 制作工艺
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Study of the electric capacitance spectra on symmetric quantum-dot pattern 被引量:1
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作者 戴振宏 孙金祚 +3 位作者 张立德 隋鹏飞 黄士勇 卢卯旺 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2003年第3期300-306,共7页
We have calculated the ground-state energy of the symmetric quantum-dot pattern by the ab initio calculation method, i.e. unrestricted Hartree-Fock-Roothaan (UHFR) method based on the Gaussian basis, and studied their... We have calculated the ground-state energy of the symmetric quantum-dot pattern by the ab initio calculation method, i.e. unrestricted Hartree-Fock-Roothaan (UHFR) method based on the Gaussian basis, and studied their electric capacitance spectra, assuming each quantum dot of quantum-dot pattern to be confined in a three-dimensional spherical potential well of finite depth. For the systems in question, our results show that our method and theoretical model not only give the electric capacitance peaks similar to s-shell and p-shell atom-like quantum dot, but also show some new fine-structure of electric capacitance in the symmetric quantum-dot pattern system. This method might be a feasible tool to study few-electron problems on the symmetric quantum-dot pattern system. 展开更多
关键词 quantum-dot pattern uhfr many-electron states
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