UHV系统及变压器发展之设想

介绍了ＵＨＶ系统的发展方式、绝缘水平以及国外变压器和变压器单台极限容量，对下个世纪中国的ＵＨＶ变压器等科研物质准备工作讲行了设想。

NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除

借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。

Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制

采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。